Изобретение относится к накоплению информации, а именно к способам изготовления рабочего слоя носителя магнитной записи.
Известны способы изготовления рабочего слоя носителя магнитной записи с перпендикулярным намагничиванием, заключающиеся в ионноплазменном распылении CoCr сплава с содержанием 18-25% Cr на подложку, нагретую до Т > 400 К [1] а также FeCr сплава с 40-60% Cr, толщиной не менее 1 мкм на подложку, также нагретую до 400 К с последующим отжигом до 650 K [2]
Недостаток данных способов заключается в том, что без высокотемпературного отжига они не обеспечивают перпендикулярную анизотропию, достаточную для записи с перпендикулярным намагничиванием. Кроме этого, для появления столбчатой структуры необходимо осаждать конденсаты толщиной не менее 1 мкм, для чего требуется значительное время.
Известен способ изготовления рабочего слоя, использующий распыление мишени из материала на основе Fe-Ni и термообработку в вакууме с последующим охлаждение [3]
Недостаток данного способа заключается в необходимости точного соблюдения режима термообработки при проведении двухступенчатого отжига: высокой температуры отжига, приводящей к разрушению нетермостойких основ, значительной продолжительности технологического процесса термообработки, что приводит к нерациональному расходу энергии.
Использование бинарного Fe-Ni сплава для рабочего слоя носителя магнитной записи в указанном способе не устраняет эти недостатки.
Цель изобретения повышение эффективности перпендикулярной анизотропии рабочего слоя носителя магнитной записи и упрощение технологического процесса.
Поставленная цель достигается тем, что в магнитный материал для рабочего слоя носителя магнитной записи, содержащий Fe-Ni сплав с химическим составом близким к эквиатомному, дополнительно вводят Mn в количестве (8-10) ат. к общему числу компонентов.
Использование трехкомпонентного Fe-Ni-Mn сплава, содержащего (8-10) ат. Mn к общему количеству компонентов для изготовления рабочего слоя носителя магнитной записи, позволяет заменить две технологические операции (термообработку кратковременным нагреванием при температуре 470-490 К и отжигом при Т ≥590 К в течение не менее 30 мин.) одной (термообработкой при T ≃ 500 K В данном способе полностью отсутствует изотермическая выдержка при температуре 500 К. Положительный эффект достигается уже при нагреве до указанной температуры. Состояние с коэффициентом перпендикулярной анизотропии > 105 эрг/см3 фиксировали независимо от скорости охлаждения.
Сущность физической природы возникновения и роста перпендикулярной анизотропии заключается в следующем.
Известно, что имеющееся в эквиатомных Fe-Ni сплавах антиферромагнитное взаимодействие является причиной низкой критической температуры атомного упорядочения. Возникающая при этом тетрагональность решетки сопровождается появлением перпендикулярной анизотропии. Добавка (8-10) атомных процентов антиферромагнитного марганца увеличивает антиферромагнитное взаимодействие в сплаве и способствует установлению атомного порядка при более низкой температуре, чем в бинарном сплаве FeNi. (По нашим оценкам, на 90-100 К).
Совокупность двух факторов: добавка антиферромагнитного марганца и получение аморфного состояния, в котором фиксируется значительное число дефектов (пор, вакансий и т.д.), усиливает положительный эффект изобретения. Первый приводит к понижению температуры упорядочения, второй к полноте атомного упорядочения, которое закладывается уже в процессе ионно-плазменного осаждения и завершается при низких температурах отжига.
Используемые в предлагаемом способе конденсаты имеют своеобразные шистерезистные свойства. В отличие от аморфных пленок однокомпонентных и бинарных конденсатов с низким, как правило коэрцитивным полем, аморфные образцы Fe-Ni-Mn обладают H
Сущность изобретения сводится к следующему.
На немагнитную подложку магнетронным плазменным распылением Fe-Ni- Mn сплава, содержащего (8-10) атомных процентов марганца, производят осаждение материала и формирование рабочего слоя носителя магнитной записи. Меньшее содержание Mn слабо влияет на температуру упорядочения Fe-Ni, сопровождаемого возникновением перпендикулярной анизотропии, большее приводит к росту антиферромагнитно взаимодействующих пар атомов Mn-Mn и Fe-Mn и ухудшению магнитных свойств носителя магнитной записи.
Давление рабочего газа-аргона 2•10-1 Па выбиралось исходя из того, что при большем давлении увеличивается количество внедренных примесей, при меньшем образуется аморфно-кристаллическая структура, в которой процесс упорядочения реализуется недостатком полно. Плотность рассеиваемой энергии равна (3-8)105 Вт/м2.
Скорость осаждения составляла 0,1-0,15 нм/с. Осаждение с большими скоростями приводит к увеличению количества приносимого на подложку тепла и кристаллизации материала в процессе конденсации. Толщина рабочего слоя носителя магнитной записи была в пределах 10-120 нм. При меньшей толщине ослабевая сигнал отдачи, при большей непроизводительно возрастало время осаждения.
При перечисленных технологических и композиционных параметрах конденсаты имели некристаллическую структуру и H
Длительность выдержки при 500 К для достижения максимального положительного эффекта, а также скорость охлаждения не имели существенного значения. K┴ (2 3) 105 эрг/см3 фиксировали даже после кратковременного, менее 30 с прогрева.
Пример. Предлагаемый способ реализован на установке магнетронного распыления сплавкой Fe-Ni-Mn реализован на установке магнетронного распыления сплавкой Fe-Ni-Mn мишени, содержащей наряду с эквиатомным количеством Fe, Ni и (8-10)% Mn. В процессе распыления количество Mn несколько уменьшалось и в конденсате его присутствовало (5-6) ат.
На чертеже приведена оже-спектрограмма пленки Fe-Ni-Mn.
Распределение Fe, Ni и Mn практически однородно, за исключением области толщины 1-10 нм, где присутствует некоторое количество углерода и кислорода, которое в дальнейшем становится близким к нулю. Оптимальным являлось именно такое содержание Mn, т.к. при большем содержании резко увеличивается число пар Fe-Mn и Mn-Mn полностью снимает положительное влияние марганца на процесс упорядочения.
Очень важным оказалось реализовать аморфную структуру конденсата, т.к. появление даже сильно дисперсного кристаллического состояния (полуширина гало 2,4 2,8)o приводило к уменьшению Hс до значений 1 Э и дальнейший отжиг практически не изменял значения Hс.
В таблице приведены некоторые данные, подтверждающие вышесказанное.
Полученный в результате изготовления предлагаемым способом рабочий слой носителя магнитной записи имеет ось легкого намагничивания, направленную перпендикулярно к поверхности плоской основы, что контролируется магнитными и магнитооптическими методами.
Технико-экономическое преимущество способа заключается в том, что он технологически более прост устраняется операция высокотемпературного отжига, сокращается время достижения состояния материала рабочего слоя носителя магнитной записи с максимальными положительными характеристиками. В конечном счете это приводит к экономии энергии.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МАГНИТОМЯГКИХ ТЕРМОСТОЙКИХ АМОРФНЫХ КОНДЕНСАТОВ 3D-МЕТАЛЛОВ | 1996 |
|
RU2122243C1 |
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МАГНИТНОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ ЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ С ВЫСОКОЙ ПЛОТНОСТЬЮ | 2001 |
|
RU2227941C2 |
МАТЕРИАЛ МЕТАЛЛОПЛЕНОЧНОГО РЕЗИСТИВНОГО СЛОЯ И СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РЕЗИСТИВНОГО СЛОЯ НА ЕГО ОСНОВЕ | 2001 |
|
RU2280905C2 |
СПЛАВ ДЛЯ НОСИТЕЛЯ ТЕРМОМАГНИТНОЙ ЗАПИСИ | 2006 |
|
RU2326451C1 |
УСТАНОВКА ДЛЯ ИОННО-ПЛАЗМЕННОГО РАСПЫЛЕНИЯ | 1998 |
|
RU2160323C2 |
Способ получения композиционного высокоанизотропного материала CoPt-AlO с вращательной анизотропией | 2019 |
|
RU2711700C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАГНИТНЫХ ПЛЕНОК | 1994 |
|
RU2060567C1 |
Способ изготовления носителя термомагнитной записи | 1978 |
|
SU687464A1 |
ЯЧЕЙКА МАГНИТНОГО ОПЕРАТИВНОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА С МАЛЫМ ЭНЕРГОПОТРЕБЛЕНИЕМ | 2012 |
|
RU2573757C2 |
СПЛАВ ДЛЯ НОСИТЕЛЯ ТЕРМОМАГНИТНОЙ ЗАПИСИ | 2005 |
|
RU2293377C1 |
Изобретение относится к накоплению информации, а именно к способам изготовления рабочего слоя носителя магнитной записи. Магнитный материал для рабочего слоя носителя магнитной записи, содержащий Fe-Ni сплав с химическим составом, близким к эквиатомному, дополнительно содержит Mn в количестве (8-10)ат. % к общему составу компонентов. Способ заключается в ионно-плазменном распылении сплава, содержащего (8-10)ат.% Mn к общему количеству компонентов, на постоянном токе при давлении рабочего газа 2•10-1 Па, плотности рассеиваемой энергии (3-8) 105в Вт/м2, со скоростью напыления 0,1-0,15 нм/с, последующим отжиге при температуре 500 К и охлаждении до комнатной температуры. Предлагаемый способ позволяет упростить технологический процесс, сократить время термообработки и значительно уменьшить температуру отжига. 2 с. п. ф-лы, 1 табл., 1 ил.
Авторы
Даты
1997-07-10—Публикация
1995-05-10—Подача