Резистивный материал Советский патент 1983 года по МПК H01C7/00 

Описание патента на изобретение SU1048523A1

Изобретение относится к э)1ектрон Ной технике и может быть использовано в технологии изготовления постоянных и переменных резисторов и интегральных микросхем. -а

Известен резистивный материал, содержащий диоксид рутения и свинцовоборосиликатное стекло |ll.

Недостаток известного резистивного материала состоит в высоком температурном коэффициенте сопротивления.

Наиболее близким к изобретению является резистивный материал, содержащий диоксид рутения и свинцовобо-. росиликатное стекло 2.

Однако у известного резистивного материала высокий температурный коэффициент сопротивления.

Цель изобретения f уменьшение температурного коэффициента сопротив ления..

Цель достигается тем, что резисТ1ШНЫЙ материал, включающий диоксид рутения и свинцовоборосиликатное стекло, дополнительно содержит полупроводниковое соединение общей формулы (ЬаодуСа)-{Соо,,Мпо7) 3 Р

следующей соотношении компонентов, вес.%:

Диоксид рутения , 30-40

полупроводниковое

соединение общей

формулы (LanjyCaoiy) i

х(Соо,} Мпда,7.Т-0,12-20

евинцовоборосиликатное

стеклоОстальное

ДПя получения резистивного материала приготовляют три смеси компонентов.

В таблице приведены составы и свойства резистивного Материала.

Каждую смесь получают перемешиванием предварительно измельченных компонентов с органической связкой затем резистивный материал наносят на керамические подложки методом сеткотрафаретной печати и обжигают на воздухе при 850-900 С с последующим нанесением контактивных площадок.

Изобретение позволяет уменьшить температурный коэффициент сопротивления резистивного материала и повысить стабильность изготовляемых на его основе резисторов. .

Похожие патенты SU1048523A1

название год авторы номер документа
Резистивная композиция 1980
  • Минолгене Юрате Брониславовна
  • Симанавичене Виргиния Броневна
  • Садаускас Кестутис Витаутович
SU970484A1
ПАСТА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ 1989
  • Лисицкий В.В.
  • Измайлов Ш.З.
  • Шориков Ю.С.
  • Румянцева Е.А.
RU2033648C1
Способ изготовления толстопленочных резисторов 1982
  • Недорезов Валерий Григорьевич
  • Куренчанин Вячеслав Васильевич
  • Подшибякин Сергей Васильевич
SU1096701A1
Резистивный материал" 1974
  • Болгарина Тамара Никитична
  • Фищева Тамара Леонидовна
SU491161A1
Резистивный материал 1979
  • Пуронене Зинаида Михайловна
  • Красов Владимир Григорьевич
  • Колдашов Николай Дмитриевич
  • Турчина Галина Викторовна
  • Крылова Нина Архиповна
  • Поташникова Татьяна Петровна
SU834781A1
Резистивный материал 1978
  • Красов Владимир Григорьевич
  • Турчина Галина Викторовна
  • Колдашов Николай Дмитриевич
  • Могилева Лариса Николаевна
  • Пуронене Зинаида Михайловна
  • Шутова Раиса Фроловна
SU706885A1
Резистивная паста 1982
  • Дубинина Маргарита Петровна
  • Безруков Владимир Ильич
  • Голоденко Меланья Ефимовна
  • Писляков Александр Викторович
  • Воропаев Альберт Григорьевич
  • Бронников Анатолий Никифорович
  • Батура Зинаида Евсеевна
SU1073806A1
Резистивная паста 1981
  • Безруков Владимир Ильич
  • Дубинина Маргарита Петровна
  • Голоденко Меланья Ефимовна
  • Самсонов Александр Тимофеевич
  • Воропаев Альберт Григорьевич
  • Писляков Александр Викторович
  • Петрова Валентина Захаровна
  • Шутова Раиса Фроловна
SU1005196A1
Резистивный материал 1972
  • Грачев Сергей Дмитриевич
  • Ермолаева Алевтина Ивановна
  • Красов Владимир Григорьевич
  • Лагутин Владимир Иванович
  • Лебедева Людмила Владимировна
  • Петрова Валентина Захаровна
  • Пушкина Галина Николаевна
  • Таипов Рустем Абдурахманович
SU439851A1
ГАЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫЙ ДАТЧИК 1994
  • Писляков А.В.
  • Васильев А.А.
RU2098806C1

Реферат патента 1983 года Резистивный материал

РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ, включающий диоксид рутения и свинцовоборосиликатное стекло, отличающийся тем, что, с целью уменьшения температурного коэффициента сопротивления, он дополнительно содержит полупроводниковое соединение общей формулы (,,,-) ( Со, Мг,-,) с, при следующем соотношении компонентов, вес.%: Диоксид рутения 30-40 Полупроводниковое соединение общей формулы 12-20 ( Ьа(,5 ОубУ 0, ,7 Свинцовоборосиликат.| Остальное ное стекло (Л

Формула изобретения SU 1 048 523 A1

12 16 20

40 37 30

30

0,840

+13

+25

2,700 -16 +14 г24

17,120 -17

+300

+380

. 2,050

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1983 года SU1048523A1

Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1
Резиновая смесь для балансировки пневматической покрышки 1982
  • Емельянов Дмитрий Павлович
  • Морозова Валентина Васильевна
  • Динер Елена Зиновьевна
  • Кроль Владимир Александрович
  • Ермакова Ирина Ивановна
  • Дроздов Борис Трофимович
  • Скорняков Анатолий Степанович
SU1130575A1
Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1
Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов 1917
  • Гордон И.Д.
SU2A1
Колдашов Н.Д., Красов В.Г., Петрова В.З., Шутова Р.Ф
Толстопленочные резисторы на основе соединения рутения
Сб
Электронная техника, с.3, Микроэлектроника, вып.5

SU 1 048 523 A1

Авторы

Иванов Геннадий Михайлович

Юсов Юрий Павлович

Троицкая Ольга Анатольевна

Березина Вера Павловна

Павлоцкий Яков Вольфович

Ульянова Татьяна Петровна

Олеск Александр Освальдович

Даты

1983-10-15Публикация

1982-05-14Подача