ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ЭЛЕМЕНТОВ ПАМЯТИ Советский патент 1994 года по МПК H01L45/00 

Описание патента на изобретение SU736810A1

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности, к полупроводниковым материалам для элементов памяти и может быть использовано в вычислительной технике, средствах связи, автоматике и телемеханике.

Известен ферритовый материал для элементов магнитной памяти, содержащий двуокись кремния, при следующем соотношении компонентов, мас.%: Окись лития 2,6-4,3 Окись магния 01,-2,6 Окись марганца 0,1-9,7 Окись висмута 0,1-5,0 Двуокись кремния 0,1-4,0 Окись железа Остальное
Однако элементы памяти из известного материала трудно поддаются миниатюризации, в настоящее время ведется поиск новых материалов немагнитной записи памяти.

Наиболее близким техническим решением является полупроводниковый материал для элементов памяти на основе поликристаллического диоксида ванадия.

Недостатком известного материала является то, что кривая зависимости электросопротивления от температуры представляет собой одиночную петлю гистерезиса, что сужает объем записываемой информации для элементов памяти, изготовленных на его основе.

Целью изобретения является увеличение объема записываемой информации.

Цель достигается тем, что полупроводниковый материал дополнительно содержит эпоксидное связующее при следующем соотношении компонентов, мас.%:
Поликристаллический диоксид ванадия 93-97 Связующее 3-7 при этом связующее состоит из эпоксидной диановой смолы и титанорганического сложного полиэфира дикарбоновой кислоты и алкиленгликоля при следующем соотношении компонентов, мас.%:
Эпоксидная диановая смола 40-92
Титанорганический
сложный полиэфир ди-
карбоновой кислоты и алкиленгликоля Остальное
На чертеже (кривая 1) приведена кривая результатов измерения температурной зависимости удельного сопротивления для полупроводникового материала состава, мас.%:
Поликристаллический диоксид ванадия 93 Связующее 7 На чертеже (кривая 2) приведена кривая результатов измерения температурной зависимости сопротивления для полупроводникового материала состава, мас.%:
Поликристаллический диоксид ванадия 97 Связующее 3
При наличии связующего в материале более 7 мас.% наблюдается нестабильность параметров, а именно: невоспроизводимость кривой электропроводности, представленной на фиг.1, при наличии связующего менее 3 мас.%. Материал не может быть опрессован.

Получение полупроводникового материала для элементов памяти осуществляется следующим образом. Эпоксидную диановую смолу, очищенную фильтрованием до постоянного веса, смешивают с необходимым количеством титанорганического полиэфира при 70-90оС в течение 30-40 мин. Затем рассчитанное количество связующего добавляют к навеске диоксида ванадия. Смесь тщательно перемешивают и брикетируют таблетки. Отверждение проводят в токе аргона при нагревании от 150 до 200оС.

Полученный полупроводниковый материал проверяют на механическую прочность и исследуют его электрические свойства.

П р и м е р 1. 93 мас.ч. поликристаллического диоксида ванадия смешивают с 7 мас.ч. связующего, содержащего 83,2 мас.% эпоксидной диановой смолы ЭД-20 и 11,8 мас.% титанорганического сложного полиэфира дикарбоновой фталевой кислоты и алкиленгликоля.

Из полученной смеси прессуют цилиндры диаметром 8 и высотой 12 мм. Отверждение осуществляется нагреванием цилиндров по режиму: 150, 160, 170оС по 1 ч; 180, 190оС по 3 ч, 200оС - 6 ч.

Температурная зависимость удельного сопротивления полученного материала представлена на фиг.1, предел текучести при сжатии составляет 890 кгс/см2.

П р и м е р 2. 97 мас.ч. поликристаллического диоксида ванадия смешивают с 3 мас.ч. связующего, состоящего из 88,2 мас.% эпоксидной диановой смолы ЭЛ-20 и 11,8 мас.%, титанорганического сложного полиэфира фталевой кислоты и этиленгликоля. Из полученной смеси прессуют цилиндры диаметром 8 и высотой 12 мм. Отверждение осуществляют нагреванием цилиндров по режиму 150, 160, 170оС по 1 ч, 180, 190оС - по 3 ч, 200оС - по 6 ч. Температурная зависимость электросопротивления данного материала представлена на фиг.1 (кривая 2).

Предел текучести при сжатии составляет 780 кгс/см2.

Таким образом, полупроводниковый материал для элементов памяти дает, согласно настоящему изобретению, возможность увеличить объем записываемой информации, вследствие того, что кривая температурной зависимости электросопротивления материала имеет две противоположно направленные петли гистерезиса. Кроме того, материал обладает механической прочностью, достаточной для брикетирования и изготовления на его основе элементов памяти.

Похожие патенты SU736810A1

название год авторы номер документа
КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ ЗАЩИТНО-ДЕКОРАТИВНЫХ ПОКРЫТИЙ 1992
  • Смирнова Т.А.
  • Мазепова Л.С.
  • Тутыхин А.Д.
  • Тэйф В.С.
  • Чуйкина В.А.
RU2048499C1
Эпоксидная композиция 1977
  • Кочнева Марина Анатольевна
  • Дульцева Лилина Дмитриевна
  • Суворов Алексей Леонидович
  • Ежова Наталья Юрьевна
  • Белов Борис Федорович
  • Рыжов Олег Сергеевич
  • Ильин Леонид Семенович
  • Богатикова Надежда Ниловна
  • Толочко Маргарита Николаевна
  • Федоров Евгений Сергеевич
SU812817A2
УЗЕЛ ПРОДОЛЬНОЙ ГЕРМЕТИЗАЦИИ ОПТИЧЕСКИХ КАБЕЛЕЙ 1994
  • Меньшиков В.Н.
  • Ежова Н.Ю.
  • Дульцева Л.Д.
  • Кутарев А.С.
  • Суворов А.Л.
RU2091828C1
Способ получения полиэфиров 1979
  • Лундина Вера Григорьевна
  • Тарасов Адольф Иннокентьевич
  • Кочнева Марина Анатольевна
  • Суворов Алексей Леонидович
  • Курникова Лидия Ивановна
  • Алехина Валентина Дмитриевна
SU939460A1
1,5-БИС-(2-ГИДРОКСИЭТИЛ)-БИУРЕТ В КАЧЕСТВЕ КОМПОНЕНТА ПОЛИМЕРНЫХ КОМПОЗИЦИЙ И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ 1992
  • Голов В.Г.
  • Бойцов Е.Н.
  • Попова Н.А.
  • Соколов Е.П.
  • Малов А.П.
  • Журавлев Е.З.
  • Сидоров О.И.
RU2041203C1
Пропиточный состав 1989
  • Ваксер Борис Давидович
  • Ханукова Элина Сергеевна
  • Петров Владимир Васильевич
  • Саар Людмила Ивановна
  • Пьянкова Светлана Николаевна
  • Чибриков Александр Николаевич
  • Никонова Татьяна Павловна
  • Урванцева Галина Михайловна
  • Хазанов Александр Иосифович
SU1720096A1
ПОЛИМЕРНАЯ КОМПОЗИЦИЯ 2006
  • Хомяков Александр Кириллович
  • Кожевников Владимир Степанович
  • Мурзоян Константин Эдуардович
  • Стрыгин Виктор Дмитриевич
  • Щеулова Людмила Константиновна
  • Кулезнев Валерий Николаевич
  • Кандырин Леонид Борисович
RU2315789C1
КОМПОЗИЦИЯ СВЯЗУЮЩЕГО ДЛЯ СЛОИСТОГО ЭЛЕКТРОИЗОЛЯЦИОННОГО МАТЕРИАЛА 1993
  • Гогиашвили Т.М.
  • Васнев В.А.
  • Алексеев С.В.
RU2041896C1
ВОДНО-ДИСПЕРСИОННЫЙ ГРУНТ-ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ РЖАВЧИНЫ 2001
  • Климов С.А.
  • Тарасов В.Ф.
  • Матус Л.И.
  • Решетникова Т.И.
RU2202581C2
СОСТАВ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ФРЕТТИНГОСТОЙКОГО ПОКРЫТИЯ 1989
  • Иванов Е.В.
  • Белова З.А.
  • Кожухова В.Б.
  • Савостина Т.В.
  • Ларченко Г.А.
  • Шашлова М.В.
  • Фокин Б.А.
  • Шатланов М.И.
SU1771200A1

Иллюстрации к изобретению SU 736 810 A1

Формула изобретения SU 736 810 A1

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ЭЛЕМЕНТОВ ПАМЯТИ на основе поликристаллического диоксида ванадия, отличающийся тем, что, с целью увеличения объема записываемой информации, он дополнительно содержит связующее при следующем соотношении компонентов, мас.%:
Поликристаллический диоксид ванадия 93 - 97
Связующее 3 - 7
при этом связующее состоит из эпоксидной диановой смолы и титаноорганического сложного полиэфира дикарбоновой кислоты и алкиленгликоля при следующем соотношении компонентов, мас.%:
Эпоксидная диановая смола 40 - 92
Титаноорганический сложный полиэфир дикарбоновой кислоты и алкиленгл
иколя Остальное

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1994 года SU736810A1

Коломойцев Р.И
и др
Получение оксидных полупроводниковых с резкой зависимостью электропроводности
Известия АН СССР, серия Неорганические материалы, т.1у, N 2, 1968, с.233.

SU 736 810 A1

Авторы

Миллер В.И.

Переляев В.А.

Швейкин Г.П.

Дульцева Л.Д.

Суворов А.Л.

Ежова Н.Ю.

Кочнева М.А.

Алексеюнас А.А.

Бондаренко В.М.

Гечяускас С.И.

Даты

1994-07-30Публикация

1978-12-14Подача