Дешифратор адреса Советский патент 1982 года по МПК H03K17/687 

(5) ДЕШИФРАТОР АДРЕСА

Изобретение относится.к импульсной и вычислительной технике и может быть использовано, например при построении запоминающих устройств на МДПтранзисторах. Известен дешифратор адреса, содержащий входные МДП-транзисторы, нагрузочный МДП-транзистор, МДП-транзистор связи и конденсатор, стоки входных транзисторов подклочены к истоку нагрузочного транзистора, сток нагрузоч ного транзистора подсоединен к шине источника питания, а затвор объединен с затвором транзистора связи и с первым выводом конденсатора, исток г. транзистора связи соединен с выходной шиной, а второй вывод конденсатора подключен к шине управления f1 J, Недостатком этого устройства является сложность конструкции. Наиболее близким к изобретению по технической сущности является дешифратор адреса, содержащий входные МДПтранзисторы, нагрузочный МДП-транзистор, МДП-транзистор связи, выходной МДП-транзистор и первый и второй конденсаторы, затворы входных МДПтранзисторов, истоки которых соединены с общей Шиной, подключены к входным шинам,объединенные стоки входных МДП-транзисторов подключены к истоку МДП-транзистора связи и к истоку нагрузочного МДП-транзистора, затвор и сток которого соединены соответственно с первой шиной управления и с шиной источника питания, первые выводы конденсаторов объединены и подключены к истоку МДП-транзистора связи и к затвору выходного МДП-транзистора, сток которого соединен с второй обкладкой первого конденсатора, а исток подключен к второй обкладке второго конденсатора и к выходной шине.С2. Недостатком известного устройства является низкая надежность функцио- ; нирования. Цель изобретения - повышение надежности функционирования устройства. Поставленная цель достигается тем, что в дешифратор адреса, содержащий входные М/Ц1 транзисторы, нагрузочный МДП-транзистор, МДП-транзистор связи, выходной МДП-транзистор и первый и второй конденсаторы, затворы входных МДП-транзисторов, истоки которых соединены с общей шиной, подключены к входным шинам, объединенные стоки входных МДП-транзисторов подключены к; стоку МДП-транзистора связи и к истоку нагрузочного МДП-транзистора, затвор и сток которого соединены соотзетственно с первой шиной управления и с шиной источника питания, первые выводы конденсаторов объединены и подключены к источнику МДП-транзистора связи и к затвору выходного МДПтранзистора, сток которого соединен с второй обкладкой первого конденсат тора, а исток подключен ко второй обкладке второго конденсатора и к вы ходной шине, введены дополнительный выходной МДП-транзистор и дополнител ный конденсатор, включенный между . стоком МДП-транзистора связи и общей шиной стбк выходного МДП-транзистора подключен к первой шине управлени объединенные затворы МДП-транзистора связи и дополнительного выходного МДПтранзистора, исток и сток которого соединены соответственно с общей шиной и выходной шиной, подключены к второй шине управления. На чертеже приведена принципиальная схема устройства. Дешифратор адреса содержит входные МДП-транзисторы 1, нагрузочный МДП-транзистор 2, МДП-транзистор 3 связи, выходной МДП-транзистор , первый 5 и второй 6 конденсаторы, дополнительный выходной МДП-транзист тор 7 и дополнительный конденсатор 8. Згтворы входных МДП-транзисторов 1соединены с входными шинами 9 сто нагрузочного МДП-транзистора 2 подключен к шине 10 источника питания, сток выходного МДП-транзистора 4 и затвор нагрузочного МДП-транзистора 2соединены с первой шиной 11 управления, объединенные затворы М/Ц1-тран зистора 3 связи и дополнительного вы ходного МДП-транзистора 7 подключены к второй шине 12 управления, исток выходного МДП-транзистора и сток дополнительного выходного МДП-транзистора 7 соединены с выходной шиной 13Дешифратор адреса работает следующим образом. Во время действия сигнала выбора кристалла, подаваемого :на первую шиг ну 11 управления, транзистор 3 связи закрыт. На входные шины 9 при этом подаются низкие уровни напряжения и входные транзисторы 1 также заперты. Через открытый нагрузочный транзистор 2 осуществляется заряд до высокого Уровня напряжения дополнительного конденсатора 8. По окончании действия сигнала выбора кристалла, нагрузочный транзистор 2 закрывается, на входные шины 9 подается адресная информация, а на вторую шину 12 управления подается сигнал, инверсный по отношению к сигналу выбора кристалла. Дополнительный выходной транзистор 7 открывает-; ся, обеспечивая низкий уровень напряжения на выходной шине 13. Состояние входных транзисторов 1 определяется адресной информацией. При этом возможны два случая, когда транзисторы 1 закрыты и хотя бы один из входных транзисторов 1 открыт. В первом случае возможность разряда для дополнительного конденсатора 8 отсутствует. Через открытый транзистор 3 связи осуществляется заряд до высокого уровня напряжения конденсаторов 5 и 6. Величина емкости дополнительного конденсатора 8 выбирается с тем расчетом, чтобы в процессе перераспределения заряда между конденсаторами 5 и 6 и дополнительным конденсатором 8 суммарное напряжение было больше значения порогового напряжения используемых МДП-транзисторов. С приходом сигнала выбора кристалла на первую шину 11 управления транзистор 3 связи и дополнительный выходной транзистор 7 закрываются, и через открытый выходной транзистор осуществляется передача высокого уровня напряжения, примерно равного амплитуде сигнала выбора кристалла, на выходную шину 13. Одновременно заряжается дополнительный конденсатор 8, обеспечивая готовность к следующему циклу приема информации. Во втором случае, когда хотя бы один из входных транзисторов 1 открыт, дополнительный конденсатор 8 и конденсаторы 5 и 6 разряжаются до низкого уровня напряжения. С приходом синхро низирующего сигнала выбора кристалла на первую шину 11 управления, выходной транзистор t будет закрыт и на выходной шине 13 сохранится низкий уровень напряжения. Так «е как и в первом случае, при дейтсвии сигнала выбора кристалла происходит заряд дополнительного конденсатора 8, что обеспечивает готовность дешифратора к новому циклу приёма адресной инфор мации. Дополнительный выходной транзисто 7 осуществляет разряд нагрузочной емкости, подключенной к .выходной шине 13 во время действия сигнала выбо ра кристалла и исключает,.таким обрззом, появление на выходе дешифрато ра ложной информации, что ведет к вы сокой помехоустойчивости дешифратора. Вместе с тем, дешифратор характе ризуется простотой управления, отсут ствием статической потребляемой мощности, отсутствием статических инвер торов, что и обусловливает высокую надежность функционирования предлагаемого устройства. Формула изобретения Дешифратор адреса, содержащий входные МДП-транзисторы, нагрузочный МДП-транзистор, МДП-транзистор связи выходной МДП-транзистор и первый и второй конденсаторы, затворы входных МДП-транзисторов, истоки которых соединены с общей шиной, подключены к входным шинам, объединённые стоки входных МДП-транзисторов подключены к стоку МДП-транзистора связи и. к истоку нагрузочного МДП-транзистора, затвор и сток которого соединены соответственно с первой шиной управления и с шиной источника питания, первые выводы конденсаторов объединены и подключены к истоку МДП-транзистора связи и к затвору выходного МДП-транзистора, сток которого соединен с второй обкладкой первого конденсатора, а исток подключен к второй обкладке второго конденсатора и к выходной , отличающийся тем, что, с целью повышения надежности функционирования, в него введены дополнительный выходной МДП-транзистор и дополнительный конденсатор, включенный между стоком МДП-транзистора связн и об-.-, щей шиной, сток выходного МДП-транзист тора подклочен к первой шине управления, объединенные затворы МДП-транзистора связи и дополнительного выходного МДП-транзистора, исток и сток которого соединены соответственно с общей ши. ной и выходной шиной, подключены к второй шине управления. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Авторское свидетельство СССР ,-кл. Н 03 К 17/вО, 29.06.77 2.Solid-State Circvits Conference. 1978 IEEE International, Dagest o technical papers, p. lO.