Полупроводниковый матричный накопитель Советский патент 1981 года по МПК G11C11/34 G11C5/02 

1 . Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к J CTройствам памяти на полупроводниковы элементах. В технике интегральных схем при изготовлении полупроводниковых устройств памяти наиболее компактными получаются устройств-а, в которых ячейки памяти имеют минимум элементов . Высокая плотность может быть получена с емкостными ячейками памяти, которые состоят только из запоминающего конденсатора и из элект ронного ключа. Известен полупроводниковый матричный накопитель, содержащий ячейк памяти, которые коммутируются посре ством полевого транзистора Наиболее близким техническим решением к предлагаемому является пол проводниковый матричный накопитель, содержащий полупроводниковую подлож ку Р-проводимости, легированную бором, в котором расположены области обеднения, над которыми размещены параллельные разрядные шины с изолирующими слоями из окисла кремния, а над разрядными шинами в ортогонал ном направлении расположены словарн Цель изобретения - расширение области применения накопителя за счет возможности использования его в запоминающих устройствах записи-считывания с индуктированными сигналами записи и инверсионными конденсаторами, используемых в качестве элементов памяти. Указанная цель достигается тем, что полупроводниковый матричный накопитель, содержащий полупроводниковую подложку Р-проводимости, легированную бором,- в которой расположены области обеднения, над которыми размещены параллельные разрядные шины с изолируюви1ми слоями из окисла кремния, а яад разрядными шинамя в ортогональном направлении расположены словарные шины, содержит в полупроводниковой подложке р-проводимости две легированные фосфором или мЕЛшьяком диффузионные шины смещения n-проводимости, размещенные по торцам подложки параллельно разрядным шинам, и два изоляционных слоя, расположенных между полупроводниковой подложкой Р-проводимости и разрядными шинами, при этом первый слой, выполненный из двуокиси кремния, размещен на поверхности полупроJSX

,, p

фие.6

Составитель В.Вакар Редактор Е.Дичинская Техред А.Ач ; Корректор О.Билак

Заказ 5086/49Тираж 645Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д . 4/&

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Date : 03/05/2001

Number of pages : 4

Previous document : SU 843787

Next document : SU 843789