Устройство для двусторонней обработкипОлупРОВОдНиКОВыХ плАСТиН Советский патент 1981 года по МПК H01L21/461 B24B37/04 

Изобретение относится к механиче кой обработке полупроводниковых материалов, в частности к двусторонней шлифовке и полировке полупровод новых пластин свободным абразивом. Известно устройство для двусторонней обработки попу провод ник oBbui: пластин, содержаадее базовые ппиты и расположенный между ними носитель обрабатываемых пластин (сепаратор) в виде бесконечной . Оно состо ит из двух параллельно расположенны плит в виде дисков, обтянутых замшей, выполняющей функцию носителя свободного абразива, сепараторов с гнездами для установки обрабата1ваем пластин, расположенных между Ллитами. При этом сепараторам щ вдаефся вращение вокруг собственней ос и о руг оси дисков. Свободный абразив подается через отверстие в 8ерхи « диске на нижний диск, а затем распределяется с помощью сепара« :ч ов п поверхности замши Недостатком этого устройства является низкая производитель«ость, обусловленная малой загрузкой и рывностью тфоцесса. Известно устройство, содержащее сепаратор г выполненш11й в виде бесконечной ленты, взаимодействующей с вращающимися дисками . Данное устройство принципиально не позволяет обарабатывать более одного ряда пластин из-за неодинаковых УСЛОВИЙ обработки в центре и на периферии и, кроме того, качество обработки остается невысоким, так как абразив подается принудительно, под давлением, что приводит к неравномерному его попаданию в зо ну обработки. Наиболее близким к предлагаемому я вляется устройство для двусторонней обработки полупроводниковых пластун, содержащее параллельно установленные базовые плиты, расположенные :Между ними во взаимно перпендикуляршх направлениях ленты, носители свободного абразива и носитель обрабатываемых пластин, причем оба носителя выполнены в виде бесконечных лент. Это устройство обладает более высокой производительностью благодаря темпу, что число рядов пластин, одновременно находящихся в обработке, не ограничивается.и более высоким качеством обработки,-так как угсловия обработки любой точки пластины идентичны з1.

Однако интенсивность, и качество бработки, определяемое скоростью бработки ,и удельным давлением на абазив, ограничиваются предельной велииной удельного давления, допускаеого с одной стороны прочностью ленты - носителя абразива, а с другой максимально допустимой глубиной нарушенного слоя обрабатываемого материала.

Цель изобретения - повышение производительности и качества обработки.

указанная цел достигается тем, что в устройстве для двусторонней обработки полупроводниковых пластин, содержащем базовые плиты и расположенные меяаду ними носители абразива и сепаратор, выполненные с виде бесконечных лент, в базовых плитах, на поверхностях, прилеганхцих к носителям абразива, выполнены каналы для подачи сжатого газа между базовой плитой и носителем абразива.

На фиг. 1 изображено устройство B. разрезе вдоль генератора; на фиг.2 устройство в разрезе вдоль носитилей .абразива; на фиг. 3 - вид поверхности базовой плиты с каналами для подачи сжатого газа.

Устройство сосгоит из станины 1, базовых плит 2 и 3, бесконечных лент 4 носителей свободного абразива, бесконечной ленты 5 - сепаратора, штуцера б для подачи сжатого газа, механизма 7 загрузки пластин 8 и механизма 9 выгрузки.

Устройство работает следующим образом.

Обрабатываемые пластины с механизма 7 загрузки с помощью сепаратора 5 подаются в зону обработки, куда лентами 4 осуществляется подача абразива. По каналам в базовых плитах 2 и 3 и пространство между плоскостью плиты и лентой 4 носителем абразива подается сжатый газ, при этом верхняя базовая плита 2 приподнимается и зависает на образующейся газовой подушке. Приподнимается также и весь пакет, находящийся в зоне обработки (верхняя лента - носитель абразива, сепараторная лента с пластинами, нижняя лента носитель абразива. При этом уменьшается вредное трение между плитой и лентой-носителем, которое является причиной повышенного разогрева пластин и увеличения глубины нарушенного слоя. Подаваемый под давлением газ служит одновременно для отвода тепла от обрабатываемых пластин и в то же время препятствует попаданию в зону обработки .загрязнений из окружающей среды (пыль и пр).

20Формула изобретения

Устройство для двусторонней обработки полупроводниковых пластин, содержащее базовые плиты и распало25 женные между ними носители абразива и сепаратор, выполненные в виде бесконечных лент, отличающее- с я тем, что, с целью повышения производительности и качества обра2Q ботки, в базовых плитах, на поверхностях прилегающих к носителям абразива, выполнены каналы для подачи сжатого газа между базовой плитой и носителем абразива.

35Источники информации

принятые во внимание при экспертизе

1. Электронная промышленность, 1975, 10, с. 72-73.

2.Авторское свидетельство СССР

40 № 485858, кл. В 24 В 37/04, 10.08.73

3.Авторское свидетельство СССР

W 619053, кл. Н 01 L 21/461,14.04.78