Динамическая ячейка памяти Советский патент 1975 года по МПК G11C11/40 

транзистор 1 закрыт, отсутствие тока между iUHHaMH 5 и 6 (/сч„ 0) соответствует сигналу считывания «О.

При считывании «О происходит медленный заряд емкости 4 через частично открытый транзистор 3. Это определяет следующие особенности работы запоминающей ячейки. Средний уровень сигнала, подаваемого на шину 5 при считывании, и его длительность должны быть такими, чтобы исключить возможность заряда емкости 4 до напряжения, превышающего пороговое напряжение t/o транзисторов в течение одного цикла считывания. Регенерацию информации в ячейки следует проводить после каждого считывания. Кроме этого, при хранении информации и работе ячейки в циклах записи регенерацию информации следует проводить не реже одного раза в течение времени хранения путем считывания и перезаписи информации в ячейку.

Формула изобретения

Динамическая ячейка памяти, содержащая три МДП-транзистора, сток и затвор первого

из которых подключены к истокам второго и третьего транзисторов соответственно, стоки второго и третьего транзисторов подключены к разрядной шине, а затворы -к адресной шине, отличающаяся тем, что, с целью

упрощения ячейки, в ней исток первого транзистора подключен к адресной шине.

О

2

Ь5

иг.1

3anucb 1

Считыва- Запись О Считы5ание

нив

Фиг. 2