Полупроводниковая линия задержки Советский патент 1976 года по МПК G11C11/40 H03H7/30 

1

Изобретение относится к области вычислительной техники.

Известны полупроводниковые линии задержки, каждая ячейка передающей цепочки которой состоит из двух МДП-транзисторов с увеличенной емкостью затвор-сток, расположенных так, что сток одного служит истоком другого, затвор одного МДП-транзистора подключен к первой тактовой шине, затвор другого - ко второй 1 . , Однако is таких линиях задержки искажается задержанньш сигнал, что связано с потерями при переносе заряда.

Наиболее близким техническим решением к данному изобретению является полупроводниковая линия задержки, содержащая цепочку последовательно соединенных МДП-транзисторов, причем затворы нечетных транзисторов подключены к первой тактовой шине, затворы четньк - ко второй тактовой шине, и какопнтельнью конденсаторы, включенные между стоками и затворами транзисторов 2.,

В такой линии задержки сигнал также искажается из-за потерь при переносе заряда.,.

Целью изобретения является повышение точшсти работы линии задержки.

, Эта цель достигается введением в предложенную линию задержки управляющей и разрядной шин и ключей, выполненных на М,ЦП-транзисторах. Затворы МДП--транзисторов ключей подсоединены к управляющей шине, стоки - к разрядной, а истоки - к стокам соответствующих четных транзисторов цепочки.

Полупровощшковая линия задержки представлена на чертеже.

Она содержит цепочку последовательно соединенных МДП-транзисторов 1-6 (затворы нечетных транзисторов подключены к первой тактовой шине 7, а затворы четных - ко второй тактовой шине 8), накопительные конденсаторы 9-14, включенные между стоками и затворами транзисторов, управляющую 15 и разрядную 16 шины, ключи на МДП-транзисторах 17, 18, затворы которых присоединены к управляющей шине, стоки к разрядной иоше, а истоки - к стокам каждого четвертого транзистора цепочки, например к стокам транзисторов 2,6,..., 4п-2,..., где п целое число.

Полупроводниковая лишш задержки работает спедуюпщм образом.

Информационные заряды размещены в каждом четвертом накотштельном конденсаторе, например 9 и 13. Под действием тактовых икшульсов информационные заряды перемещаются вдоль цепочки. На шину 15 и 16 поданы импульсы с частотой в два раза ниже частоты импульсов, поданных на тактовые шины. Благодаря такой тактировке разрядные ключи действуют только в то время, когда информационные заряды не находятся в конденсаторах (10, 14), к которым эти ключи присоединены и информащюнные заряды не разрушаются. В этих конденсаторах находится часть информационных зарядов, потерянная из основных пакетов заряда за счет неэффективности переноса. Эта часть зарядов удаляется в разрядную шину и не создает фазовых сдвигов передаваемого сигнала. При другом способе функционирования на шину 16 подано такое постоягшое напряжение, при кото|юм в моменты действия ключей 17, 18 в конденсаторы 10, 14 вводятся заряды из шины 16. Таким образом в ячейках, cвoбoдJalx от информш Лонных зарядов, соз7иется фоновый заряд, компенсирующий потери информационных зарядов, и следовательно, отсутствует искажение сигнала при его передаче, что повышает точность работы полупроводниковой линии задержки. Предложенная линия задержки может быть построена на основе цепочек с зарядовой связью других типов. Формула изобретения Полупроводниковая линня задержки, содержащая цепочку последовательно соеданеш1ых МДП-транзисторов, причем затворы нечетных транзисторов подключены к первой тактовой шине, затворы четных - ко второй тактовой шине, и накопительные конденсаторы, включенные между стоками и затворами транзисторов, отличающаяся тем, что, с целью повышения точносгн работы, она содержит ключи, выполненные на МДП-транзисторах, управляющую и разрядную шины; примем затворы МДП-транзисторов ключей подсоединены к управляющей шине, стоки - к разрядной, а истоки - к стокам соответствующих четных транзисторов цепочкн. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе: 1.Патент США 340-173 N 3660697 or02.05.1972г. 2.Philips Technical Review, том 31,1970, № 4, стр. 106-107.