Фритта для эмалевого покрытия по стали Советский патент 1990 года по МПК C03C8/02 

Изобретение относится к технологии силикатов и предназначено для создания изоляционных покрытий на стальных подложках коммутационных плат, используемых в электронных приборах .

Цель изобретения - снижение тангенса угла диэлектрических потерь.

Синтез фритты проводят в газовой пламенной печи при 1400 С с выдержкой при данной температуре 1 ч. В качестве сырьевых материалов используют кварцевый песок, глинозем, борную кислоту, углекислый барий, углекислый кальцин, оксид циркония, оксид хрома, оксид ванадия (V), оксид кобальта (ill).

Пример 1, Состав фритты для эмалевого покрытия содержит следующие компоненты, мас„%: Si02 19,8;

AltO, 6,7; ВгО, 6,0; ВаО 48,2; СггО, 0,3; VZ05 1,9; СогОэ 1,0; СаО 15,9;

ZrOel,2.

Сырьевые материалы взвешивают на технических весах и тщательно перемешивают. Готовую шихту засыпают в корундизовые тигли и помещают в газовую печь. Скорость подъема температуры в печи 250°С в час. Время выдержки при максимальной температуре варки (1400°С) I ч. Сваренную стекломассу выливают на воду для получения гранулята, который затем высушивают и размалывают в планетарной мельнице. Нанесение изолирующих покрытий на пластины из нержавеющей стали марки 15Х25Т проводят методом электрофоре тическр го огаждения из суспензии на основе изобутилового спирта.)

ел

со

4ь

00

Подложки с нанесенным покрытием сушат в муфельной печи при 100°С в течение 30 мин, затем обжигают в электрической печи при 750 Со В процессе обжига происходит оплавление и кристаллизация покрытия с выделением в качестве основной кристаллической фазы об -цельзиана.

Синтез фритты остальных составов, а также нанесение изолирующих покрытий проводится аналогично приведенному примеру.

,Јоставы фритт приведены в табл. 1 , их физико-механические свойства - в табло 2.

Таким образом, использование предлагаемого состава с низкими значениями диэлектрических потерь и диэлектрической проницаемости для создания изолирующих покрытий стальных подложек коммутационных плат обеспечивает повышение степени на

дежности и долговечности радиэлект- роннои аппаратуры.

Формула изобретения

Фритта для эмалевого покрытия по стали, включающая Si02, А140Э, Ва03, ВаО, СггО,, VZ0, Со203, RO, отличающаяся тем, что, с целью снижения тангенса угла диэлектрических потерь, она в качестве RO содержит СаО и дополнительно содержит Zr04 при следующем соотношении компонентов, мас.%:

0

Б10г А140Э

,

ВаО Сг20, Сог03 СаО Zr02 Таблица

17,3-21,1 3,6-8,4 5,6-7,2

44,7-51,5 0,3-0,9 0,8-1,9 0,3-1,0 7,8-21,0 1,2-4,9

1

Изобретение относится к технологии силикатов и предназначено для создания изоляционных покрытий на стальных подложках коммутационных плат. С целью снижения тангенса угла диэлектрических потерь фритта для эмалевого покрытия по стали содержит следующие компоненты, мас.%: SIO₂ 17,3-21,1

AL₂O₃ 3,6-8,4

B₂O₃ 5,6-7,2

BAO 44,7-51,5

CR₂O₃ 0,3-0,9

V₂O₅ 0,8-1,9

CO₂O₃ 0,3-1,0

CAO 7,8-21,0

ZRO₂ 1,2-4,9. КТР покрытия (102-108)^.10^-71/град, диэлектрическая проницаемость при 25°С, 10³Гц 7,2-7,3, тангенс угла диэлектрических потерь при 25°С, 10³ Гц (7-10)^.10⁴. 2 табл.

Компоненты

Содержание компонентов, мас„%, в составе

1

й

1400 1400 660 680 750 750

Т

Таблица2

1400 1380±20 665 675-705 750 750-780

Линейного расширения ( 20- 300е С),

oi-101 град 1

Диэлектрическая

проницаемость

6(25°С, 10 Гц)

Тангенс угла

диэлектрических

потерь tgo-10

(, 10Э Гц)

Продолжение табл.2

102 100-114

7,3 7,2-7,8

10 63