СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТРУБЧАТОГО КРИСТАЛЛА КАРБИДА КРЕМНИЯ Российский патент 2002 года по МПК C30B23/00 C30B29/36 C30B29/66 

Описание патента на изобретение RU2182607C2

Изобретение относится к технологии электронного приборостроения, а именно к способам размерного профилирования кристаллов карбида кремния, и может быть использовано в микросистемной технике, оптоэлектронике и т.п.

Известен способ получения трубчатого кристалла полупроводника, основанный на сублимации, протекающей в кристаллизованной ячейке, состоящей из ростовой полости с профилирующим стержнем, соприкасающимся с затравкой, которая перекрывает ростовую полость. Источник пара при этом также располагается в ростовой полости (Маслов В.Н. Выращивание профильных полупроводниковых монокристаллов. - М.: Металлургия, 1977, - 328 с.).

Недостатком известного способа является низкое структурное совершенство растущего трубчатого кристалла вследствие прорастания дислокаций из подложки и переходной области "затравка-кристалл", а также образование и наследование дислокаций при взаимодействии растущего кристалла с поверхностью ростовой полости и профилирующего стержня.

Задачами изобретения являются повышение структурного совершенства трубчатого кристалла и универсальности способа.

Для решения данных задач предложен способ получения трубчатого кристалла карбида кремния, включающий сублимацию карбида кремния вдоль профилирующего стержня в ростовую полость, перекрытую затравочным монокристаллом, причем на начальной стадии процесса сублимацию осуществляют в полость, образованную стенкой ростовой полости и поверхностью конического наконечника профилирующего стержня, способного совершать движение относительно монокристаллической затравки, в том числе и в условиях электрического поля.

Согласно изобретению ростовая полость может быть заполнена жидкостью, а между затравочным кристаллом и наконечником инициируют электрический заряд.

Предлагаемое изобретение позволяет получить следующий технический результат:
1. Получать трубчатые монокристаллы с низкой плотностью дислокаций (ND < 104 см-2).

2. Получать трубчатые монокристаллы с любой формой поперечного сечения внутренней полости.

3. Получать трубчатые монокристаллы с эксцентричной полостью.

4. Получать затравки трубчатой формы.

5. Получать трубчатые монокристаллы с внутренней винтовой нарезкой.

6. Получать трубчатые гетерополитипные структуры, в частности политипа 4Н на затравочном кристалле 6Н-SiC.

На фиг.1 представлен один из возможных вариантов реализации способа.

На фиг.1 и в тексте приняты следующие обозначения:
1 - затравочный кристалл;
2 - растущий трубчатый кристалл;
3 - ростовая (кристаллизационная) ячейка;
4 - источник пара SiC;
5 - профилирующий стержень.

Способ осуществляется следующим образом.

Ростовая (кристаллизационная) ячейка 3 с затравочным кристаллом 1 и источником пара SiC 4 помещается в градиент температуры (фиг.2). При этом профилирующий стержень с коническим наконечником 5 перемещают по оси кристаллизационной ячейки до соприкосновения с затравочным кристаллом. В результате кристаллизации во внутренней полости трубчатого кристалла формируются наклонные грани кристалла, повторяющие форму конуса наконечника профилирующего стержня. Это способствует тому, что прямолинейные и наклонные дислокации, прорастающие из затравочного кристалла, а также образующиеся в переходной области "затравка-трубчатый кристалл", выклиниваются на наклонные грани и исключаются из процесса наследования. Таким образом, возможно получение трубчатого кристалла 2 высокого структурного совершенства (с низкой плотностью дислокаций).

Пример 1.

Трубчатый монокристалл карбида кремния выращивался в графитовой кристаллизационной ячейке. Диаметр ростовой полости был равен d=5 мм. В качестве затравочного кристалла использовался пластинчатый монокристалл SiC политипа 6Н, предварительно травленный в расплаве КОН. Рост осуществлялся на грани (0001) С в атмосфере аргона. Температура роста составляла Тр=2050oС. В ростовую полость вводился цилиндрический профилирующий стержень из графита с коническим наконечником. Угол растра конуса составлял α = 90°. Диаметр стержня составлял dc= 3 мм. Скорость роста трубчатого кристалла составляла vp≈0,5 мм/ч. Был выращен трубчатый монокристалл длиной L=5 мм. По данным рентгеновской топографии (метод Ланга) плотность дислокаций составляла ND≈8•102 см-2. По данным рентгеновской дифрактометрии выращенный монокристалл был 4Н-политипа.

Пример 2.

Ростовая полость диаметром d=6 мм кристаллизационной ячейки из графита, перекрытая с одной стороны затравочным монокристаллом 6Н-SiC, заполнялась керосином. Толщина затравки была h=5 мм, диаметр d3=10 мм.

В ростовую полость вводился профилирующий стержень из меди с винтовой нарезкой МЗ и конусным наконечником с углом растра α = 120°. Между профилирующим стержнем и затравкой прикладывалось напряжение Uxx=200В от RC-генератора для инициирования электрического разряда. Профилирующему стержню сообщалось вращательно-поступательное движение. В результате эксперимента был получен трубчатый монокристалл (затравка) с винтовой нарезкой внутри полости.

Таким образом, предлагаемое изобретение позволяет получать:
- трубчатые кристаллы карбида кремния с любой формой поперечного сечения внутренней полости, обладающих низкой плотностью дислокаций;
- трубчатые гетерополитипные структуры, в частности политипа 4Н на затравочном кристалле 6Н-SiC;
- монокристаллы трубчатой формы с внутренней винтовой нарезкой.

Похожие патенты RU2182607C2

название год авторы номер документа
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО SiC 2010
  • Авров Дмитрий Дмитриевич
  • Дорожкин Сергей Иванович
  • Лебедев Андрей Олегович
  • Таиров Юрий Михайлович
RU2433213C1
СПОСОБ ЭРОЗИОННОГО КОПИРОВАНИЯ КАРБИДОКРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР 2000
  • Карачинов В.А.
RU2189664C2
СПОСОБ РЕЗКИ ОБЪЕМНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ КАРБИДА КРЕМНИЯ 2001
  • Карачинов В.А.
RU2202135C2
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО SiC 2010
  • Авров Дмитрий Дмитриевич
  • Дорожкин Сергей Иванович
  • Лебедев Андрей Олегович
  • Лучинин Виктор Викторович
  • Посредник Олеся Валерьевна
  • Таиров Юрий Михайлович
  • Фадеев Алексей Юрьевич
RU2454491C2
Способ получения монокристаллического SiC 2023
  • Авров Дмитрий Дмитриевич
  • Андреева Наталья Владимировна
  • Быков Юрий Олегович
  • Латникова Наталья Михайловна
  • Лебедев Андрей Олегович
RU2811353C1
КРИСТАЛЛ SiC ДИАМЕТРОМ 100 мм И СПОСОБ ЕГО ВЫРАЩИВАНИЯ НА ВНЕОСЕВОЙ ЗАТРАВКЕ 2007
  • Леонард Роберт Тайлер
  • Брэди Марк
  • Паувел Эдриан
RU2418891C9
СУБЛИМАЦИОННЫЙ СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КАРБИДА КРЕМНИЯ И ИСТОЧНИК КАРБИДА КРЕМНИЯ ДЛЯ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ СПОСОБА 1996
  • Водаков Юрий Александрович
  • Мохов Евгений Николаевич
  • Рамм Марк Григорьевич
  • Роенков Александр Дмитриевич
  • Макаров Юрий Николаевич
  • Карпов Сергей Юрьевич
  • Рамм Марк Спиридонович
  • Темкин Леонид Иосифович
RU2094547C1
СПОСОБ ЭРОЗИОННОГО КОПИРОВАНИЯ КАРБИДОКРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР 2014
  • Карачинов Владимир Александрович
  • Бондарев Дмитрий Андреевич
RU2573622C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ КАРБИДА КРЕМНИЯ (ВАРИАНТЫ), СТРУКТУРА КАРБИДА КРЕМНИЯ (ВАРИАНТЫ) 1995
  • Владимир А.Дмитриев
  • Светлана В.Рендакова
  • Владимир А.Иванцов
  • Келвин Х. Картер
RU2142027C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЮВЕЛИРНОГО КАМНЯ 2023
  • Войтко Елена Николаевна
RU2808301C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 182 607 C2

Реферат патента 2002 года СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТРУБЧАТОГО КРИСТАЛЛА КАРБИДА КРЕМНИЯ

Изобретение относится к технологии электронного приборостроения, а именно к способам размерного профилирования кристаллов карбида кремния, и может быть использовано в микросистемной технике, оптоэлектронике и т.п. Сущность изобретения: предложен способ получения трубчатого кристалла карбида кремния, включающий сублимацию карбида кремния вдоль профилирующего стержня в ростовую полость, перекрытую затравочным монокристаллом, причем на начальной стадии процесса сублимацию осуществляют в полость, образованную стенкой ростовой полости и поверхностью конического наконечника профилирующего стержня, способного совершать движение относительно монокристаллической затравки, в том числе в условиях электрического поля. Техническим результатом предлагаемого изобретения является возможность получения: трубчатых монокристаллов с низкой плотностью дислокаций (ND<104 см-2); трубчатых монокристаллов с любой формой поперечного сечения внутренней полости; трубчатых монокристаллов с эксцентричной полостью; затравки трубчатой формы; трубчатых монокристаллов с внутренней винтовой нарезкой; трубчатых гетерополитипных структур, в частности политипа 4Н на затравочном кристалле 6Н-SiC. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

Формула изобретения RU 2 182 607 C2

1. Способ получения трубчатого кристалла карбида кремния, включающий сублимацию карбида кремния вдоль профилирующего стержня в ростовую полость, перекрытую затравочным монокристаллом, причем на начальной стадии процесса сублимацию осуществляют в полость, образованную стенкой ростовой полости и поверхностью конического наконечника профилирующего стержня, способного совершать движение относительно монокристаллической затравки. 2. Способ по п. 1, согласно которому процесс осуществляют в условиях электрического поля. 3. Способ по п. 1, согласно которому ростовую полость заполняют жидкостью, а между затравочным кристаллом и наконечником инициируют электрический разряд.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2002 года RU2182607C2

JP 09157091 А, 17.06.1997
Способ выращивания кристаллов карбида кремния и устройство для его осуществления 1989
  • Рыбкин Владимир Никонович
SU1663060A1
DE 3915053 А1, 15.11.1990
Коаксиальный резонатор 1978
  • Алимов Мидхат Вафинович
  • Носов Анатолий Александрович
  • Степанников Анатолий Дмитриевич
  • Юрьев Борис Сергеевич
SU801155A1

RU 2 182 607 C2

Авторы

Карачинов В.А.

Даты

2002-05-20Публикация

2000-07-24Подача