Способ формирования микрованныдля лиТья МиКРОпРОВОдА B CTEK-ляННОй изОляции Советский патент 1981 года по МПК H01B13/06 

Описание патента на изобретение SU819823A1

t

Изобретение относится к области электротехники.

Известен способ изготовления литых проводов в сплошной стеклянной изоляции с помошью высокочастотного индуктора, расплавляюшего металлический пруток, находящийся в стеклянной трубке, в которой создано разряжение, причем трубка и пруток непрерывно подаются в зоне индуктора 1.

По этому способу степень разряжения в стеклянной трубке регулируется автоматически по показаниям приборов, контролируюш,их температуру расплавленного металла и диаметр готового провода.

Однако при этом способе литья изготовить микропровод ИЗ; никеля и его сплавов с жилой диаметром более 10 мкм практически невозможно, так как постоянный разогрев питаюш.его стержня вне микрованны вызывает сильное его окисление, что влечет за собой чрезмерное накопление окислов в микрованне, увеличение коэффициента поверхностного натяжения,ее оболочки и соответственно уменьшение диаметра вытягиваемого капилляра. Это в конечном счете

сильно затрудняет изготовление микропровода из никеля требуемого диаметра.

С другой стороны, разряжение в стеклянной трубке снижает давление металлической капли на оболочку и уменьшает силы, вовлекающие металл в капилляр, вследствие чего диаметр жйлы уменьшается.

Наиболее близким по технической сущности к изобретению является способ изготовления микропровода в стеклянной изоляции с помощью высокочастотного индуктора, расплавляющего металлическую навеску, находящуюся в стеклянной трубке, в которой создано разряжение 2.

По этому способу навеску нагревают до температуры, превышающей температуру плавления на 8-16°/о и формируют из размягченного конца стеклянной трубки оболочку микрованны, покрывающую расплав с нижней и боковых сторон.

Однако, при использовании известного способа для изготов ения литого микропровода из никеля и его сплавов, микрованна при формировании покрывается слоем окислов сверху, что препятствует дальнейшему ее окислению и образованию силикатов в нижней части на межфазной границе стекло-металл. -Вследствие этого вязкость оболочки микрованны в зоне формирования микропровода из никеля оказывается недостаточной для получения капилляра с внутренним диаметром более 10 мкм. Более того, вследствие повышенного межфазнрго натяжения на границе металл-стекло вхождение расплава металла в капилляр чрезвычайно затруднено, что предопределяет малый выход годного микропровода. Целью изобретения является повышение производительности при изготовлении микропровода с диаметром жилы более 10 мкм из никеля и его сплавов. Эта цель достигается тем, что по предложенному способу, включающему первоначальный перегрев микрованны на 8-IGVo выше температуры плавления навески, осуществляют локальное прободение оболочки микрованны на 0,5-2 сек, которое прекращают кратковременным (1-2 сек.), повышением на 1-2 порядка скорости подачи стеклянной трубки в зону высокочастотного индуктора, после чего перед вытяжкой микропровода снижают температуру микрованны до температуры, которая на 40-90°С выше температуры плавления навески. Применение вышеуказанных операций, в частности кратковременное прободение оболочки микрованны, которое осуществляют путем прикосновения к ней стеклянного штабика, приводит к образованию пленки окислов и силикатов никеля в нижней части этой оболочки, в результате чего снижается межфазное натяжение в зоне формирования капилляра и повышается вязкость оболочки микрованны в нижней ее части. Как показали экспериментальные исследования диаметр d жилы литого микропрожода описывается следующей эмпирической формулой f4 4y(o/3vV3 где А - экспериментльная константа, зависящая от частоты магнитного поля; - вязкость стекла; У - плотность стекла; to - поверхностное натяжение стекла; V-скорость вытяжки капилляра. Указанная зависимость объясняет набдюдаемое явление возрастание диаметра жилы микропровода при осуществлении предложенного способа. Однако чрезмерное окис ление расплава микрованны в течение времени более 2 с ухудшает стабильность процесса литья ввиду накопления неметаллических (окисных) включений во всем объеме микрованны. Предложенный способ позволяет увеличить диаметр микропровода из никеля и его сплавов до 60 мкм при одновременном повышении стабильности процесса литья. Как показали производственные испытания, предлагаемый способ позволяет добиться повышения выхода никелевого микропровода с диаметром более 10 мкм. Формула изобретения Способ формирования микрованны для литья микропровода в стеклянной изоляции, заключающийся в высокочастотном нагреве навески металла, размещенной в стеклянной трубке, до температуры, превышающей температуру плавления навески на 8- 16%, образовании из размягченного конца стеклянной трубки, перемещаемой в зону высокочастотного нагрева, оболочки микрованны, покрывающей образующийся расплав с нижней и боковых -сторон, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности литья и качества микропровода из никеля с диаметром жилы более 10 мкм, осуществляют после образования оболочки микрованны локальное ее прободение, через 0,5-2 сек , прекращают его путем повышения на 1-2 порядка скорости перемещения стеклянной трубки в течение 1-2 сек, после чего температуру расплава снижают до температуры на 40-90°С выше упомянутой температуры плавления навески. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Авторское свидетельство СССР № 149138, кл. Н 01 В 13/00, 1962. 2.Авторское свидетельство СССР № 440700, кл. Н 01 В 13/06, 1975 (прототип).

Похожие патенты SU819823A1

название год авторы номер документа
Способ изготовления литого микропровода 1979
  • Гришанов Иван Иванович
  • Заборовский Виталий Ипполитович
  • Иойшер Анатолий Матусович
  • Котрубенко Борис Павлович
  • Миргородский Виктор Максимович
  • Радауцан Сергей Иванович
  • Самусь Дмитрий Павлович
SU788185A1
Способ изготовления литого микропровода 1978
  • Заборовский Виталий Ипполитович
  • Иойшер Анатолий Матусович
  • Котрубенко Борис Павлович
SU765888A1
Способ изготовления литого микропровода 1980
  • Заборовский Виталий Ипполитович
  • Иойшер Анатолий Матусович
  • Котрубенко Борис Павлович
SU970483A1
Способ изготовления литого микропровода в стеклянной изоляции 1973
  • Берман Наум Рафаилович
  • Грозав Георгий Владимирович
  • Заборовский Виталий Ипполитович
  • Иойшер Анатолий Матусович
  • Котрубенко Борис Павлович
  • Ланда Шая Давидович
SU505032A1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ МИКРОПРОВОДОВ 2008
  • Фармаковский Борис Владимирович
  • Васильева Ольга Вячеславовна
  • Кузьмин Константин Анатольевич
  • Шавыкин Максим Алексеевич
  • Кузнецов Павел Алексеевич
RU2396621C1
Технологическая линия по производству литого микропровода в стеклянной изоляции 1979
  • Заборовский Виталий Ипполитович
  • Бугаков Вячеслав Иванович
  • Иойшер Анатолий Матусович
  • Ланда Шая Давидович
  • Леонтович Евгений Яковлевич
  • Мирошниченко Владимир Сергеевич
  • Спивак Леонид Семенович
SU1081670A1
Способ управления процессом литья микропровода 1979
  • Заборовский Виталий Ипполитович
  • Бугаков Вячеслав Иванович
  • Зотов Сергей Константинович
  • Иойшер Анатолий Матусович
  • Ланда Шая Давидович
  • Леонтович Евгений Яковлевич
  • Любер Валерий Наумович
  • Михайлов Виталий Алексеевич
  • Резник Мирон Файвишевич
  • Шаргородский Михаил Тимофеевич
  • Шихман Валерий Исаакович
  • Шербелис Лев Мойсеевич
SU1088076A1
Способ изготовления литого провода в стеклянной изоляции 1976
  • Беляев Олег Алексеевич
  • Марунько Юрий Пантелеймонович
  • Спирин Сергей Васильевич
SU600619A1
Способ литья микропровода в стеклянной изоляции 1979
  • Заборовский Виталий Ипполитович
  • Бугаков Вячеслав Иванович
  • Зотов Сергей Константинович
  • Иойшер Анатолий Матусович
  • Ланда Шая Давидович
  • Леонтович Евгений Яковлевич
  • Спивак Леонид Семенович
  • Торкунов Александр Васильевич
  • Флоря Валентина Романовна
SU1088075A1
Способ изготовления литого микропровода 1986
  • Заборовский Александр Витальевич
SU1385145A1

Реферат патента 1981 года Способ формирования микрованныдля лиТья МиКРОпРОВОдА B CTEK-ляННОй изОляции

Формула изобретения SU 819 823 A1

SU 819 823 A1

Авторы

Гольштейн Альберт Семенович

Заборовский Виталий Ипполитович

Зотов Сергей Константинович

Иойшер Анатолий Матусович

Михайлов Виталий Алексеевич

Чеботарь Иван Андреевич

Даты

1981-04-07Публикация

1979-05-08Подача