Способ изготовления высокоомных проволочных резисторов Советский патент 1976 года по МПК H01C17/04 

R t - j, K.d

где p--удельное сопротивление материала жилы.

Известно, что в проволочных резисторах одной из основных причин отказов является потеря проводимости в контактных узлах. Поэтому отсутствие в резисторах, изготовленных по предлагаемому способу, промежуточного контактного узла между обмотками в эмалевой и стеклянной изоляции ввиду выполнения их в виде одного отрезка провода повышает надежность системы.

Лабораторные испытания показали, что в месте стыка эмалевой и стеклянной изоляции пробойное напряжение не ниже, чем для стеклянной изоляции, а допустимый радиус изгиба равен донустимому радиусу изгиба микропровода в стеклянной изоляции.

Способ поясняется чертежом (резистор изготовлен предлагаемым способом) где: 1- пазовый каркас, 2- обмотка из микропровода в эмалевой изоляции, 3-обмотка из микропровода в стеклянной изоляции, 4- токоподводы, 5- герметизирующее покрытие.

За счет уменьшения начального радиуса намотки вследствие применения микропровода, начальный участок которого покрыт эмалевой

изоляцией и играет роль внутреннего слоя обмотки, сопротивление на единицу объема резистора увеличивается.

Формула изобретения

Способ изготовления высокоомных проволочных резисторов путем намотки микропровода в стеклянной изоляции на каркас, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления и увеличения сопротивления, приходящегося на единицу объема при заданной длине каркаса, с начального отрезка микропровода, образующего внутреннюю часть обмотки, снимают стеклянную изоляцию без обрыва микропровода, покрывают указанный участок эмалевой изоляцией, после чего производят «амотку на каркас.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1.К. И. Мартющов и Ю. В. Зайцев «Резисторы изд. «Энергия, Ленинград 1966 г., стр. 180-182.

2.С. М. Димитраки и др. «Влияние нагрева при намотке по заданному сопротивлению резисторов из остеклованного микропровода. «Микропровод и приборы сопротивления вып. 4, 1966 г. (прототип).