Накопитель для полупроводникового запоминающего устройства Советский патент 1982 года по МПК G11C11/40 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении накопителей полупроводниковых запоминающих устройств большой информационной емкости. .

Известен полупроводниковый накопитель, содержащий четырехтранзисторные элементы памяти с инжекционным питанием, инжекторы р-п-р транзисторов соединены с адресной шиной, базы р-п-р транзисторов подключены к противоположным переключающим п-р-п ,транзисторам, эмиттеры п-р-п транзис(торов соединены .с разрядными шинами. Информация считывается в виде разности токов или разности потенциалов tl.3,

Известен, накопитель для полупроводникового запоминающего устройства на основе четырехтранзисторных элементов памяти с инжекционным питанием. Использующий тр« шины выборки. В этой накопителе для считывания информации используется фиктивный трангзистор, база и коллектор которого подключены к нижней адресной шине, а эмиттер к фиктивной, четвертой шине выборки. Инфо1 1ация считывается в виде разности потенциалов между разрядной и фиктивной шинами 2.

Однако эти устройства обладают недостаточным быстродействием.

Из известных полупроводниковых накопителей наиболее близким к предлагаемому по технической сущности яв,ляется полупроводниковый накопитель, содержащий элементы памяти, установленные в пересечении адресных и разрядных шин, генераторы тока,

10 подключенные к разрядным шинам, управляющие элементы, выполненные на транзисторах, эмиттеры которых подключены к шине питания, коллекторы ,к соответствующим разрядным шинам,

15 а базы являются управляющими входами накопителя 3.

о

I К недостаткам устройства следует отнести схемотехническое построение

20 накопителя, при котором возможен выход транзисторов разрядных ключей из режима насыщения при обращении к разряду, что ухудшает быстродействие накопителя. Кроме того, протекание

25 в разрядных шинах емкостного тока перезаряда через выбранный элемент памяти в режиме считывания информации- приводит к ухудшению помехозащищенности накопителя и разрушению ин30формации в выбранном элементе памяти.

Цель изобретения - повыление бнстродействия накопителя для полупроводникового запоминающего устройства.

Поставленная цель достигается . введением шунтирующих элементов, выполненных на диодах, аноды которых подключены к соответствующим раэряд:ным шинам, а катодыявляются дополнительным управляющим входом накопителя.

На чертеже представлена блок-схема накопителя для полупроводникового запоминающего устройства..

Накопитель содержит массив элементов 1 памяти, соединенны: адресными 2 и разрядными 3 шинами, генераторы 4 тока, управляющие элементы 5, выйолненные на транзисторах, шунтирующие элементы 6, выполненные на диодах.

Схема работает следующим образом.

В режиме хранения ток, задаваемый генераторами тока 4, равномерно распределяется между инжекторами всех элементов памяти. В режиме считывания выбор строки осугаествляется понижением потенциала соответствующей адресной шины, при этом токи io в разрядных шинах 3 невыбранных 15аэрядов отключаются. В выбранном- разряде равные токи разрядных шин ig втекают в инжекторы выбранного элемента 1 памяти, разность потенциалов на разрядных шинах возникает за счет разности, токов коллекторов р-п-р транзисторов.

Ток в инжекторах невыбранных элементов памяти в выбранном разряде прак тически отсутствует вследствие более высокого потенциала адресных шин 3. Но информация в невыбранных элементах памяти сохраняется на емкостях ячеек в течение относительно короткого периода выборки. Перезаряд емкостей разрядных ШИН в выбранном разряде осуществляется с помощью диодной цепоуки, диоды которой открываются понижением потенциала в общей точке. .

Режим записи аналогичен режиму считывания с тем лишь отличием, что ток одной из.разрядных шин в выбранном разряде подключается на землю через управляющий элемент- 5, управляемый сигналом записи, поступающим на его базу.

Использование новых элементов шунтирующих элемейтов для перезаряда емкостей разрядных шин выгодно, отличает предлагаемый полупроводниковый накопитель от известного, так как позволяет повысить помехозащищенность и быстродействие накопителя особенно при и пользовании диодов Шоттки.

Формула изобретения

Накопитель для полупроводникового запоминающего устройства, содержащий элементы памяти, установленные в пересечении адресных и разрядных шин, генераторы тока, подключенные к разрядным шинам управляющие элементы, выполненные на транзисторах, эмиттеры которых подключены к шине питания коллекторы - к соответствующим разряным шинам,- а базы являются управляющими входами накопителя, о т л и ч to щ и и с я тем, что, с целью повышения быстродействия накопителя, в него введены шунтирующие элементы вполненные на диодах, аноды которых подключены к соответствующим разрядным шинам, а катоды являются дополнительным управляющим входом Накопителя.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1.Патент США № 4158237, 365-154, опублик. 1979.

2.Патент США № 4112511, 365-188, опублик. 1979.

3. IEEE ISSCC Digest о. Technial Papers, 1970, p. 222, 223, 276

(прототип-) .

dblfopffO

/o- 2

-7,

1

111