СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОХЛОРИДА ИНДИЯ ВЫСОКОЙ ЧИСТОТЫ ИЗ ЧЕРНОВОГО МЕТАЛЛИЧЕСКОГО ИНДИЯ Российский патент 2006 года по МПК C22B58/00 C22B9/00 

Описание патента на изобретение RU2279493C1

Изобретение относится к технологии редких и рассеянных элементов и может быть использовано при получении индия высокой чистоты.

Изобретение позволяет эффективно удалить примеси алюминия, цинка, кадмия, олова, таллия, свинца, меди, никеля и серебра при получении монохлорида индия из чернового индия.

Известен способ получения монохлорида индия взаимодействием металлического индия с хлоридом аммония при температуре 220-370°С в присутствии хлора, который снижает температуру синтеза (см. Волков С.В., Козин В.Ф., Шека И.А. и др. Синтез и спектры комбинационного рассеяния моногалогенидов индия. // Укр. хим. журнал. - 1983. - т.49. - №11. - с.1123-1126).

Недостатком данного способа является необходимость использования чистого металлического индия и газообразного хлора.

Известен способ получения монохлорида индия (InCl) в вертикальном реакторе при температуре расплава Т>317°С (см. Смирнов В.А., Дмитриев B.C., Редькин А.Н. Химия одновалентного индия. - М.: Наука, 1986. - c.103-104). Для получения InCl используют хлористый аммоний (NH4Cl) и металлический индий, взятый с 5-10% избытком для реакции:

Недостатком указанного метода является то, что при получении монохлорида индия по реакции (1) металлы - примеси, присутствующие в индии остаются в получаемом солевом расплаве монохлорида индия, загрязняя его, т.е. невозможно получить чистый монохлорид индия.

Наиболее близким по технической сущности является способ получения чистого монохлорида индия обработкой загрязненного (чернового) металла при температуре 250°С в течении 5-10 мин смесью трех частей хлористого цинка с одной частью хлористого аммония (см. Химия и технология редких и рассеянных элементов. Под редакцией К.А.Большакова. Т.2 Технология редких и рассеянных элементов. М., - 1969. - с.200-201). При этом происходит преимущественный переход таллия в солевой расплав:

После удаления солевого шлака, в который перешел таллий, металл снова обрабатывается подобным образом. Индий постепенно растворяется. Расход хлористого аммония возмещается добавлением свежей соли. Индий при этом переходит в расплав виде низших хлоридов, окрашивающих шлак в красно-коричневый цвет. Процесс продолжают до тех пор, пока не останется лишь небольшой королек металла (˜10% от исходной массы металла), в котором концентрируются примеси свинца, олова, меди, серебра, сурьмы и т.д. Полученный солевой расплав низших хлоридов индия отделяется от королька металла.

Однако указанный способ имеет существенный недостаток - при его реализации монохлорид индия загрязняется хлоридом цинка вследствие образования бинарной системы: монохлорид индия - хлорид цинка.

Техническим результатом данного изобретения является повышение степени чистоты и степени извлечения индия в его монохлорид из загрязненного (чернового) металла. При дальнейшей переработке чистого монохлорида индия получается металлический индий высокой чистоты, пригодный для изготовления полупроводников.

Технический результат достигается по предлагаемому способу получения чистого монохлорида индия из чернового металлического индия, включающему обработку расплавленного чернового индия в две стадии хлоридом аммония с удалением солевого шлака после первой стадии, при этом обработку проводят при температуре расплава 190-210°С на первой стадии и 340-360°С на второй стадии.

Предложенный способ испытан в промышленных условиях.

Испытания показали, что в температурном интервале от 190 до 210°С на первой стадии процесса получения монохлорида индия наблюдается наибольшая степень чистоты целевого продукта. При температуре ниже 190°С реакция образования хлоридов металлов-примесей не протекает в полной мере, что приводит к увеличению концентрации примесей в составе конечного продукта, и содержание основного компонента достигает лишь 99,92%. Увеличение температуры выше 210°С приводит к существенному снижению степени извлечения индия в его монохлорид.

Оптимальный температурный интервал второй стадии получения чистого монохлорида индия 340-360°С. В указанном интервале температур наблюдается максимальная степень извлечения индия (94,9-95%) при наибольшем содержании (99,995%) основного компонента. При температурах ниже 340°С снижается степень чистоты монохлорида индия, а также степень его извлечения. Увеличение температуры второй стадии выше 360°С приводит к снижению степени извлечения индия в целевой продукт - монохлорид индия.

Проверку способа осуществляли следующим образом.

Пример. В вертикальный реактор (V=7 дм3) загружается черновой индий состава, %: In - 99.1, Zn - 0.03, Al - 0.3, Fe - 0.14, As - 1.5·10-3, Sb - 1.5·10-3, Ni - 0.036, Cu - 3·10-3, Cd - 0.2, Tl - 0.017, Sn - 0.011, Pb - 0.014, Ag - 3·10-3 с хлористым аммонием, взятым в количестве 10% от рассчитанного по стехиометрии для реакции (1). Реактор разогревался до температур 190-210°С. При установлении температурного режима осуществляется перемешивание фторопластовой мешалкой в течение 40-60 мин. При этом хлористый аммоний диссоциирует на хлористый водород и аммиак, хлористый водород активно взаимодействует с металлами - примесями: алюминием, цинком, кадмием, оловом, таллием, свинцом, содержащихся в черновом индии, образуются их хлориды, которые переходят в солевой расплав (шлак). По завершении установленного времени перемешивание прекращается. Образовавшийся солевой шлак локализуется над поверхностью расплавленного металлического индия и удаляется.

После удаления солевого шлака температура расплава поднимается до 340-360°С. Добавляется хлористый аммоний массой, рассчитанной по стехиометрии для реакции (1). В результате процесса взаимодействия расплавленного металлического индия и хлорида аммония 94-95% металла от его исходного количества перейдет в монохлорид индия. В непрореагировавшем остатке концентрируются примеси электроположительных металлов (меди, никеля, серебра, мышьяка и сурьмы), которые удаляются вместе с остатком из процесса.

В полученном таким способом монохлориде индия содержание основного компонента достигает 99,995%.

Солевой шлак и непрореагировавший остаток утилизируются в технологическом цикле получения чернового индия.

Для сравнения проводили опыты по прототипу. Для этого в реактор загружали черновой индий и смесь хлоридов цинка и аммония состава (вес.%): 25NH4Cl-75ZnCl2. Реактор нагревали до температуры 250°С. После установления температурного режима реактор выдерживался в течение 8 мин. Образовавшийся солевой шлак удалялся с поверхности расплавленного металла. Затем вновь добавлялась смесь хлоридов цинка и аммония (25NH4Cl-75ZnCl2) при температуре 250°С, переводя постепенно индий в расплав его монохлорида. Процесс завершали при остатке 10% металла от исходной его массы. Полученный солевой расплав анализировался на содержание целевого компонента - монохлорида индия. Содержание монохлорида индия в конечном продукте, полученном по прототипу, составляет 48,4%.

В таблицах 1 и 2 приведены сравнительные данные проверки известного и предлагаемого способа получения монохлорида индия высокой чистоты из чернового металлического индия.

Как видно из полученных данных, использование предлагаемого способа по сравнению с известным позволяет получить высокочистый монохлорид индия из черного металлического индия с содержанием основного компонента (InCl) - 99,995%.

Таблица 1.СпособТемпература процесса на I стадии, °СТемпература процесса на II стадии, °ССодержание InCl, %Степень извлечения индия в монохлорид, %Известный25025048,4286,318099,9295,019099,99595,0Предлагаемый21035099,99594,922099,99493,325099,99587,1

Таблица 2.СпособТемпература процесса на I стадии, °СТемпература процесса на II стадии, °ССодержание InCl, %Степень извлечения индия в монохлорид, %Известный25025048,4286,325099,9886,630099,9886,832099,99491,3Предлагаемый20034099,99595,036099,99594,937099,99587,738099,99484,2

Похожие патенты RU2279493C1

название год авторы номер документа
Способ получения низших галогенидов индия 1976
  • Золотарев М.В.
  • Бронников А.Д.
  • Смирнов В.А.
SU606299A1
Способ переработки отходов антимонида индия и аппарат для его осуществления 2019
  • Дьяков Виталий Евгеньевич
RU2723173C2
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИНДИЕВОГО ПОРОШКА ВЫСОКОЙ ЧИСТОТЫ 2002
  • Казанбаев Л.А.
  • Козлов П.А.
  • Кубасов В.Л.
  • Колесников А.В.
  • Загребин С.А.
RU2218244C1
Способ рафинирования индия плавлением 1975
  • Дьяков В.Е.
  • Яковлев М.А.
  • Никитина В.Д.
SU526181A1
Способ индия из индий содержащих свинцовооловянных сплавов 1975
  • Дьяков В.Е.
  • Туманова Т.И.
  • Никитина В.Д.
  • Андреева И.И.
SU537521A1
Способ получения монохлорида индия 1979
  • Козин Валентин Фомич
  • Шека Иван Арсентьевич
  • Волков Сергей Васильевич
  • Буряк Николай Иванович
SU948890A1
ЭЛЕКТРОЛИЗЕР ДЛЯ ИЗВЛЕЧЕНИЯ ИНДИЯ ИЗ ИНДИЙСОДЕРЖАЩЕГО РАСПЛАВА В ВИДЕ КОНДЕНСАТА ИЗ ВАКУУМНОЙ ПЕЧИ 2012
  • Дьяков Борис Николаевич
RU2490375C2
Способ рафинирования олова от примесей 1975
  • Дьяков В.Е.
  • Никитина В.Д.
SU522621A1
ЭЛЕКТРОЛИЗЕР ДЛЯ ЭКСТРАКЦИИ ИНДИЯ ИЗ РАСПЛАВЛЕННЫХ СПЛАВОВ 2015
  • Дьяков Виталий Евгеньевич
RU2597832C2
СПОСОБ ИЗВЛЕЧЕНИЯ ИНДИЯ ИЗ ОТХОДОВ СПЛАВОВ, ЭЛЕКТРОЛИТ ДЛЯ ИЗВЛЕЧЕНИЯ ИНДИЯ ИЗ ОТХОДОВ СПЛАВОВ И АППАРАТ ДЛЯ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ СПОСОБА 2009
  • Дьяков Виталий Евгеньевич
RU2400548C1

Реферат патента 2006 года СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОХЛОРИДА ИНДИЯ ВЫСОКОЙ ЧИСТОТЫ ИЗ ЧЕРНОВОГО МЕТАЛЛИЧЕСКОГО ИНДИЯ

Изобретение относится к технологии редких и рассеянных элементов и может быть использовано при получении индия высокой чистоты полупроводникового сорта. Техническим результатом является эффективное удаление примеси алюминия, меди, никеля, серебра, цинка, кадмия, олова, таллия и свинца. Получение монохлорида индия ведут путем обработки чернового индия в две стадии хлоридом аммония: при температуре расплава 190-210°С на первой стадии и 340-360°С на второй стадии, с удалением шлака после первой стадии. 2 табл.

Формула изобретения RU 2 279 493 C1

Способ получения чистого монохлорида индия из чернового металлического индия, включающий обработку расплавленного чернового индия в две стадии хлоридом аммония с удалением солевого шлака после первой стадии, отличающийся тем, что обработку проводят при температуре расплава 190-210°С на первой стадии и 340-360°С на второй стадии.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2006 года RU2279493C1

Химия и технология редких и рассеянных элементов
/Под ред
БОЛЬШАКОВА К.А
Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов 1917
  • Гордон И.Д.
SU2A1
Технология редких и рассеянных элементов
- М.: Высшая школа, 1969, с.200-201
Способ рафинирования индия плавлением 1975
  • Дьяков В.Е.
  • Яковлев М.А.
  • Никитина В.Д.
SU526181A1
Способ получения низших галогенидов индия 1976
  • Золотарев М.В.
  • Бронников А.Д.
  • Смирнов В.А.
SU606299A1
US 4828608 А, 09.05.1989
Наклонный полочный отстойник 1983
  • Колинько Владимир Михайлович
  • Пронин Иван Петрович
SU1174054A1
US 4410357 А, 18.10.1983
GB 1519284 A, 26.07.1978.

RU 2 279 493 C1

Авторы

Казанбаев Леонид Александрович

Козлов Павел Александрович

Кубасов Владимир Леонидович

Колесников Александр Васильевич

Загребин Сергей Анатольевич

Даты

2006-07-10Публикация

2004-12-27Подача