СПОСОБ ПЕРЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ СЕРНИСТОГО КАДМИЯ Советский патент 1974 года по МПК C01G11/02 

1

Изобретение относится к способам получения кристаллов синтетических минералов, например кристаллов сернистого кадмия, и может быть использовано в технике полупроводников.

Известен способ перекристаллизации сернистого кадмия с получением монокристаллов путем растворения сульфида кадмия в серной и ортофосфорной кислотах при 260-500° С и давлен.и:и 1500 ати с последующим охл,аждением раствора.

Однако процесс растворения и кристаллизации с достаточной скоростью протекает только при 350-500° С и давлении 1500 ати. что требует применения сложной аппаратуры и связано с большими энергозатратами.

По предложенному способу сульфид кадмия растворяют в водном растворе соляной кислоты с концентрацией 0,1-6 лшль, предпочтительно 1-2 моль.

Это обеспечивает возможность проведения процесса при более низком давлении 20- ,300 атм п более низкой темиературе до 300°С.

;П р и мер. В автоклав, футерованный фторопластом, за гружают химреактив сернистого кадмия марки «X, Ч, в количестве 30 г на 100 мл раствора. В качестве растворителя используют водный раствор соляной кислоты коицентрацией 1 моль. Иосле загрузки реагеитов автоклав нагревают до 240°С под давлением 100 атм в течение 72 час. После охлаждеиия в верхней зоне автоклава образуются монокристаллы сернистого кадмия размером до 2 мм.

Предмет изобретения

1.Сиособ иерекристаллизации сернистого кадмия с получением монокристаллов путем

растворения сульфида кадмия в кислоте ири повышенных температуре и давлении с последующим охлаждением раствора, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса, .сульфид кадмия растворяют в водном растворе соляной кислоты концентрацией 0,1-6 моль, преимущественно 1-2 моль.

2.Способ по п. 1, отличающийся тем, что перекристаллизацию сернистого кадмия проводят при температуре роста 150-300°С и

давлении 20-300 атм.