Способ регулирования процесса кристаллизации в вальцовом кристаллизаторе Советский патент 1981 года по МПК B01D9/02 G05D27/00 

выходе из вальца и стабилизацию уровня расплава в ванне кристаллизатора 2.

Известный способ хотя и обеспечивает регулирование уровня расплава в ванне кристаллизатора, но не обеспечивает мак- 5 симальную производительность кристаллизатора при заданном качестве кристаллического продукта, так как при изменении физических свойств кристаллизуемого продукта, например его концентрации в ванне 10 кристаллизатора, а следовательно, и теплоемкости при постоянной температуре поверхности вальца и уровне расплава в ванне (глубине погружения вальца в расплав) на погруженной в расплав поверхности 15 вальца будет образовываться корка продукта различной толщины, которая при постоянном времени ее доохлаждения, определяемом уровнем расплава в ванне, будет иметь различную температуру (толстая 20 корка - выше температуру, тонкая - ниже), что оказывает влияние на качество кристаллического продукта и производительность аппарата.

Целью изобретения является обеспече- 25 ние максимальной производительности кристаллизатора при заданном качестве кристаллического продукта.

Эта цель достигается тем, что уровень расплава в ванне кристаллизатора коррек- 30 тируют по температуре кристаллического продукта в зоне его съема с поверхности вальца.

На чертеже представлена принципиальная схема реализации способа.35

Кристаллизатор содержит валец 1, разбрызгивающее охлаждающее устройство 2, ванну 3 для расплава, ножи 4 для среза кристаллов, привод 5, датчик 6 расхода, регулятор 7 расхода, исполнительный меха- ... низм с регулирующим органом 8, датчик 9 температуры, корректирующий регулятор 10, датчик И уровня, регулятор 12 уровня, исполнительный механизм с регулирующим органом 13, датчик 14 температуры, корректирующий регулятор 15.

Датчик 6 расхода соединен с регулятором 7 расхода, воздействующим на исполнительный механизм с регулирующим органом 8. Датчик 9 температуры соединен с корректирующим регулятором 10, воздействующим на блок задания регулятора 7 расхода. Датчик 11 уровня соединен с регулятором 12 уровня, воздействующим на исполнительный механизм с регулирующим органом 13. Датчик 14 температуры соеди- 55 пен с корректирующим регулятором 15, воздействующим на блок задания регулятора 12 уровня.

Способ осуществляется следующим образом.60

Вращающийся от привода 5 валец 1 непрерывно контактирует с горячим расплавом. При этом на его охлажденной до заданной температуры поверхности образует.„, , „ f RE

вальца 1 из ванны 3 охлаждается, твердеет и скалывается ножами 4 в выгружающий транспортер (не показан).

Расход хладоносителя измеряется датчиком 6 расхода, сигнал от которого-поступает на регулятор 7 расхода. При отклонении расхода хладоносителя от заданного значения регулятор 7 вырабатывает командный сигнал, поступающий на исполнительный механизм с регулирующим органом 8, который изменяет подачу хладоносителя на охлаждение вальца 1 до тех пор, пока расход не устанавливается на заданном значении. Температура поверхности вальца 1 измеряется по зависимому от нее косвенному параметру - температуре выводимого из аппарата хладоносителя, которая измеряется датчиком 9 температуры, подсоединенным к корректирующему регулятору 10. При изменении температуры хладоносителя регулятор 10 вырабатывает корректирующий сигнал, поступающий в блок задания регулятора 7 расхода, который управляет исполнительным механизмом с регулирующим органом 8 так, что происходит компенсация изменения температуры хладоносителя за счет изменения его расхода. Уровень расплава в ванне кристаллизатора измеряется датчиком И уровня, сигнал от которого поступает на регулятор 12 уровня. При отклонении уровня от заданного значения регулятор 12 вырабатывает командный сигнал, поступающий на исполнительный механизм с регулирующим органом 13, который изменяет подачу расплава в ванну кристаллизатора до тех пор, пока уровень расплава не установится на заданном значении. Температура кристаллического продукта измеряется датчиком 14 температуры, подсоединенным к корректирующему регулятору 15. При изменении температуры кристаллического продукта регулятор 15 вырабатывает корректирующий сигнал, поступающий в блок задания регулятора 12 уровня, который управляет исполнительным механизмом с регулирующим органом 13 так, что происходит компенсация изменения температуры кристаллического продукта за счет изменения уровня расплава в ванне кристаллизатора.

Таким образом, температура кристаллического продукта стабилизируется на заданном значении.

Ожидаемый экономический эффект от использования данного способа на одном вальцовом кристаллизаторе в производстве хлорофоса составит 33 тыс. руб. в год, в производстве дифенилолпропана - 42 тыс. руб. в год.

Формула изобретения

Способ регулирования процесса кристаллизации в вальцовом кристаллизаторе путем стабилизации уровня расплава в ван.л .т « -лгяла тттти Г-го и ттчоиПППЯНИПГП ЧНЯЦР;ния расхода хладоносителя, подаваемого в кристаллизатор для охлаждения вальца, по температуре хладоносителя на выходе на вальце, отличающийся тем, что, с целью обеспечения максимальной произво дительности кристаллизатора при заданном качестве кристаллического продукта, уровень расплава в ванне корректируют по температуре кристаллического продукта в .зоне его съема с поверхности вальца.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1.Авторское свидетельство СССР по заявке № 3946719/26, кл. В 01 D 9/02, 1973.

2.Отчет № 391-2430 ПЗ «Кристаллизатор вальцовый для ДФП. Автоматизация, с. 4-6, 1974.

Г