1
Изобретение относится к запоминающим устройствам.
Известно магнитное онеративное запоминающее устройство, содержащее накопитель, выход которого подключен к входу регистра регенерации, а вход- к выходу дещифратора, входы которого подсоединены к выходам регистра адреса, и блок управления.
Предлагаемое устройство отличается от известного тем, что в него введен блок воестановления адреса, входы которого соединены с выходами регистра регенерации, а выходы-с входом регистра адреса, выходы разрядов регистра регенерации, соответствующие признаку неисправности, соединены с блоком управления.
Это позволяет иовысить иадежность работы устройства.
iia чертеже показана блок-схема магнитного оперативного запоминающего устройства.
Устройство содержит регистр / адреса, выходы которого соединены с входами дешифратора 2, накопитель 3, выход которого подключен к входу регистра 4 регенерации, блок 5 иосстановлення адреса. Выходы разрядов 6 регистра -/ регенерации, соответствующие признаку неисправности, соединены с блоком управления (на чертеже не показан). Каждая неисправная ячейка матр1Н1Ы иаконнтеля
3 разделена на группы, в каждой из которых сердечники прощиты обмотками согласио адресу этой ячейки.
Накопитель нодготаг лиг.а1от к работе по следующей методике.
Накопитель, состоящн из матриц, имеющих иеисправпые ячейки, разбивают на две зоны. Общее число ячеек накопителя )авно /1; нервая зона этого наконитсля со.аерж.чт число ячеек В, вторая - С, ирнчем Л Б+С, где В - число ячеек накопителя, к которым программист может непосредственно обращаться, С - число ячеек резервной зоны, замещающей неиснравные ячейки в зоне В.
Неисправные ячейки могут быть li зоне В и в зоне С.
Например, пусть иакопитс.К) 1024 ячейки. В среднем в группе матриц, комнле)тующих накопнтель, 150 неисправных ячеек, распределенных по всему массиву. )ведем разбивку на групп)1. Число ячеек эезервио11 зоны С должно быть бoльнJe 150. Примем , тогда
В А - С 1024 - 256 768. Допустим, В нмеют адреса от О до 767, а ячейюи С, следовательно, - от 767 до 1023. число разрядов накопителя - О. В не:иснравном числе удаляется сердечник носледнего разряда. Каждому -неисправному ч.ис.чу . зоне В соответствует исправное в зоне С.
Например D 40, а Л 2 1024, где п - разрядность адреса накопителя.
Пусть в зоне В неисправно число с адресом 217. Ему соответствует в зоне С исправное число с адресом 812. В неисправном числе удаляется сердечник последнего разряда и сердечники в разрядах с 1 по 10, с 11 по 20, с 21 по 30 в соответствии с двоичным кодом адреса числа, заменяющего неисправное. В данном примере этот адрес равен 812, что в двоичном коде представляется как 1100101100.
Если в данном разряде адреса заменяющего числа «О, сердечник в числе, предлежащем замене, удаляется, если . Адрес заменяющего числа заносится в число, подлежащее замене трижды. Если в зоне чисел С какое-то число неисправно, переадресация на него не проводится.
Рассмотрим последователыюсть действий с неисправными матрицами. Сначала комплектуются матрицы, составляющие накопитель таким образом, чтобы в одном было не более одного нeиcпpaiвнoгo сердечника в одноименных разрядах трижды поБторевных адресов замены.
В данном примере из групп по три кольца 1, 11, 21; 2, 12, 22; ... 10, 20, 30 может быть неиспра.вно не более одного сердечника в каждой из троек. Удаляются сердечники в последнем разряде каждого из неисправных чисел и в каждом неисправно числе-сердечники в соответствии с двоичным адресом заменяющего числа. Заменяющий адрес повторяется трижды. Отсюда видно, что разрядность чисел D должна быть больше или равна З/г+1, где 1 - разрядность адреса заменяющего числа. Для накопителя, в котором D- 3n-rl, методика не пpцмeни a.
Если в зоне С встречаются неисправные ячейки, переадресация к ним ие проводится.
Такая методика подготовки неисправных матриц дана в предполол ении, что в устройстве восстановления адреса применены устройства «два из трех. Количество устройств «два из трех соответствует разрядности адреса. Отсюда и требование о том, что в неисправном числе может быть неисправно не более одного сердечника из трех, представляющих собой один и тот же разряд адреса.
Если же в устройстве восстановления адреса использована группа схем «PI Л И с тремя входами, то методика несколько меняется.
В неисправном числе удаляются пеисправпые сердечники, а затем сердечники в соответствии с адресом замены, как и ранее. При этом уже может быть неисправно два сердечника из трех, представляющих собой один и тот же разряд адреса замены.
Если же в устройстве восстановления адреса применена группа схем «ИЛИ с двумя входами, то методика отличается от первой из приведенных. В неисправном числе удаляются неисправные сердечники и сердечники в соответствии с адресом замены, однако адрес повторяется дважды, а не трижды, как ранее. При этом может быть неисправен одни сердечник из двух, представляющих собой один и тот же разряд адреса замены. 5 Рассмотрим работу устройства при обранлении к исправным и неисправным ячейкам накопителя.
Перед началом работы устройства необходимо во все ячейки накопителя записать код
0 «1 во все разряды.
При обращении к исправной ячейке накопителя при считывании информации с последующим ее восстановлением устройство работает следующим образом.
5 В регистр адреса поступает адрес выбираемого числа. Дещнфратор расшифровывает его, и на выходе накопителя появляется выбранное число, устанавливающее регистр регенерации в соответствии со своим двоичным
0 кодом.
Разряды 6 используются как индикатор исцравлости выбираемой ячейки накопителя и как разряды хранимого слова использоваться не могут.
Значения («О или «1) признака неиспраг,ности поступают в блок управления. Если значение разряда индикатора «I, то число исправно, выборка проведена верно.
0 Осуществляется регенерация числа но его адресу.
Если число неиснравно, то сердечник последнего разряда числа удален и значение разряда-индикатора неисправности равно «О.
5 Значение признака неисправности поступает с выхода разрядов 6 в блок управления. Блок управления расшифровывает значение этого нризнака. В регистре регенерации находится трижды или дважды повторенный ад0 Р числа, заменяющего данное, так как сердечники в данном числе были удалены по специальной программе и в весь массив накопителя перед началом работы были записаны «1. Некоторые разряды эдреса могут быть
5 неверными из-за неисправности выбираемого числа.
Проводится регенерация значения выбранного слова, а затем - замена адреса слова.
0 Блок восстановления адреса обеспечивает восстановление адреса замены. Адрес заменяющей ячейки устанавливается в регистре адреса. Проводится новая выборка, и в регистре регенерация оказывается искомое число.
5 При необходимости записать число в ячейку накопителя необходимо убедиться, что данная ячейка исправна. В этом случае последовательность действий следующая. Выбирается число по адресу, по которому
0 необходимо записать число. Анализируется исправность числа. Если число исправно, оно записывается в ячейку по данному адресу.
Если число неисправно, происходит замена адреса. Далее проводят запись числа в заме-- щающую ячейку.
Предмет изобретения
Магнитное оперативиое запоминающее устройство, содержащее накопитель, выход которого подключен к входу регистра регенерации, а вход - к выходу дещнфратора, входы которого подсоединены к выходам регистра -адреса, блок управления, отличающееся тем.
что, с целью повышения надежности, оно содержнт блок восстановления адреса, входы которого соединены с выходами регистра регенерации, а выходы -с входом регистра адреса, выходы разрядов регистра регенерации, соответствующие признаку неисправности, соединены с блоком упоавления.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
ЗАПОМИНАНМЦЕЕ УСТРОЙСТВО С БЛОШРОВКОЙ НЕИСПРАВНЫХ ЯЧЕЕК ПАМЯТИ | 1979 |
|
SU826425A1 |
Оперативное запоминающее устройство с блокировкой неисправных запоминающих элементов | 1975 |
|
SU556502A1 |
Мультиплексный канал с косвенной адресацией памяти | 1973 |
|
SU514287A1 |
Оперативное запоминающее устройство с защитной информации | 1976 |
|
SU590833A1 |
Запоминающее устройство с автономным контролем | 1973 |
|
SU476605A1 |
Оперативное запоминающее устройст-BO C САМОКОНТРОлЕМ | 1979 |
|
SU794671A1 |
Устройство для контроля памяти | 1979 |
|
SU809395A1 |
Запоминающее устройство с самоконтролем | 1980 |
|
SU920849A2 |
Оперативное запоминающее устройство с блокировкой неисправных ячеек памяти | 1981 |
|
SU1014033A1 |
Запоминающее устройство с самоконтролем | 1980 |
|
SU879655A1 |
r;;3tacu.-0 il79K.
Авторы
Даты
1973-01-01—Публикация