Постоянное запоминающее устройство Советский патент 1985 года по МПК G11C17/00 

1 Изобретение относится к sanoNWнающим устройствам, в частности к электрически программируем 1м постоянным запоминающим устройствам, и может быть использовано в автоматике и вычислительной технике. Целью изобретения является повышение информационной емкости запоминающего устройства. На чертеже представлена структур ная схема предлагаемого устройства Устройство содержит первый накоп тель 1|, имеющий входы первой группы 2 (входы старших разрядов адреса) к входы второй группы 3 (входы младших разрядов адреса), второй накопитель 4, третий накопитель 5, четвертый накопитель 6, блок сравнения 7, ко входам.первой группы которого подключены выходы третьего накопителя 5. а ко вхопам второй группы - входы первой группы 2 первого накопителя 1, дешифратор 8 вхбды первой группы которого соединены с выходами блока сравнения 7, а входы второй группы - с выходами четвертого накопителя 6, и коммутатор 9, к входам первой группы котор го подключены выходы первого накопи теля 1, к входам второй группы - вы ходы второго накопителя 4 и ко входам третьей группы - выходы дешифратора 8. Выходы 10 коммутатора 9 являются информационными выходами устрой&тза. Ко входам второго 4, третьего 5 и четвертого 6 накопителей подключены входы первой группы 2 первого накопителя t. Первый накопитель 1 состоит из М„ -разрядных ячеек и условно разбит на равных блоков, содержащих по ячеек. Каждое слово услов но разбивается на - г -разрядных слогов. Обращение к первому накопителю 1 производится таким образом, что старшие разряды адреса, поступающие на входы первой группы 2 накопителя I, указывают номер блока, а младшие разряды адреса. Поступающие на входы второй группы 2 - номер ячейки в блоке, Для старших разрядов адреса отводится « разрядов адреса, а для младших (;г2 разрядов. Второй накопитель 4 состоит из 5 г-разрядных ячеек, третий накопитель 5 - из 5 (л-разрядных ячеек, четвертый 6 нако 7 , 2 питель - из 3 -разрядных ячеек. Слог длиной г- разрядов называется дефектным, если он содержит .хотя бы один отказавший разряд. Дефектные слоги слов первого накопителя 1 подменяются истинными слогами, хранимыми во втором накопителе 4, а третий 5 и Четвертый 6 накопители хранят янформацию, необходимую для определения места подмены. Для этого в третий накопитель 5 по адресу, образованному из младших разрядов адреса ячейки первого накопителя 1 , записывают старшие разряды адреса ячайки, в которой необходимо осуществить подмену, а в четвертый 6 накопитель аналогичным образом записывают .номер подменяемого слога в слове. Другимн словами, в третьем накопителе 5 хранятся коды номеров блоков, в четвертом 6 накопителе - номера слогов (каждое слово состоит из слогов с номерами от О до ( 1)-го, содержащих дефекты. Обращение ко всем четырем накопителям производится одновременно. При Чтении информации из деф е1 :тной ячейки первого накопителя 1 номер слога, считанный из четвертого 6 накопителя дешифрируется дешифратором 8 и, если старшие разряды адреса ячейки первого -накопителя 1 совпадают С кодом, считанным из третьего накопителя 5 (этоопределяется блоком сравнения 7), то с помощью коммутатора 9 осуществляется подмена дефектного слога ячейки первого накопителя 1 кодом, считайным из второго накопителя 4, Таким образом, в устройстве возможна подмена дефектных слогов первого накопителя 1, причем слово, хранимое в накопителе 1, может содержать не более оДного дефектного слога. Кроме того, первый накопитель 1 не до.пгжен содержать и более одноименных слов (слов, принадлежащих различным блокам, у которь.гх младшие разряды адреса-совпадают), содержащих отказы. Если в считанных из накопителя 1 словах необходимо подменить более одного слога, то это легко осуц.(ествить путем увеличения разрядности накопителей 4 и 6 (накопитель 5 при зтом остается без изменений). При подмене v слогов в считанном слове во втором 4 нако-

3

пителе необходимо хранись w -разрядные коды, а в четвертом 6 накопителе - V (о -разрядные. Кроме

того, необходимо иметь либо v дешифраторов 8, либо считанные из накопителя 6 слова разбивать на

f -разрядные группы и дешифрировать их последовательно.

ЕСЛИ накопитель 1 построен на полупроводниковых микросхемах, то подмену удобно осзтцествлять слогами, длина которых равна длине ячейки микросхем, а накопитель 1 разбивать на блоки так, чтобы количество слов, входящих в блок, равнялось количеству ячеек микросхемы. Тогда накопитель 1 не должен содержать две и более микросхем, имеющих дефекты в одноименных ячейках. Подбор микросхем, удовлетворяющих последнему условию, легко осуществить с привлечением ЭВМ.

В качестве накопителей 4-6 можно использовать такие же элементы памяти, как и в первом накопителе 1, т.е содержащие дефекты. Но если какая-то ячейка одного из накопителей 4-6 содержит дефект, то одноименные ячейки дв)тс других накопителей не могут быть использованы для записи в них информации, а, следовательно, и одноименные ячейки всех блоков первого накопителя (по отношению к рассматриваемой ячейке) не должны содержать дефекты:

П р и мер. Пусть первый нако(питель 1 имеет емкость .4К 32-разрядных слов и условно разбит на блоки по 256 ячеек в каждом, а ячейка

59067 4

состоит из восьми 4-разряДных слогов При этом накопители 4 и 5 имеют емкость 256 4-разрядных слов каждый, а накопитель 6 - 256 3-разрядных 5 . слов. . .

Предположим, что в ячейках первого накопителя 1 с адресами А, 10011001.1111-, Ag 101100110110АЗ IIOllOIOOIIO; А 001011010010 имею1тся дефектные слоги, номера ко- торых 1,3,4,7 соответственно (каждая отмеченная ячейка накопителя 1 содержит по одному дефектному слогу) . Тогда во второй накопитель 4 по адресам.

а- 10011111; aj 00110110; а, 101001lOj а 11010010, образованными из младших разрядов адресов соответствующих ячеек первого накопителя 1, записывают информацию, используемую для подмены, в четвертьгй накопитель 6 по тем же адресам записывают коды 001, 011, lOO, 111, а в третий 5 накопитель коды 1001, 1011, 1101, 0010 соответственно. При обращении к адресам А,

первого накопителя 1

АЗ и А

2 происходит обращение к адресам а

-1

и а накопителей 4-6. Накопиа, ад

|тель 5 вьщает старшие разряды адреса, блок сравнения 7 разрешает дешифрованные номера слога, подлежащего подмене, а коммутатор 9 подменяет дефектный слог слогом, считанным из второго 4 накопителя. Таким образом, в рассмотренном примере можно подменить 256 4-разрядных слогов первого накопителя 1, содержащих дефекты.

ПОСТОЯННОЕ ЗАПОШНАЮЩЕТ: УСТРОЙСТВО, содержащее первый накопитель, выходы которого соединены со входами первой группы коммутатора, выходы которого являются информационными выходами устройства, входы, первой и второй групп накопителя являются адресньми входами ййЫШОГВй. первой и второй групп устройства, второй, третий и четвертый накопители, входы которых объединены, выходы второго накопителя соединены со входами второй группы коммутатора, выходы третьего накопителя соединены со входами первой группы блока сравнения, входы второй группы которого соединены со входами первой группы первого накопителя, о т.л ичающеёся тем, чта, с целью повышения информационной емкости запоминающего устройства, оно содержит дешифратор, выходы которого соединены со входами третьей группы коммутатора, а вход| первой и второй групп - с выходами соответственно блока сравнения и четвертого накопителя, входы второго, третьего и четвертого накопителей соединены со входами второй группы первого накопителя.