Способ получения полых кремниевых труб Советский патент 1987 года по МПК C30B15/34 C30B29/06 

Описание патента на изобретение SU687654A1

00

05

сл

iiu Изобретение относится к области металлургии полупроводниковых матер алов и может быть .применено в полупроводниковой промышленности. Известны способы получения профильных изделий, основанные на прин ципе капиллярного формообразования, причем заданная форма изделия созда ется с помощью различных формообразующих устройств. В соответствии с патентом полые тела получают осаждением материала из его газообразного соединения на поверхности тела-держателя с послед ющим удалением тела-держателя выеверливанием или выжиганием. Этот сп соб является малопроизводительным и дорогостоящим. Кроме этого, не исключено загрязнение получаемого изделия материалом держателя, а так же его загрязнение в процессе высверливания или выжигания, В соответствии с патентом профил ные полупроводниковые материалы получают либо введением в расплав вместе с затравкой детали, имеющей форму изделия, либо введение в затравку стержней, имеющих форму отвер тия заданного изделия. Наиболее близким к предложенному техническим решением является спосо согласно которому полые кремниевые трубы вытягивают из расплава в тигле на вращаемую затравку в форме кольца, Недостаток этого способа состоит в том, что по мере вытягивания тол щина стенок труб изменяется. Целью изобретения является обеспечение постоянства толщины стенок трубы по всей длине, С этой целью для нагрева тигля с расплавом устанавливают отношение удельных тепловых потоков, подводимых к боковым стенкам тигля и к его донной части, равными 0,4-0,6, а вытягивание ведут из кольцевой области расплава с диаметром 0,4-0,9 от диаметра тигля, при этом затравку вращают со скоростью, равной 15,5 - 4d , -rTj j где d - наружный диаметр трубы. Кольцевая переохлажденная област диаметра 0,4-0,9 диаметра тигля в приповерхностных слоях расплава соз дается восходящим конвективным пото ком в центре тигля и подогревом периферийной части расплава непосредственно от нагревателя. Восходящие конвективные потоки создаются в расплаве при отношении удельных тепловых потоков, подводимых к боковой и дон ной частям тигля, равном 0,4-0,6. Кроме того, на столбик расплава в мениске действуют три силы: собственный вес, сила поверхностного натяжения и центробежная сила. Изменяя скорость вращения трубы можно изменять центробежную силу и тем самым регулировать форму мениска. Скорость вращения трубы должна быть оптимальной и рассчитывает15 5 - 4dся по формуле п TTd где п - скорость вращения трубы, об/мин, d - наружный диаметр трубы в метрах. При малых скоростях вращения наблюдается постоянное утолщение стенки трубы до величины внутреннего диаметра кольца переохлажденной области, а при увеличении скорости Bbmie оптимальной стенка трубы утоньшается и может привести к разрыву мениска. Пример. Кремниевые поликристаллические трубы диаметром 100 мм выращивают в вакууме при остаточном давлении 1-10 торр. В качестве затравки используют графитовое кольцо. Вес загрузки 3,0 кг. Применяют тигли из синтетического кварца диаметром 200 мм с плоским дном. В качестве источника тепла используют графитовый нагреватель сопротивления с внутренним диаметром 230 мм, толщиной 10 мм и высотой 90 мм. Фрезеровка нагревателя осуществлялась на 24 ламели. Диаметр отверстия в донной части нагревателя составлял 50 мм. Недофрезеровка ламелей в верхней части составляла 22 мм, фрезеровка донной части ламелей - 70 м. Нагревательный элемент экранировали четырьмя боковыми цилиндрическими экранами и четырьмя донными экранами в виде кругов, расположенных на нижнем штоке. Отношение удельных тепловых потоков рассчитывают по формуле 2 lElSa-Sj. 8 см-160 мм. g Г -SgSg 3 о 0,57, удельные тепловые потогде gg., В ки к боковым стенкам тигля и его донной части соответственно; длина токоведущих ламелей и боковых стенок и дна тигля ; поперечное сечение токо ведущих ламелей у боковых стенок и дна тигля} - площади боковойи донной частей нагревателя. Скорость вращения трубы составляет 48 об/мин; скорость вращения тигля - 4 об/мин, скорость вытягивания изменялась по линейной программе: начальная - 4,0 мм/мин и конечная 44 1,8 мм/мин. Толщина трубы - мм, тип проводимости - Р, удельное сопротивление - 30 Ом-см. По разработанному способу изготовлены и испытаны трубы диаметром 70110 мм. В опытном порядке получены трубы диаметром 180 и 215 мм,Длина каждой трубы ограничивалась рабочим ходом существующих установок вытягивания и составляла 700-800 мм. Изготовленные трубы испытывались при производстве полупроводниковых приборов в процессах диффузии и окисления. Предполагается применение труб в качестве химических реакторов и др.

Похожие патенты SU687654A1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 2006
  • Смирнов Павел Владиславович
RU2320791C1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ПОЛЫХ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ НА ОСНОВЕ СПОСОБА ЧОХРАЛЬСКОГО И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 2007
  • Кожитов Лев Васильевич
  • Кондратенко Тимофей Тимофеевич
  • Крапухин Всеволод Валерьевич
  • Казимиров Николай Иванович
  • Сорокин Сергей Леонидович
  • Тарадей Владимир Александрович
  • Блиев Александр Петрович
  • Силаев Иван Вадимович
RU2355831C2
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА 2004
  • Бородин А.В.
RU2265088C1
Устройство для получения трубчатых кристаллов методом Степанова 1990
  • Антонов Петр Иосифович
  • Крымов Владимир Михайлович
  • Овчинникова Татьяна Александровна
  • Токарев Андрей Алексеевич
  • Юферев Валентин Степанович
SU1712473A1
Устройство для вытягивания кристаллов из расплава 1981
  • Заславский Б.Г.
  • Даниленко Э.В.
  • Мюлендорф О.С.
  • Апилат В.Я.
  • Лисовиченко Л.Д.
SU1122015A1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ В ВИДЕ ПОЛЫХ ТЕЛ ВРАЩЕНИЯ 2010
  • Бородин Алексей Владимирович
  • Юдин Михаил Викторович
  • Мошаров Тимофей Анатольевич
RU2451117C2
Способ выращивания монокристаллов оксидов и устройство для его осуществления 1979
  • Аракелов О.А.
  • Белабаев К.Г.
  • Бурачас С.Ф.
  • Дубовик М.Ф.
  • Назаренко Б.П.
  • Саркисов В.Х.
  • Тиман Б.Л.
SU786110A1
Способ выращивания монокристаллов германия или кремния и устройство для его реализации 2022
  • Гоник Михаил Александрович
RU2791643C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ 1999
  • Ремизов О.А.
  • Джей Юн Квон
RU2193079C1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА 2003
  • Амосов В.И.
  • Бирюков Е.Н.
  • Куликов В.И.
  • Харченко В.А.
RU2222647C1

Реферат патента 1987 года Способ получения полых кремниевых труб

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛЬК КРЕМНИЕВЫХ ТРУБ вытягиванием их из расплава на вращаемую затравку вформе кольца при боковом и донном нагреве тигля с расплавом, отличающийся тем, что, с целью обеспечения постоянства толщины стенки трубы по всей длине, для нагрева тигля с расплавом устанавливают отношение удельных тепловых потоков , подводимых к боковым стенкам тигля и к его донной части, равным 0,4-0,6 и вытягивание ведут из кольцевой части расплава с диаметром 0,4- 0,9 от диаметра тигля.2. Способ по П.1, отличающийся тем, что затравку вращают со скоростью равной -7^7-—п dгде d - наружный диаметр трубы.сл

Формула изобретения SU 687 654 A1

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1987 года SU687654A1

Пат
ФРГ 1917016, кл
Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов 1917
  • Гордон И.Д.
SU2A1
США 2890976, кл
Прибор для равномерного смешения зерна и одновременного отбирания нескольких одинаковых по объему проб 1921
  • Игнатенко Ф.Я.
  • Смирнов Е.П.
SU23A1
св
Способ приготовления топливных брикетов 1939
  • Золотухин Д.Ф.
SU57257A1
Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1

SU 687 654 A1

Авторы

Бевз В.В.

Березенко Л.Е.

Гашенко С.И.

Данилейко Н.Н.

Епихин Ю.В.

Тимошин Ю.Н.

Фалькевич Э.С.

Даты

1987-03-23Публикация

1976-03-02Подача