Способ электрошлаковой выплавки полых слитков Советский патент 1980 года по МПК C21C5/56 

Изобретение относится к спецэпектрометаллургии. Известен способ эпектрошпаковой выплавки полых спптков в горизонтально расположенном формирующем устройстве о вращением его в процессе плавки. Однако известный способ не обеспечивает свободной усадки слитка, что приводит к трещи- нообразованию. По предлагаемому способу расходуемый электрод располагают горизонтально внутри кристаллизатора и в процессе плавки вращают вокруг своей оси с одновременньш вертикальным переметяением вниз по мере оплавления. Это позволяет повысить качество слитка за счет обеспечения свободной усадки. В горизонтально расположенный цилиндрический кристаллизатор вводят цилиндрический расходуемый электрод и закрепляю его между токоподводящими прижимами. Кристаллизатор закрывают с торцовых сторон крышками, между которыми закрепляет ся затравка. Охлаждение кристаллизатора МОжет быть открытого типе, например форсуночное, либо закрытого типа, как в обычных кристаллизаторах, лрименяемых при электрошлаковом переппаве. После подготовки в плавке в кристаллизатор зал1шают жидкий щлак до момента его соприкосновения с расходуемым электродом и появления тока в цепи. По мере оплавления электрода его вращают и опускают вниз. Из образующейся метапличес- . кой ванны еристаллизуется полый слиток, покрытый шлаковой корочкой. Через некоторое время после начала процесса плавки кристаллизатор начинают вращать со скоростью, зависящей от требуемой стенки полого слитка. После совершения кристаллизатором полного оборота процесс плавки прекращают, а слиток и огарок электрода удаляют из кристаллизатора. Формула изобретения Способ электрошлаковой выплавки полых спитков в горизонтально расположенном кристаллизаторе с вращением его в рроцессе плавки вокруг оси, о т л и - ,

3, 340294 .4

чаюшийса тем, что, с цепью по-мый электрод в процессе плавки вращают

вышения качества спитка путем обеспече- вокруг своей оси с одновременным свободной усадки, выплавку слитка кальным перемещением его вниз по мере

ведут внутри кристаллизатора а расходуе- оплавления.