Способ образования профилированных отверстий в образцах монокристаллов Советский патент 1978 года по МПК B28D5/06 

Изобретение относится к способу получения отверстий сложных профилей на изделиях из монокристаллов, преимущественно окислов металлов, и .может быть использовано в электронной и радиопромышленности при обработке, например, подложек из лейкосапфира, поликора и материалов из окислов других металлов, предназначенных для изготовления СВЧ-схем и т. п.

Известен способ образования профилированных отверстий в сверхтвердых материалах и минералах путем ультразвуковой обработки с использованием вибрирующего рельефного инструмента 1. При этом в процессе механического воздействия по краям отверстий возникают микротрещины и сколы, а производительность обработки весьма низкая.

Известен также способ образования профилированных отверстий в алмазе, рубине, сапфире и других прозрачных материалах при помощи сфокусированного излучения путем их локального нагрева до температуры испарения 2. В этом случае после обработки в отверстиях образуется дефектный слой, для удаления которого требуется использование химико-термической обработки, что усложняет технологию.

Кроме того, при этом возникают большие трудности получать отверстия больших размеров и сложного профиля.

Наиболее близким техническим решением к изобретению является способ образования профилированных отверстий в образцах монокристаллов, например алмазов, путем нагревания образца, и введения в контак с ним нагретого .металлического формообразователя 3.

Недостатком известного способа является низкая производительность обработки, получение некачественного профиля отверстий и применение для реализации этого способа сложного оборудования.

Целью изобретения является улучшение качества поверхности и упрошение процесса обработки.

Для этого в способе образования профилированных отверстий в образцах монокристаллов, преимущественно из окиси металлов, включающем нагревание образца и введение в контакт с ним нагретого металлического формообразователя, на поверхности формообразователя перед его контактом с образцом монокристалла выполняют сквозные отверстия заданного профиля, поме