Формирователь сигнала Советский патент 1985 года по МПК H03K5/01 

Описание патента на изобретение SU1170593A1

ел

00 Изобретсние относится к вычислительной технике и может быть исполь зовано в качестве, элемента управления адресной шиной оперативного запоминающего устройства. Цель изобретения - увеличение быстродействия и уменьшение потребляемой мощности за счет уменьшения перепадов напряжений на элементах форм1-1рователя. На чертеже приведена прин1у1пиаль ная схема формирователя сигнала. Формирователь сигнала содержит п входных транзисторов 1, коллекторы которых соединены с. выводом входног резистора 2 и с базой первого транзистора 3, базы п входных транзисто ров соединены с вторым выводом вход ного резистора 2; второй транзистор 4, первьм резистор 5, а также третий транзистор 6 и второй резистор 7, причем базы п входных транзисторов 1 соединены с эмиттерами транзистора 6, которьш через первый резистор 5 соединен, с коллектором пер вого транзистора 3 и с базой второг транзистора 4, база третьего транзистора 6 соединена с коллектором второго транзистора 4 и через второй резистор 7 - с шиной 8 источни ка напряжения, с которой также соединен коллектор третьего транзистора 6, эмиттер первого транзистора 3 и э.миттер второго транзистора 4 сое динены с выходной шиной 9, выходами 10 формирователя сигнала являются эмиттеры п входных транзисторов 1. Формирователь сигнала работает следующим образом. Пусть на входы формирователя сиг нала подается такая комбинация логических сигналов, что все h входны транзисторов 1 закрыты, ток в их коллекторной цепи отсутствует и че.рез резистор 2 течет только базовый ток транзистора 3, вызванный прохож дением тока источника тока, подключенного к выходной шине 9, через эмиттер транзистора 3. За счет протекания коллекторного тока, транзистора 3 потенциал на баз транзистора 4 достаточно низкий и транзистор 4 закрыт. Через резистор 7 течет базовый ток транзистора 6. На эмиттере транзистора 6 сформирован высокий потенциал, который ниже .потенциала шины 8 на суммарную ве.личину падения напряжения на открыт переходе база-эмиттер транзистора 6 . и величину падения напряжения на резисторе 7, создаваемого за счет протекания базового тока транзистора 6. На шине 9 формирователя сигнала образован также высокий потенциал, который ниже потенциала общей шины па величину падения напряжения на открытых переходах база-эмиттер транзисторов 6 и 3 и величину падения напряжения на резисторах 7 и 2 за счет протекания базовых токов транзисторов 3 и 6. Если на входы формирователя сигнала подается такая комбинация логических сигналов, что ток протекает хотя бы в одном из п входных транзисторов 1, то за счет протекания коллекторного тока п входных транзисторов 1 в резисторе 2 потенциал на базе транзистора 3 понижается и ток В эмиттерной и ко.плекторной цепях транзистора 3 уменьшается. Потенциал на базе транзистора 4 за счет уменьшения тока в резисторе 5 повьш ается5 и транзистор 4 начинает проводить большой ток. Через его эмиттер проходит большая часть тока источника тока, подключенного к выходной шине 9. На выходе формирователя сигнала образуется низкий потенциал, который ниже потенциала на шине 8 на величину суммарного падения напряжения на резисторе 7 за счет протекания коллекторного тока транзистор. 4, падения напряжения на резисторе 5 ввиду протекания коллекторного тока транзисторов 3 и базового тока транзистора 4 и падений напряжений на переходе базагзмиттер транзисторов 4 и 6. В итоге логический перепад между состояниями выборки- и невыборки на выходной шине формирователя образует-, ся в основном на резисторе 7. В режиме переключения переход от низкого потенциала к высокому на базе транзистора 3 проходит быстрее из-за наличия указанной дополнительной цепи, так как большая часть логического перепада формируется на резисторе 7 за счет протекания тока источ- . кика тока, и только небольшая часть логического перепада формируется на резисторе 2, что дает возможность выбрать резистор 2 в 5-15 раз меньше, чем у прототипа, а это приводит к такому же уменьшению постоянной

31170593 .4

времени. Постоянные времени на базе логического перепада из-за меньшей транзисторов 4 и 6 также меньше, величины паразитных емкостей и резисчем у прототипа в узлах формирования торов 5 и 7.

Похожие патенты SU1170593A1

название год авторы номер документа
Формирователь сигнала для выборки элементов матрицы 1982
  • Пастон Виктор Викторович
  • Дробышева Ирина Леонидовна
  • Холоднова Любовь Павловна
SU1045364A1
Мультиплексор 1986
  • Игнатьев Сергей Михайлович
  • Мызгин Олег Александрович
  • Неклюдов Владимир Алексеевич
  • Нестеров Александр Эмилиевич
SU1378048A1
Логический элемент 1985
  • Игнатьев Сергей Михайлович
SU1285589A1
Запоминающее устройство (его варианты) 1983
  • Бабенко Наталья Виловна
  • Игнатьев Сергей Михайлович
  • Мызгин Олег Александрович
  • Неклюдов Владимир Алексеевич
  • Нестеров Александр Эмильевич
SU1133621A1
Запоминающее устройство 1985
  • Барчуков Юрий Владимирович
  • Лавриков Олег Михайлович
  • Мызгин Олег Александрович
  • Неклюдов Владимир Алексеевич
  • Сергеев Алексей Геннадьевич
SU1269208A1
НАКОПИТЕЛЬ ИНФОРМАЦИИ 1991
  • Игнатьев С.М.
RU2020614C1
Формирователь уровня считывания 1984
  • Дорожкин Сергей Анатольевич
  • Макаров Александр Борисович
SU1244718A1
Усилитель записи и считывания для запоминающего устройства с произвольной выборкой 1983
  • Балашов Сергей Михайлович
  • Дятченко Владимир Николаевич
  • Неклюдов Владимир Алексеевич
  • Нестеров Александр Эмильевич
SU1091223A1
Дешифратор 1986
  • Игнатьев Сергей Михайлович
SU1336251A1
НЕСИММЕТРИЧНЫЙ ТРИГГЕР 2020
  • Егоров Леонид Борисович
  • Прозоров Владислав Борисович
RU2743452C1

Иллюстрации к изобретению SU 1 170 593 A1

Реферат патента 1985 года Формирователь сигнала

ФОРМИРОВАТЕЛЬ СИГНАЛА, содержащий a входных транзисторов, коллекторы которых соединены с выводом входного резистора и с базой первого транзистора, базы /г входных транзисторов соединены с вторым выходом входного резистора, источник напряжения, отличающийся тем, что, с целью увеличения быстродействия и уменьшения потребляемой мощности, в него введены второй и третий транзисторы и первьй и второй резисторы, причем базы ti входных транзисторов соединены с эмиттером третьего транзистора, который через первый резистор соединен с коллектором первого транзистора и с базой второго транзистора, база третьего транзистора соединена с коллектором второго транзистора и через второй резистор - с шиной источника наг1ряжения, с которой также соединен коллекi тор третьего транзистора, эмиттер (Л первого транзистора и змиттер второго транзистора соединены с выходной шиной.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1985 года SU1170593A1

Способ сбора и удаления отходов из емкостей 1986
  • Тихомиров Вячеслав Петрович
  • Тепина Людмила Георгиевна
SU1489861A1
Переносная печь для варки пищи и отопления в окопах, походных помещениях и т.п. 1921
  • Богач Б.И.
SU3A1
Способ восстановления хромовой кислоты, в частности для получения хромовых квасцов 1921
  • Ланговой С.П.
  • Рейзнек А.Р.
SU7A1
Спускная труба при плотине 0
  • Фалеев И.Н.
SU77A1

SU 1 170 593 A1

Авторы

Пастон Виктор Викторович

Дробышева Ирина Леонидовна

Холоднова Любовь Павловна

Даты

1985-07-30Публикация

1983-10-06Подача