СПОСОБ БАЗИРОВАНИЯ ИЗДЕЛИЙ Советский патент 1971 года по МПК H05K3/00 G03F9/00 

Изобретение относится к технологии производства изделий радиопромышленности и может быть использовано для увеличения точности базирования и совмещения при производстве односторонних, двусторонних и многослойных печатных плат. Эти способы широко распространены и применяются при производстве около 90% плоских изделий и корпусов.

Известны способы базирования изделий на два отверстия и нлоскость с помош,ью двух цилиидрических пальцев.

Однако обш,им недостатком этих способов являются значительные погрешности положения базируемого изделия из-за наличия значительных зазоров между базовым отверстием и базируюш,им пальцем, необходимых для компенсации погрешностей изготовления самого отверстия, пальца и погрешностей межцентровых расстояний между отверстиями в изделии и нальцами в нриспособлении.

С целью повышения точности базирования по предлагаемому способу изделие прижимают к каждому пальцу во взаимно перпендикулярных направлениях.

Предлагаемый способ иллюстрируется чертежом.

устанавливается отверстиями на базирующие пальцы 2, 3 и на верхнюю плоскость изделия 4. Изделие / прижимают усилием PI к пальцу 2 в направлении условной оси X проходящей через базирующие пальцы 2 и 3, причем, если центр отверстия значительно сдвинут в сторону от оси X, то автоматически происходит проскальзывание, и центр устанавливается в пределах угла трения.

Затем изделие / прижимают усилием Яг к пальцу 3 в перпендикулярном направлении, при этом изделие / слегка поворачивается вокруг точки соприкосновения первого отверстия с нальцем 2.

При совмещении изделий, например изделия 5 с изделием /, оба они прижимаются к тем же пальцам 2 и 5 в тех же нанравлениях и с теми же усилиями, причем у каждого из пальцев направления усилий совпадают.

Предмет изобретения

Способ базирования изделий на два отверстия и плоскость с помощью двух цилиндрических пальцев, отличающийся тем, что, с целью повышения точности базирования, изделие прижимают к каждому пальцу во взаимно перпендикулярных направлениях.

3 4 Г