СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГЛУБОКОПРОФИЛИРОВАННЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР Российский патент 2011 года по МПК H01L21/308 

Описание патента на изобретение RU2437181C1

Изобретение относится к приборостроению и может применяться при изготовлении полупроводниковых микромеханических устройств, например чувствительных элементов интегральных датчиков.

Известен способ изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур [1], заключающийся в том, что на защитный слой кремниевой пластины наносят фоторезист, при помощи фотолитографии формируют контур в фоторезисте, удаляют защитный слой в контуре фоторезиста до появления кремния, вытравливают кремний до нужной глубины, после чего производят повторные операции до формирования в кремнии заданного профиля.

Недостатками известного способа являются:

- неравномерность нанесения пленки фоторезиста на полученную рельефную поверхность;

- разрывы пленки фоторезиста на острых кромках травленной поверхности;

- большая толщина в протравленных канавках.

Это приводит к большой трудоемкости проведения операции фотолитографии и к большому количеству брака.

Прототипом предлагаемого технического решения является способ [2], при котором формируют структуру заданного профиля в защитном слое при помощи последовательных операций фотолитографии и травления, создают заданный профиль в кремнии путем чередования операций травления защитного слоя и кремния.

Недостатком такого способа является сложность и неточность совмещения фотошаблонов при 2-й и последующих операциях фотолитографии относительно контура, сформированного после 1-й фотолитографии. Трудности совмещения фотошаблонов возникает из-за недостаточной видимости контура через нанесенный фоторезист.

Задачей изобретения является повышение точности изготовления глубо-копрофилированных кремниевых структур.

Поставленная задача решается за счет того, что в способе изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур, заключающемся в создании на кремниевой пластине защитного слоя, формировании в нем последовательными операциями фотолитографии и травления структуры заданного профиля до появления кремния в области максимальной глубины структуры и последующем чередовании травления кремния и оставшегося защитного слоя до получения в кремнии заданного профиля, согласно изобретению после создания защитного слоя и перед первой операцией фотолитографии на поверхности защитного слоя создают контрастный слой из материала, отличающегося от материала защитного слоя, а после каждой операции фотолитографии перед травлением защитного слоя стравливают контрастный слой.

Существенным отличием предложенного способа от известного является создание контрастного слоя из материала, отличающегося от материала защитного слоя, в результате чего сформировавшийся контур в защитном слое после 1-й фотолитографии отчетливо виден на фоне контрастного слоя, что повышает точность создания глубокопрофилированных кремниевых структур за счет уменьшения погрешности совмещения фотошаблонов.

На чертежах фиг.1-10 показана последовательность операций, применяемых для реализации предложенного способа. На кремниевой пластине 1 создается защитный слой 2, на котором расположен контрастный слой 3. Поверх контрастного слоя 3 нанесен фоторезист 4, в котором формируются окна 5 и образуется структура 6 заданного профиля 7.

Пример реализации предложенного способа описан ниже.

На кремниевой пластине 1 создают защитный слой 2, например, из пленки окисла кремния толщиной 2 мкм (фиг.1). На защитный слой 2 наносят контрастный слой 3, например, из пленки алюминия толщиной 1 мкм (фиг.2). Проводят операцию фотолитографии, заключающуюся в нанесении фоторезиста 4 на контрастный слой 3 (фиг.3), экспонировании через фотошаблон, проявлении и термообработке фоторезиста 4. На фиг.4 изображены сформированные окна 5 в фоторезисте 4 после его проявления. В местах сформированных окон 5 стравливают контрастный слой 3 до появления защитного слоя 2 (фиг.5). Затем вытравливают защитный слой 2 до нужной глубины (фиг.6) и удаляют оставшуюся пленку фоторезиста 4 со всей пластины 1. Последовательными операциями фотолитографии и травления формируют структуру 6 заданного профиля в защитном слое 2 кремниевой пластины 1 (фиг.7) до появления кремния в области максимальной глубины структуры 6 заданного профиля, после чего смывают фоторезист 4 и удаляют контрастный слой 3 (фиг.8). В травителях, не реагирующих или плохо реагирующих с защитным слоем 2, вытравливают кремний до нужной глубины (фиг.9). Затем, чередуя травление защитного слоя 2 до вскрытия следующего контура и травление кремния, получают заданный профиль 7 в кремнии, после чего удаляют весь защитный слой 2 с кремниевой пластины 1 (фиг.10).

В результате применения предложенного способа повысилась точность изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур.

Источники информации

1. Пресс Ф.П. Фотолитографические методы в технологии полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. - М.: Советское радио, 1978, с.78, 79.

2. Авторское свидетельство СССР 1228720, кл. H01L 21/306, опубл. 1995 (прототип).

Похожие патенты RU2437181C1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГЛУБОКОПРОФИЛИРОВАННЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР 2014
  • Пауткин Валерий Евгеньевич
  • Козин Сергей Алексеевич
RU2572288C1
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ГЛУБОКОПРОФИЛИРОВАННЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР 2018
  • Гусев Евгений Эдуардович
  • Дюжев Николай Алексеевич
  • Колтаков Сергей Владимирович
  • Есенкин Кирилл Сергеевич
RU2691162C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГЛУБОКОПРОФИЛИРОВАННЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР 2013
  • Тимошенков Сергей Петрович
  • Шилов Валерий Федорович
  • Рапидов Михаил Ольгердович
  • Миронов Сергей Геннадьевич
  • Тимошенков Алексей Сергеевич
  • Рубчиц Вадим Григорьевич
RU2539767C1
Способ изготовления глубокопрофильных многоуровневых микроструктур в кварцевом стекле 2023
  • Родионов Илья Анатольевич
  • Андроник Михаил
  • Константинова Татьяна Григорьевна
  • Баклыков Дмитрий Алексеевич
  • Стукалова Виктория Евгеньевна
RU2804791C1
Способ изготовления профилированных кремниевых структур 2019
  • Пауткин Валерий Евгеньевич
  • Мишанин Александр Евгеньевич
  • Крайнова Ольга Михайловна
  • Лифанова Ания Зиннатулловна
RU2730104C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГИБКОЙ МИКРОПЕЧАТНОЙ ПЛАТЫ 2014
  • Тимошенков Сергей Петрович
  • Шилов Валерий Федорович
  • Миронов Сергей Геннадьевич
  • Киргизов Сергей Викторович
  • Тихонов Кирилл Семенович
  • Долговых Юрий Геннадьевич
  • Вертянов Денис Васильевич
  • Тимошенков Алексей Сергеевич
  • Титов Андрей Юрьевич
RU2556697C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГИБКОЙ МИКРОПЕЧАТНОЙ ПЛАТЫ 2012
  • Тимошенков Сергей Петрович
  • Шилов Валерий Федорович
  • Миронов Сергей Геннадьевич
  • Киргизов Сергей Викторович
  • Тихонов Кирилл Семенович
  • Долговых Юрий Геннадьевич
  • Вертянов Денис Васильевич
  • Тимошенков Алексей Сергеевич
  • Титов Андрей Юрьевич
RU2520568C1
Способ изготовления упругих элементов микромеханических датчиков 2016
  • Пауткин Валерий Евгеньевич
  • Мишанин Александр Евгеньевич
RU2648287C1
Способ изготовления глубокопрофилированных структур в кремниевой пластине 2017
  • Шипунов Андрей Николаевич
  • Былинкин Сергей Федорович
  • Гаврилов Александр Александрович
RU2680264C1
Способ вскрытия локальных участков в окисленной поверхности полупроводниковой пластины 1977
  • Глущенко В.Н.
  • Косенко А.Н.
SU668510A1

Иллюстрации к изобретению RU 2 437 181 C1

Реферат патента 2011 года СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГЛУБОКОПРОФИЛИРОВАННЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР

Изобретение относится к приборостроению и может применяться при изготовлении полупроводниковых микромеханических устройств, например чувствительных элементов интегральных датчиков. Сущность изобретения: в способе изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур на кремниевой пластине создают защитный слой, формируют в нем последовательными операциями фотолитографии и травления структуру заданного профиля до появления кремния в области ее максимальной глубины, а затем по очереди травят кремний и оставшийся защитный слой до получения заданного профиля. Согласно изобретению после создания защитного слоя и перед первой операцией фотолитографии по поверхности защитного слоя создают контрастный слой из материала, отличающегося от материала защитного слоя, а после каждой операции фотолитографии перед травлением защитного слоя стравливают контрастный слой. Изобретение обеспечивает повышение точности изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур. 10 ил.

Формула изобретения RU 2 437 181 C1

Способ изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур, заключающийся в создании на кремниевой пластине защитного слоя, формировании в нем последовательными операциями фотолитографии и травления структуры заданного профиля до появления кремния в области максимальной глубины структуры и последующем чередовании травления кремния и оставшегося защитного слоя до получения в кремнии заданного профиля, отличающийся тем, что после создания защитного слоя и перед первой операцией фотолитографии на поверхности защитного слоя создают контрастный слой из материала, отличающегося от материала защитного слоя, а после каждой операции фотолитографии перед травлением защитного слоя стравливают контрастный слой.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2011 года RU2437181C1

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РЕЛЬЕФНЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР 1984
  • Хасков А.В.
  • Козин С.А.
  • Чистякова Т.Г.
SU1228720A1
СПОСОБ ФОТОЛИТОГРАФИИ 0
  • Н. Н. Беспутина
SU385354A1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РЕЛЬЕФА В ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПОДЛОЖКЕ 1994
  • Корж И.А.
RU2079865C1

RU 2 437 181 C1

Авторы

Былинкин Сергей Федорович

Шипунов Андрей Николаевич

Даты

2011-12-20Публикация

2010-08-20Подача