Способ изготовления прозрачных амплитудных дифракционных решеток Советский патент 1982 года по МПК G02B5/18 C25D11/04 

Описание патента на изобретение SU924650A1

(5) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПРОЗРАЧНЫХ АМПЛИТУДНЫХ

1

Изобретение относится к технологии изготовления оптических элементов, в частности дифракционных решеток, и может быть использовано в оптико-механической промышленности при изготовлении прозрачных амплитудных дифракционных решеток, например, для дифракционных интерферометров, измерительных решеток и т.д.

Известно использование электрохимического оксидирования напыленного алюминия в 0, растворе двузамещенного фосфата аммония в процессе изготовления фазовых отражательных дифракционных решеток перед их копированием для защиты решеток от коррозии Щ.

Однако указанный способ не позволяет изготавливать прозрачные амплитудные дифракционные решетки в связи с тем, что перед нанесением слоя алюминия на стеклянную подложку наносят слой титана толщиной 10002000 А , при этом практически исклюДИФРАКЦИОННЫХ РЕШЕТОК

чается получение прозоачных участков. Способ не определяет режимы проведения операций нанесения слоя алюминия и его оксидирования, поскольку для защиты решеток толщина слоя алюминия и окисной пленки является не столь критичной, как для получения прозрачных элементов штрихов амплитудных решеток.

Наиболее близким к предлагаемому

10 по технической сущности является способ изготовления прозрачных амплитудных дифракционных решеток, включающий нанесение вакуумной металлизацией слоя алюминия на полирован15ную стеклянную подложку, формирование штрихов треугольного профиля в слое алюминия и образование прозрачных участков на дне каждого штриха путем химического травления в растворе,со20держащем 0,5 , и 20 см при 20-60 С 1121.

При травлении дно штрихов постепенно расширяется, образуя прозрачную часть штриха, а его вершина остается непрозрачной. Однако при травлении края прозрачных штрихов получаются неровными из-за неоднородности структуры и состава алюминиевого слоя.При больших размерах решеток практически невозможно получить по всей ширине решетки одина ковые размеры прозрачных участков штрихов, в особенности для решеток с малым соотношением ширины прозрач ных участков штрихов к периоду,из-з различия в температуре и концентрации раствора и условий его циркуляции по поверхности решетки. Цель изобретения - повышение точ ности изготовления решеток. Указанная цель достигается тем,ч в способе изготовления прозрачных амплитудных дифракционных решеток образование прозрачных участков на дне каждого штриха осуществляют электрохимическим оксидированием в 0, растворе двузамещенного фосфата аммония при напряжении, опр деляемом по формуле и 71it с / sino(.+ sina2 и - напряжение, В; S - заданная ширина прозрачных участков штрихов, мкм; и . углы наклона граней штрихов к поверхности подложки, град. Предлагаемый способ осуществляется следующим образом. В слое алюминия, нанесенном ваку умной металлизацией на полированную подложку из стекла- на делительной м шине, формируют штрихи треугольного профиля с заданным значением углов (оС и oL2.) наклона граней штрихов к поверхности подложки. При этом толщина слоя алюминия выбирается равной глубине штрихов и составляет, например, 2,5 мкм. Нагрузку на алма ный резец подбирают так, чтобы глубина погружения резца при формирова нии штрихов ограничивалась поверхностью подложки. Затем по вышеуказа ной формулеопределяют напряжение и осуществляют электрохимическое окси дирование в 0, (Ш4)2.НГО. В результате окисления слоя алюминия при оксидировании на поверхности решетки создается прозрачный окисный слой. При этом на дне штрихов образуются прозрачные участки шириной S. Заданное соотношение между прозрачными и непрозрачными участками штрихов по ширине решетки достигается за счет равномерного окисления слоя алюминия при оксидировании. Наиболее широко используются прозрачные амплитудные дифракционные решетки, имеющие 75 и 100 штрихов на 1 мм, для преобразования теневых интерференционных приборов в дифракционные интерферометры. Период таких решеток равен 13,3 мкм и 10 мкм. Ширина прозрачных участков составляет 0,1-0,2 от периода решетки, т.е. в пределах: для 75 штр/мм - 1,33 и 2,66 мкм; 100 штр/мм - 1 и 2 мкм. Примеры реализации предлагаемого способа приведены в таблице, в которой указаны величины напряжений оксидирования, при которых получают амплитудные решетки с заданными характеристиками. - - Нижний и верхний пределы углов наклона граней штрихов к поверхности решетки ограничиваются для указанного типа решеток технологическими причинами, так как в интервале этих углов более правильно выполняется профиль штрихов решеток. Напряжение оксидирования точно соответствует параметрам профиля штрихов -исходных решеток и заданной ширине прозрачных участков штрихов. Время оксидирования тем больше, чем больше напряжение оксидирования. Наибольшее время оксидирования находится в пределах 10 мин. Окончание процесса оксидирования определяется полным прекращением тока через полученную оксидную пленку. Оксидная пленка при этом создается такой толщины, которая необходима для получения заданной ширины прозрачных участков штрихов . Толщина оксидной пленки может быть определена следующим образом. Отношение толщины пленки окиси алюминия к напряжению составляет lA У /В или 71 В/мкм и приведенная формула, выведена с использованием отношения- I А /В. Так, для примера 12 в таблице толщина пленки окиси В алюминия составляет 71ч В/мкм 0,3 мкм.

. 6

Таким образом, изобретение обеспе- верхности решетки и тем самым обрачивает повышение точности изготовле- зования прозрачных участков на дне ния прозрачных амплитудных дифрак- каждого штриха с точностью, достиционных решеток за счет равномер- гаемой при нарезании отражающих реного окисления слоя алюминия по по- 5 шетрк на делительной машине.

Похожие патенты SU924650A1

название год авторы номер документа
Способ изготовления низкочастотных амплитудных решеток 1980
  • Балясников Николай Михайлович
  • Стрежнев Степан Александрович
  • Куинджи Владлен Владимирович
SU927770A1
Алмазный резец для нарезания низкочастотных амплитудных решеток 1982
  • Балясников Николай Михайлович
  • Куинджи Владлен Владимирович
SU1144785A1
Способ изготовления низкочастотных амплитудных решеток и алмазный резец для нарезания низкочастотных амплитудных решеток 1991
  • Балясников Николай Михайлович
  • Кузьмин Иван Иванович
SU1791787A1
Способ изготовления дифракционных решоток-матриц для копирования реплик 1975
  • Стрежнев Степан Александрович
  • Штырков Евгений Иванович
  • Хайбуллин Ильдус Бариевич
SU561923A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИФРАКЦИОННЫХ РЕШЕТОК 2016
  • Лукашевич Ярослав Константинович
  • Знаменский Михаил Юрьевич
RU2643220C1
Способ изготовления дифракционных решеток 1975
  • Стрежнев Степан Александрович
  • Куинджи Владлен Владимирович
  • Штырков Евгений Иванович
  • Хайбуллин Ильдус Бариевич
SU561922A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИФРАКЦИОННЫХ РЕШЕТОК 2016
  • Лукашевич Ярослав Константинович
  • Знаменский Михаил Юрьевич
RU2642139C1
Способ изготовления пропускающей измерительной фазовой диффракционной решетки 1982
  • Куинджи Владлен Владимирович
  • Стрежнев Степан Александрович
  • Балясников Николай Михайлович
  • Стрельников Юрий Петрович
SU1045201A1
Способ изготовления отражающихКОпий дифРАКциОННыХ РЕшЕТОК 1979
  • Стрежнев Степан Александрович
  • Петров Владимир Петрович
  • Лукашевич Ярослав Константинович
  • Функ Лидия Антоновна
SU811192A1
Вогнутая дифракционная решетка 1985
  • Саамова Татьяна Сергеевна
  • Стрежнев Степан Александрович
SU1287087A1

Реферат патента 1982 года Способ изготовления прозрачных амплитудных дифракционных решеток

Формула изобретения SU 924 650 A1

SU 924 650 A1

Авторы

Стрежнев Степан Александрович

Куинджи Владлен Владимирович

Петров Владимир Петрович

Функ Лидия Антоновна

Даты

1982-04-30Публикация

1979-03-29Подача