Способ определения статических искажений кристаллической решетки Советский патент 1989 года по МПК G01N23/20 

Изобретение относится к физическому материаловедению, в частности к средствам контроля структуры материалов с помощью дифракции рентгеновских лучей.

Цель изобретения - повышение точности определения средней величины статических искажений в листовых материалах, обладающих текстурой прокатки.

Пример. Исследование с атичес- ких искажений в стальном листе,

Образцы готовят следующим образом.

Из стали 08КП собирают стопку листовых образцов (19x19) с одинаковым расположением направления прокатки, выполняют срез стопки по плоскости, составляющей одинаковые углы с направлением прокатки, нормалью к плоскости прокатки и поперечным направлением.

Затем производят съемку текстурограмм по методу отражения с этого среза для двух порядков отражения от одной плоскости (110) и (220) и определяют интегральную интенсивность в пределах 1/4 полюсной фигуры. Текстурные кри-г вые записывают при непрерывном вращении вокруг горизонтальной oi и наклоняемой В осей в процессе рентгенов- ской съемки с ПОМОРЬЮ дифрактометра типа ДРОН на приставке ГП-4 для исследования текстуры.

Расчет суммарной интенсивности линии (110) по кривым тестурограммы производят по формуле

h

1

h,1

Пэт)

Л; 2 sinol;, (1)

|где

;:

- - Т

1

&i

(2)

25

30

В выражениях (1) и (2) ol - угол наклона вокруг оси ci плоскости образца к плоскости первичного и отраженного лучей при съемке текстуро- граммы. Величины Ь; соответствуют углу наклона образца за один его полный оборот вокруг наклоняемой оси В при рентгеновской съемке для ot; меньше 35 . При ot больше 35° Ь- выбирается так, чтобы полностью перекрыть 1/4 поверхности полюсной фигуры. Величины S; и h- определяются по текстурным кривым образцов и эталонов.

Аналогично рассчитывается суммарная интенсивность интерференции (220) I t270l и I TC72o).

Усредненная по всем возможным направлениям величина статических искажений U кристаллической решетки текстурованных образцов рассчитывается по формуле45

35

40

у2 3i .1 lIjLrA«oL 1С«о) 1 эт(ио)

.(3)

Результаты определения статических искажений кристаллической решетки в листовой стали 08КП известным и предложенным способами представлены в таблице.

5 Q

5

0

5

Формула изобретения Способ определения статических искажений кристаллической решетки, включающий определение отношения интенсивности дифракционных рентгеновских линий двух порядков отражения (n(k,-li() и () от одной кристаллографической плоскости, о т л и - ч аю щийс я тем, что, с целью повышения точности определения средней величины статических искажений в листовых материалах, обладающих ь текстурой прокатки, собирают стопку листовых образцов с одинаковым расположением направления прокатки, выполняют срез стопки по плоскости, составляющей одинаковые углы с направлением прокатки, нормалью к плоскости прокатки и перпендикулярным к ним направлением, с этого среза для двух порядков отражения от одной плоскости производят съемку те кстурограмм по методу отражения, определяют интегральную интенсивность в пределах 1/4 прямой полюсной фигуры и вычисляют статические искажения из соотношения

47:

In

I(n1k,l, )(n4kal4}. lln l -LyrC k,,)

где

т / i i c-h.(nkl) „ . . . I(nkl)(i) ,

71-4

эт

5

5

0

0

h;(nkl) S,-(nkl)/A-, ;

cxf; - угол наклона плоскости образца к плоскости первичного и отраженного лучей при съемке текстурограмм при i-м наклоне образца вокруг оси наклона oi i А; - угол наклона образца за один

его полный оборот вокруг оси В; S (nkl )-суммарная интенсивность дифракционных лучей за i-й оборот вокруг наклоняемой оси, определяемая по текстурограм- мам, интерференции ( и

I (nkl).

1ЭТ (nkl) - интенсивность линий (n(k,l,) и () образцов и эталон, нов,

а - период кристаллической решетки.

(n2k4la);

Среднее значение

Изобретение относится к физическому материаловедению ,в частности, к средствам контроля структуры материалов с помощью дифракции рентгеновских лучей. Цель изобретения состоит в повышении точности определения средней величины статических искажений в листовых материалах, обладающих текстурой прокатки. Интегральную интенсивность дифракционных линий двух порядков отражений определяют по текстурограммам, записанным в условиях непрерывного вращения образца вокруг оси β и одновременного наклона вокруг оси α. Образец, применяемый при реализации способа, выполняют в виде стопки листовых отрезков, уложенных с одинаковой ориентацией направления прокатки. На стопке выполняют эквинаклонный срез, образующий одинаковые углы с направлением прокатки, нормалью к плоскости прокатки и перпендикулярным к ним направлением , который подвергают рентгенографированию. Достигаемое указанными средствами усреднение обеспечивает более высокую точность и достоверность результатов.

U2

Средняя квадратичная ошибка

&4iF

Относительная среднеквадратичная ошибка, %

А(4Ј). (W)

0,1010 0,10035

0,00883 0,00208

8,74

2,073