Способ нанесения компактных покрытий из тугоплавких металлов Советский патент 1975 года по МПК C23C11/02 

над поверхностью подложки, нагретой до 1600°С. Скорость осаждения покрытия при этом составляет 4,3 мм/час. Получают компактное ниобиевое покрытие с микротвердостью 200 кг/мм.

Пример 2. Для получения танталового покрытия над поверхностью подложки, нагретой до 1700°С, пропускают газообразную смесь, содержащую 30 мол. % TaFs и 70 мол. % водорода. Скорость осаждения при этом составляет 2,2 мм/час.

Пример 3. Молибденовое покрытие осаждают пропусканием газообразной смеси, содержащей 52 мол. % МоРб и 48 мол. % водорода, над поверхностью подлолски, нагретой до 1100°С. При скорости осаждения 4,8 мм/час получают компактное молибденовое покрытие с микротвердостью 200 кг/мм.

Пример 4. При пропускании газообразной смеси, содержащей 55 мол. % WFe и 45 мол. % водорода, над поверхностью подложки, нагретой до 800°С, получают компактное вольфрамовое покрытие с микротвердостью 480-500 кг/мм при скорости осаждения 7 мм/час. Эффективность улавливания WFa при этом составляет 98%, тогда как при избытке водорода она не превышает 70- 80%,

Предмет изобретения

1. Способ нанесения компактных покрытий из тугоплавких металлов путем восстановления газообразных фторидов, направляемых вдоль покрываемой поверхности, водородом при повышенной температуре и атмосферном давлении, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности, процесс осуществляют при содержании водорода на 1 - 55 мол. % меньше стехиометрически требуемого количества и 650-2200°С.

2.Способ по п. 1, отличающийся тем, что нанесение ниобиевых покрытий проводят при содержании водорода на 1-25 мол. % меньше стехиометрически требуемого количества и 1200-1900°С.

3.Способ по д. 1, отличающийся тем, что нанесение танталовых покрытий осуществляют при содержании водорода на 1 - 35 мол. % меньше стехиометрически требуе0 мого количества и 1500-2200°С.

4.Способ по п. 1, отличающийся тем, что наиесение молибденовых покрытий проводят при содержании водорода на 1-45 мол. %

5 меньше стехиометрически требуемого количества и 850-1300°С.

5.Способ по п. 1, отличающийся тем, что нанесение вольфрамовых покрытий осуществляют при содержании водорода на 1- 55 мол. % меньше стехиометрически требуемого количества и 650-1100°С.