Способ определения фона в рентгенофлуоресцентном анализе сложных по составу сред Советский патент 1986 года по МПК G01N23/223 

Изобретение относится к способам рентгенофлуоресцентного анализа состава сложных, многоэлементных сред и может быть использовано в геологии, цветной металлургии и т.д.

Цель изобретения - повышение точности определения фона при многоэлементном анализе.

При проведении многоэлементного

анализа с использованием ПГЩ величи- С форму измерительной кюветы. Значение

на фона ) в области аналитических линий определяемых элементов зависит от ряда факторов. Так при использовании изотопа Со -109 и проведении анализа в интервале энергии 5-18 кэВ интенсивность Jcp i, фона под t -ой аналитической линией запишется

DcpL --Зоб - f Ki,j. iCfci 3 кц р; % :jl

Ло1 - постоянная составляющая фона под t -ой линией; 3j - интенсивность характеристических линий мешающих элементов; Зо - интенсивность когерентно

где

)ИЩ1ента К «1 определяют при измерении мишени из элемента, энергия К -края поглощения которого близкаJ но меньше энергии первич -i ного излучения.

Пример . На установке, состоя щей из кремний-литиевого ППД с размерами чувствительной области кристалла 80 мм X 4 мм, спектрометричес20 кого устройства СЭС 2-03,, многока- напьиого анализатора АИ-096-90, Са-109 активностью порядка 10 мКюри, проводятся измерения фона на месте аналитических линий молибдена и

25 иттрия по прототипу и предлагае м способам. Эталонные пробы приготавливают на основе разных наполнителей (СаО, 51.0,) со следующим содеррассеянного излучения ис25 иттрия по прототипу и предлагае м способам. Эталонные пробы приготавливают на основе разных наполнителей (СаО, 51.0,) со следующим содер точника (К-серии А ); - интенсивность некогерент- жанием мешакидих и опр еделяемых элено рассеянного излучения 30 ментовsHo i 0,0001%, Т 0,0001%, источника;:ZpO,1%VSr 0,3%, Nb 0,1%,

Когерентно рассеянное излучение моделируется с помощью характеристического излучения ненасыщенной по 3J тол1цине мишени из элемента, энергия К-края поглощения которого близка, но меньше энергии первичного излучения. При использовании изотопа Со -109 в качестве мишени выбран рутений.

,Hfc

J - интенсивность некогерентно рассеянного излучения источника с энергией 88,5 кэВ;

Klj,Kfct,I Mitl- постоянные коэффициенты, определяющие вклад в область t -ой аналитической линии соответственно

аналитической линии J-ого 40 Соединение высаживается на фильтромешающего элемента, ко- геретно и некогерентно рассеянных квантов. Коэффициенты k L J , Кц1 1 нк1 определяют вклад соответствующих излучений в аналитическую область, они зависят от интегральной загрузки спектрометра и геометрических условий проведения измерений.

Сущность изобретения состоит в создании условий наиболее точного измерения коэффициентов вклада путем приближения их к условиям анализа исследуемых проб и однозначного вцделения различных компонентов вторичного излучения. Для этого изме

6882

ренне значения КIj , KHK.L и производят при измерении эталонны:-; проб, содержащих мешающие элементы с такой поверхностной плотностью, которая обеспечивает интегральную загрузку спектрометра5 приблизительно равную интегральной загрузке, возникающей при анализе реальных проб. При этом форма элементов имеет

)ИЩ1ента К «1 определяют при измерении мишени из элемента, энергия К -края поглощения которого близкаJ но меньше энергии первичного излучения.

Пример . На установке, состоящей из кремний-литиевого ППД с размерами чувствительной области кристалла 80 мм X 4 мм, спектрометрического устройства СЭС 2-03,, многока- напьиого анализатора АИ-096-90, Са-109 активностью порядка 10 мКюри, проводятся измерения фона на месте аналитических линий молибдена и

иттрия по прототипу и предлагае м способам. Эталонные пробы приготавливают на основе разных наполнителей (СаО, 51.0,) со следующим содержанием мешакидих и опр еделяемых элевальную бумагу, амекивую форму измерительной кюветы. Толщина осадка выбирается из условия получения интегральной загрузки спектрометра приблизительно равной загрузке при анализе реальяьш проб. Спектр вторичного излучения от мишени содержит практически только излучение К-серии , Результаты сведены в таблицу,

из которой видно, что точность определения фона существенно повьшается при определении о предлагаемым способом (М,рцо , Меру - рассчитанные значения фона на месте линий MoKet и

YKut McpMojNcpY измеренные значения фона.

Наполнитель

|По прототипу

/ ФУ NcpK /NcpMo U.Y ..

Формула изобретения

Способ определения фона в рентге- нофлуаресцентном анализе сложных по составу сред, заключакицийся в нахождении коэффициентов вклада в фон на месте аналитических линий определяемых элементов.отдельно от некогерент- ио и когерентно рассеянного первичного излучения, причем коэффициенты вклада от некогерентно рассеянного излучения и от мешаклцих элементов находят по результатам измерения спектров вторичного излучения от эталонных проб, измерении интенсив- ностей некогерентно и когерентно рассеянного анализируемой пробой первичного излучения .и аналитических линий

Редактор И. Касарда Заказ 1943/42

Составитель М. Викторов

Техред В. Корректор А. Тяско

Тираж 778Подписное

ВНИИПИ-Государственного комитета СССР

по делам изобретений -к открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г.. Ужгород, ул. Проектная, 4

По предлагаемому способу

0

0

5

мешакицих элементов, по которым вычисляют фон с учетом коэффициентов вклада, отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения фона при многоэлементном анализе, приготавливают эталонные пробы в виде излучающих слоев с поверхностной плотностью, обеспечивающей интегральную-загрузку регистрирующей аппаратуры, приблизительно равг- ную интегральной разгрузке, возникающей при анализе реальных проб, и имеющих форму измерительной кюветы, а для определения вклада в фон от когерентно рассеянного излучения используют мишень из элемента,энергия К-края поглощения которого близка,но меньше энергии первичного излучения.

Изобретение относится к рентге- нофлуоресцентному анализу сложных по составу сред и заключается в нахождении коэффициентов вклада в фон на месте аналитических линий определяемых элементов отдельно от когерентно и некогерентно рассеянного первичного излучения с помощью эталонных проб. Для повьшения точности определения фона эталонные пробы выбирают с поверхностной плотностью, которая обеспечивает интегральную загрузку с регистрирующей аппаратуры, примерно равную загрузке при анализе проб, и /Л для определения вклада в фон от когерентно рассеянного излучения используют мишень из элемента, энергия -края поглощения которого близка, но меньше энергии первичного излучения. 1 табл.| ьо й о 00 00