ФОНД ВНОЕРТШ Советский патент 1974 года по МПК C30B7/10 C30B23/00 

Изобретение может использоваться при выраи;иБапии монокристаллов любыми способами, осиованными на применении монокрнсталлических затравок.

Известны способы выращивания монокристаллов па затравках, которые не устраняют дефектности используемых монокристаллических заправок.

Для получения бездефектных монокристаллов с повышенной степенью совершенства реальной структуры предлагается затравкп предварительно покрывать граиичнрзгми слоями из материалов, отличных от материалов затравок. Для более эффективного теплоотвода в начале роста и использования максимальной толн1ины граничных слоев, обладаюпцих информационными свойствами, в качестве материалов для граничных слоев пспользуют .металлы.

Пример 1. Монокристаллы содалита выращивают гидротермальнььм методом через граничные полнкристаллические слои из золота толщиной 1500 А, нанесенные методом вакуумного испарения.

Пример 2. Монокристаллы сернистого свиица выращивают из газовой фазы через

2

Граничные слои из аморфного углерода толщиной 100 Л.

Монокристаллы, выращенные через граиичные слон, отличаются более .высокой стененью совериюнства структуры и, в частности, характеризуются меиьши.м колпчество.м макрон микротрещин, чем выращенные на затравках без граничных слоев.

10

Предмет изобретения

1.Способ выращивания монокристаллов иа затравках, отличающийся тем, что, с целью получения бездефектных монокристаллов с повьииенной степеш ю совершенства реальной структуры, затравки предварительно нокрывают граничными слоя.ми из материалов, отличных от материалов затравок.

2.Способ по п. 1, о т л и ч а ю щ и и с я тем, что, с целью более эффективного теплоотвода в начале роста и использования максимальной толпищы граничных слоев, обладаюи-,их информационными свойствами, в качестве материалов для граничных слоев используют металлы.