Способ контроля режима спекания металлокерамических плат Советский патент 1991 года по МПК G01N33/38 

Изобретение относится к производству керамики, в частности к способам обработки исходных материалов, используемых при изготовлении керамических изделий для радиоэлектронной промышленности.

Цель изобретения - повышение чувствительности контроля и контроля спекания при изменении времени спекания и влажности газовой среды.

Способ осуществляют следующим обра- .зом.

Платы из сырой керамики ВК 91-2 толщиной 0,6 мм и площадью 0,01 м помещают в туннельную печь спекания. Устанавливают режим спекания в интервале 1460-1600°С, обеспечивающий прочность, определяемую по усилию четырехточечного изгиба, на неизменном уровне. Каждую последующую плату вводят в печь при измененном на одно деление регулируемом параметре (температуре, времени спекания, влажности газовой среды) Определяют технические характеристики спеченных плат и

сравнивают их с критериями качества, находят оптимальный режим Измеряют на тестовых платах площадь полей кристаллизации плавкого связующего, находят величину изменений площади кристаллизации плавкого связующего при изменении контролируемого параметра температуры, времени спекания, алажно- сти газовой среды печи спекания на единицу изменения.

В дальнейшем рабочие платы прогоняют через печь спекания и измеряют площадь поля кристаллизации плавкого связующего.

Контроль осуществляют с помощью дифрактометра или спектрометра по изменению окраски связующего при кристаллизации, видимому из белых типов керамики при просвечивании образцов малой толщины в соответствующей области спектра. Измеренное значение площади сравнивают со значением площади кристаллизации тестовой платы, спеченной в

СП

с

о

со о о

оптимальном режиме. Если площади не равны, определяют разницу сравниваемых площадей. После этого определяют степень отклонения режима спекания по каждому из регулируемых параметров путем деле- ния разницы сравниваемых площадей на величину изменения площади кристаллизации плавкого связующего при изменении контролируемого параметра на единицу изменения. Например, если пло- щадь кристаллизации возросла, температуру спекания снижают из расчета 0,2°С на 1 % превышения площади закристаллизованной области контролируемого образца над закристаллизованной площадью тесто- вого образца.

Формула изобретения Способ контроля режима спекания ме- таллокерамических плат в условиях изме- няющейся температуры, включающий сравнение характеристик контролируемого и тестового образцов, отличающий- с я тем, что, с целью повышения чувствительности контроля и контроля спекания при изменении времени питания и влажности газовой среды, измеряют площадь поля кристаллизации плавкого связующего тестового образца, спеченного в оптимальном режиме, и контролируемого образца, находят изменение площади поля кристаллизации плавкого связующего при изменении температуры, времени спекания и влажности газовой среды на единицу изменения, а степень отклонения режима спекания металлокерамиче- ских плат от оптимального режима находят по формуле

,, STO SKO

AS

где К - степень отклонения режима спекания;

STO - площадь поля кристаллизации плавкого связующего тестового образца;

SKO - площадь поля кристаллизации плавкого связующего контролируемого образца;

AS - изменение площади поля кристаллизации плавкого связующего при изменении контролируемого параметра на единицу изменения.

Изобретение относится к производству керамики, а именно к способам обработки исходных материалов, используемых при изготовлении керамических изделий для радиоэлектронной промышленности. Цель изобретения - повышение чувствительности контроля и контроля спекания при изменении времени спекания и влажности газовой среды. Контроль режима спекания металлокерамических плат в условиях изменяющегося параметра режима спекания осуществляют путем измерения и сравнения полей кристаллизации плавкого связующего спекаемого и тестового образцов.