Способ изготовления матриц для электроформования плоских изделий Советский патент 1986 года по МПК C25D1/10 

i

Изобретение относится к технологии производства радиотехнических изделий и может быть использовано при изготовлении методом гальванопластики диафрагм для волноводных фильтров аппаратуры радиосвязи, а также в электронной промьшленности в мелкосерийном производстве плоских деталей методом гальванопластики типа прокладок, шин, контактов, стрелок, планок, перемычек, лепестков, шайб, пластинок и т.д.

Целью изобретения является повышение толщины формообразующей поверхности матрицы.

Сущность предлагаемого способа изготовления матриц для электроформования плоских изделий заключается в том, что на металлическую подложку после обезжиривания, декопирования и нанесения фоторезиста наносят слой 7КИДКОЙ фотополимерной композиции и экспонируют путем облучения источником света с длиной волны 300-400 нм, а затем после проявления и сушки осуществляют дополнительное облучение в течение 10-20 мин тем же источником облучения, причем соотношение толщин фоторезистивного и фотополимерного слоев копировального рельефа соответствует 1:20-1:25, при этом в качестве фотополимерной композиции используют композицию на основе поли меризационноспособных олигомеров с мол.массой 200-2000, включающих те же функциональные группы, что и фоторезист, В качестве подложки .могут использоваться различные металлы, например, титан, медь и др,

Пример, На нагретую до 60- 90 С металлическую подложку после обезжиривания и декопирования наносили методом окунания или накатки слой фоторезиста толщиной 30-40 мкм, после этого подложку прикрепляли к одному из стекол формующе-копироваль- ной рамы, к другому стеклу прикрепляли фотошаблон. Затем готовили фотопо- лимеризующуюся композицию на основе полимеризационноспособных олигомеров и после тщательного перемешивания и дезаэрации, ее заливали в полость формующе-копировальной , снабжен212561

ной ограничителями толщины и растекания композиции при соотношении толщин слоев от I:20 до 1:25, экспонировали, люминесцентными лампами типа 5 ЛУФ-80 (УФ-облучение с длиной волны 300-400 нм) в течение 10-20 мин. После экспонирования незаполимеризовав- шуюся часть композиции сливают, раму демонтируют и осуществляют прояв0 ление обработкой соответствующими растворами. Затем проводят дополнительное облучение тем же источником света в течение 10-20 мин, после чего, осуществляют сушку в течение 1015 15 мин,что приводит к упрочнению рельефа и высокой адгезии между слоями.

Конкретные примеры приведены в таблице,

0 Для сравнения опробован известный способ с целью получения матриц с большой толщиной копировального рельефа за счет многократного нанесения слоев,

5. Для этого на подложку из стали

марки 12X18Н1ОТ нанесли слой негативного фоторезиста, слой предварительно активировали одной вспьщ1кой (лампа ЛУФ-80), после чего на него на-

0 несли слой триакрилатпеитаэритрита толщиной 1-2 мкм. Затем нанесли слой сухого пленочного фоторезиста СПФ-2,

Однако при нанесении 5-го слоя наблюдались коробление поверхности,

5 отслаивание и вздутие слоев,.ввиду чего нанесение последующих слоев прекращено. Операции повторяли пять раз, и каждый раз наблюдались указанные явления пЬсле 4-го или 6-го слоев.

0 Таким образом, получение матрицы по известной технологии с формообра- зующим рельефом толщиной свьщге . 250 мкм невозможно.

Как видно из приведенных данных,

5 пpeдлaгae ый способ обеспечивает получение матриц с большой толщиной формообразующего рельефа, что позволяет использовать его для гальванопластического изготовления более щиQ рокой номенклатуры деталей, в частности в радиотехнической и электронной промьщ|ленности в мелкосерийном производстве плоских деталей.

триэтнлен- 4.Отверднтеяь гликоля 0;4 УФ-02

си

уретаковый форполямер 1,0

5.Порофор 4x3

57-0,05

6.Спорт этиловый ректификованный тех- яический 1,00

т

смесь метид.этилкетона,

хлористого

метипеиа

1,55

То же

1.602-ный сти-На ланииа- 15 рольный ра- торе пря створ поли- 80 С атилеигли- кольмалеии- Давление атадинииа- прижимных та (ПЭМА) валков

о.ЩHO- R -0-C-RC-O-R -0-С- О О

-сн-сн-с-о -н

II

в пересчете яа 100 вес.ч. 69,0

Спирт:Аце- 10 Tow3:l 2, раствор

300

5Х-ный

раствор

Na08

10

450

о.Щ см

3 Листы титана и ти- ТФПК таяового сплава

ие ТМС

ьность

в -ной й

Сополимер бутипмета- крилата с метакриловой кислотой 75,0

полиэфир ТГМ-3 20,0

хлорантра- хияон перекис бензоина 0,5

касторовое масло 2,0

метялфиолетовый

0,05

На основе оли- На ламина- гоуретанакри- торе.Дав- лата по при- ление примеру 1 жимных валиков

3-5

кгс см

таль 12X18Н1от езким обработки по римеру 1

смесь ацетона и этанола 2,45

ТФПК

на основе сополимера бутилмета- крилата с метакрило- вой кислотой по примеру 3

На основе по- лиэтилен- гликольмале- инатадипина- та по примеру 2

Продолжение таблицы

12

Спирт:аце- 15

550

3-5

кгс см

15

Последова- 10 тельно Т.Бензин или этил- ацетат li Зг-ный NaOH

450

Составитель Л.Казакова Редактор М.Недолуженко Техред А.Алиев Корректор М.Самборская

Заказ 1554/35 Тираж 615 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобре- ений и открытий 113035, Москва, Ж-45, Раушская наб,, д. 4/5

Филиал 111111 Патент, г. Ужгород, ул.Проектная, 4

Продолхеяне таблицы