Способ выращивания монокристаллов хлоридов меди цезия Советский патент 1977 года по МПК B01J17/04 

- 1

Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов, в частности, мо нокристаллов хлорида меди-цезия, которые могут найти применение в создании ниакочас тотных резонаторов, а также в оптических 5 и магнитных устройствах.

Известен способ получения кристаллов

CscuCBg cs cucR HCsgCuxeyaHgOj

испарением водных pacTBopoB,CsCE И

Недостатком известного способа являегся получение несовершенных мелких кристаллов, размером до 10 мм гетерогенного соотава.

Известен также способ получений кристал- 15 ловСзСиСРз водного раствора. Рост|этш1 кристаллов осуществляют путем испарения раст Ьора 2j .

Этим способом, однако, не получены |крио таллы размером более 10 мм.20

С целью увеличения размеров монокристал ЛОВ процесс выращивания кристалловСзСиСРCs CuCE иСЗдСы- Се Нг

затравку методом понижения температуры от 47 до 18,5С из водных растворов хлорида 25

цезия в хлориде меди в весовых соотношени яхСбС : CuCBgi 5:1; 3:4 (соатвет - ственно) со скростью снижения температуры 0,05-0,12 град/сутки.

Оптимальные весовые соотношения CsС

приготовления кристаллизационных растворов и, максимальньш температуры начала кристаллизации бьши найдены ; при изучении тройной системы CQC2-CuQf O &,2,&,QQ и составляют для CsCU C-gg 1:2| 47. С;

CSgCuCe Sa, 43, ECS CUgCe 3:4 25,,

Разработанный способ является эффективным, так как позволяет выращивать крупные кристаллы СЗ Си cf Cs,, С,Ц CF ,С s С и С, 6Н,О вьюокого качесчБЕ,

/ П РИМ е р 1, Раствор 240гСвСЕ(50С) постепенно при непрерывном перемешивании приливают к раствору 485rCl4CE 2 HgO (70°С). Полученный раствор двух компонен тов (800 мл) быстро фильтруют и заливают в кристаллизационный с- аканв Последний по мещают в термостатированный кристаллизатор при 47 С,.; Затравку кристалла, хорошо ограненную, размером 6мм, предварительно выращенную в растворе указанного состава, укрепленную на нити (либо с различной ориентацией на тефлоновой платформе) помещают в кристаллизационный стакан, раствор которого предварительно перегрет на 4 С выше начальной температуры роста кристалла. После оформления затравки начинают снижение темпер туры. При скорости снижения температуры по 0,О5 град/сутки вырастает кристалл размером 25х1Ох1Омм в течение 90 суток. Цвет кристалла черный в тонких пластинках гранатово-красного цвета, Процесс выращивания кристалловС&СиС « , aC Cuif -2HiOBeayT на затрав ку методом понижения температуры от 47 до 18,5 С из водных растворов Хлорида цезия в хлориде меди в весовых соотнощениях , CsCP CuCEg 1:2; 5:1; 3:4(соответственно) со скоростью сниженияГтемпературы О,0 0,12 град/сутки. Оптимальные весовые соотношения CeCP-i СцСЕл для приготовления кристаллиаационных растворов и максимальные температуры начала кристаллизации были найдены при изучении тройной системыCsCH-CuCBgrHj 18,2 5,5 оЪ и составляют дпя CsCuCU: 2; 4 7 С; ;CSaCuCe 5:l,43,5°CHCSjCu2C 2H20 3:4, 25,5°С. Разработанный способ является эффективным так как позволяет выращивать крупные кристаллы CsCuCBgjC gCuCE jCS CUgCP 2Н2Р высокого качества. Пример 2., Технологические приемы по приготовлению затравки и росту кристалnaCs-CuCEj. аналогичны CavCuCP g Для приготовления раствора взято 70О rCsCE и 720 мл Н,0 120 rCuCP, Рост кристалла проводят от 43,5 до 27,8 С. При снижении температуры по ОД2 град/су- ки в течение 125 суток вырастает прозрачный кристалл желто-оранжевого цвета размером 4Ох20х13мм, Пример 3. Для приготовления раст вора взято 125 г CQ С В и 130rCuCE2 2 Н gO , 300 мл Н 2 О k Рост кристалла проводят от 25,5 до 18,5 С. Снижение температуры до 0,08 град/сутки. В течение 84 суток вырастает прозрачный кристалл кори невого цветав размером 28х25х18мМв Формула изобретения Способ выращивания монокристаллов хлоридовмед -цезия из водного раствора С &GP иСиСР2 , отличающийся тем, что, с целью увеличения размеров мо;нокристаллова процесс ведут на затравке понижения температуры в интервале 47,018, со скоростью t,q5-0,12 град/сутки Источники информации, принятыево внимание при экспертизе: . l.J.CryfetaiH CKowtH №4, 346, 11970. 2,Act . В, 27, 1528, 1971