Устройство для вытягивания профилированных кристаллов Советский патент 1993 года по МПК C30B15/34 

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов и может быть использованодляполучения

профилированных кристаллов вытягиванием из пленки расплава.

Целью изобретения является увеличение длины вытягиваемых кристаллов путем увеличения высоты подъема расплава в капиллярах и емкости тигля.

Цель достигается тем, что в предлагаемом устройстве для вытягивания профилированных кристаллов из пленки расплава, включающем тигель и установленный в его полости формообразователь с расположенными по высоте тигля капиллярами, поперечные сечения последних представляют собой фигуры, ограниченные гипоциклоидами. Каждый капилляр образован тремя цилиндрическими элементами с одинаковыми диаметрами, контактирующими один с другим по образующим.

На фиг. 1 изображено предлагаемое устройство; на фиг. 2 - капилляр, поперечное сечение.

Устройство (см. фиг. 1) состоит из тигля 1 с крышкой 2, в которой закреплен формообразователь 3, состоящий из цилиндрических элементов 4 одинакового диаметра, прижатых один к другому по всей длине. Элементы 4 образуют вертикальные каналы (капилляры) 5, которые в поперечном сечении (см. фиг. 2) ограничены гипоциклоидами. Каждый капилляр 5 образован тремя цилиндрическими элементами 4, например стержнями с одинаковыми диаметрами, контактирующими один с другим по образующим.

Тигель 1 заполняют исходным материалом, помещают в зону нагрева и поднимают температуру до образования расплава. Расплав силами поверхностного натяжения поднимается по капиллярным каналам 5 к торцу формообразователя 3. При соприкосновении с затравочным кристаллом на торце формообразователя образуется пленка расплава, из которой и производится выращивание кристалла известными приемами.

36135444

Высота подъема расплава в предлагав- что дает возможность увеличить длину вытямом устройстве увеличивается в два раза, гиваемых кристаллов.

г:

тТ

/

т

(pU9. /

Фи. Z