СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ РАДИУСА КРИВИЗНЫ ОДНОРОДНО ИЗОГНУТЫХ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ОБРАЗЦОВ Советский патент 1973 года по МПК G01N23/207 

1

Изобретение относится к рентгенографическому анализу кристаллов, в частности, к контролю макродеформаций -полупроводниковых кристаллов.

В известном рентгенографическом методе определения радиуса кривизны однородно изогнутых кристаллов образец освещают узким монохроматическим пучком рентгеновских лучей и, ;перемсщая образец на расстояние L в собственной плоскости, измеряют угловые положения его, соответствующие брэггоескому условию, в крайних точках отрезка L. По разностн этих угловых положений а вычисляют радиус кривизны R по формуле R Lla.

Такой способ характеризуется необходимостью настройки образца в каждой точке съемки, потребностью механизма для строго прямолинейного перемещения образца с точиьш определением длины L. К;роме того, разрешающая способность метода ограничена сравнителыш 1ебольщой остротой дифракционных пиков, определяемой горизонтальной расходимостью первичного пучка (обычно несколько угловых минут).

Цель изобретения - разработать такой спосОб определения радиуса изгиба кристаллов, который обладал бы лучщей разрешающей способностью и позволил бы упростить измерения.

По предлагаемому способу измерение производят на двухкристальном спектрометре в параллельной установке (п - п) с использованием линейного фокуса. Для освещения двух точек поверхности образца из первичного монохроматизированного пучка выделяют два луча, ка,к показано на чертеже. На чертеже приведены схемы геометрии еъемки и кривой отражения (F - фокус рентгеновской трубки, /И - монохроматор, О--образец, 5 - щелевая система, С - счетчик квантов, / - интенсивность отраженных рентгеновских лучей, 8-угловое положение образца).

При съемке изогнутого образца отдельные участки его освещенной поверхности носледовательно входят в отражающее положение. В результате, точки 1 i 2 образца (см. чертел) сформируют два дифракционных пика, разделенных по угловой оси на угол а, равный центральному углу между радиусами-векторами, идущими от центра кривизны в точки / и 2. Вычисленне радиуса кривизны ведут по указанной выше формуле R --Lfa. где L - расстояние между точками 1 и 2. Ширина просвета в щелях должна быть достаточно малой, чтобы кривизной поверхности на освещенном участке образца можно было бы пренебречь. Практически ширина просвета щели не должна нревыщать 0,05 мм. Кроме того, для новыщения точиоети целесообразно увеличение длины L, которая прн использовании рентгеМовских трубок типа БСВ - 8, 9, 10 может быть равной 8-10 мм.

Предлагаемый способ не может быть нспользован для анализа неоднородно изогнутых, а также блочных кристаллов, в которых различие в угловом ноложсиии двух НИКОВ отражения может быть связано с разорнентироской блоков в освещаемых участках. Данный способ применяется в практике нроизводства нолунроводииковых приборов, где используются монокристаллы ряда еегцеств, не обладающие блочиостью.

П р е д м е т и 3 о б р е т е «-и я

Способ измерения радиуса кривизны однородно изогнутых кристаллических образцов, основанный на изме:реннн разницы в углоном иоложеиин НИКОВ отражения рентгеновских лучей от двух точек образца, отличающийся тем, что, с целью повышення разрешающей способности н упрощения способа, образец облучают двумя лучами, выделенными из монохроматизированного нучка, на двухкристальиом спектрометре в положении (HI - п).