Интегральный формирователь импульсов Советский патент 1986 года по МПК H03K3/284 H03K3/353 

Описание патента на изобретение SU1211854A1

1

Изобретение относится к одновиб- раторам, формирующим импульс заданной длительности по перепаду входного сигнала, и предназначено для работы в интегральных цифровых схемах на МОП-транзисторах,

Целью изобретения является повышение стабильности длительности выходного импульса и быстродействия устройства за счет уменьшения влияния разброса параметров элементов устройства на длительность формируемого импульса и уменьшения длительности среза импульса.

чертеже изображена схема устройства.

Интегральньга формирователь импулсов содержит первый и второй инверторы, вьшолненные, например, на транзисторах 1, 2 и 3, 4 соответственно, входы которых соединены с входной шиной 5, выход второго через конденсатор 6 соединен с общей шиной и непосредственно - с затворами первого и второго транзисторов 7 и 8 с индуцированным канапом, третий транзистор 9 с встроенным каналом, причем исток транзистора 7 и затвор транзистора 9 соединены с выходом первого инвертора и выходной шиной 10, исток транзистора 8 - с Общей шиной П, истоки транзисторов 7 и 9 и исток транзистора В - между собой, а сток транзистора 9 с шиной питания 12„

Устройство работает след тощим образом.

В исходном состоянии на входной шине 5 присутствует единичный потенциал (высокое напряжение) . Транзисторы 2 и 4 инверторов открыты, конденсатор 6 разряжен, на выходной шине 10-нулевой потенциал Гнизкое напряжение. Отрицательный перепад напряжения на шине 5 вызывает запирание транзисторов 2 и 4 инверторов. Начинается формирование выкод- ного импульса единичного потенциала на выходной шине iО, длительность фронта которого определяется временем заряда выходной емкости через транзистор 1 первого инвертора.Одновременно начинается заряд конденсатора 6 через транзистор 3 второго инвертора. Когда напряжение на конденсаторе 6 достигнет порогового напряжения транзистора 8, он переходит в активный режим и потенциал

4

его стока и соответственно истока транзистора 7 начинает понижаться. Одновременное дальнейтпее нарастание напряжения на конденсаторе 6, соединенном с затвором транзистора 7, и ллченьшение напряжения на истоке транзистора 7i приводит к отпираниэт транзистора. На этом формирование выходного импульса заканчивается.

Отпирание транзистора 7 вызывает уменьшение потенциала на его истоке и соответственно выходной шине 10. Через транзистор 9, работающий в режиме истокового повторителя, изменепие потенциала шины 10 передается на исток транзистора 7 способствуя его дальнейигему .открыванию. Воз-, никает положительная обратная связь, способствующая быстрому отпиранию

транзистора 7 и установлению на выходной шине 10 нулевого потенциала .

Благодаря наличию указанной положительной связи происходит уменьшение длительности среза выходного импульса и за счет этого растет быстродействие устройства.

Одновременно интегральное исполнение формирователя по предлагаемой

схе ме способствует росту стабильности длительности формируемого импульса, , Например, увеличение проводимости транзистора 3, способствующее ускорению процесса заряда конденсатора 6, компенсируется увеличением проводимости транзистора 9, способствующее возрастанию запирающего потенциала на истоке транзистора 7.

Формула изобретения

Интегральный формирователь импульсов на МОП-транзисторах, содержащий

первый и второй инверторы, у которых входы соединены с входной шиной, выход первого непосредственно - с выходной шиной, а вьгход второго через конденсатор.- с общей шиной, и первый транзистор с индуцированным каналом,, сток и затвор которого соединены с выходами первого и вторюго инверторов соответственно, о т л и- чающийс я тем, что, с целью

повышения стабильности длительности выходного импульса и быстродействия устройства, в него введены второй транзистор с индуцированным каналом.

31211854 .

затвор и сток которого соединены с встроенным каналом, затвор и исток затвором и истоком первого транзис- которого соединены со стоком и исто- тора соответственно, а исток - с ком первого транзистора соответствен- общей шиной, и третий транзистор с но, а сток - с шийой питания.

Похожие патенты SU1211854A1

название год авторы номер документа
Формирователь импульсов 1985
  • Ильченко Сергей Григорьевич
  • Скрыпов Александр Афанасьевич
SU1309278A1
Устройство автоматического смещения 1981
  • Свердлов А.С.
  • Попова Р.Я.
SU995673A1
Интегральный электронный КМОП синапс 2023
  • Рындин Евгений Адальбертович
  • Андреева Наталья Владимировна
RU2808951C1
Формирователь импульсов на МОП-транзисторах 1984
  • Буй Владимир Борисович
  • Животовский Вадим Менашевич
  • Копытов Александр Максимович
  • Солод Александр Григорьевич
SU1236604A1
Усилитель-формирователь 1982
  • Сидоренко Владимир Павлович
  • Хцынский Николай Иванович
  • Хоружий Анатолий Анатольевич
  • Куриленко Светлана Викторовна
SU1065883A1
Стабилизатор постоянного напряжения 1986
  • Исаков Александр Борисович
  • Капитонов Михаил Васильевич
  • Соколов Юрий Михайлович
  • Ясюкевич Николай Иосифович
SU1372300A1
МДП-инвертор 1990
  • Игумнов Дмитрий Васильевич
  • Масловский Владимир Анатольевич
SU1780184A1
СВЕРХБЫСТРОДЕЙСТВУЮЩЕЕ СВЕРХИНТЕГРИРОВАННОЕ БИМОП ОЗУ НА ЛАВИННЫХ ТРАНЗИСТОРАХ 1999
  • Бубенников А.Н.
  • Зыков А.В.
RU2200351C2
Усилитель считывания для интегрального запоминающего устройства 1976
  • Минков Юрий Васильевич
  • Соломоненко Владимир Иванович
SU928405A1
Динамический элемент памяти 1988
  • Герасимов Борис Михайлович
  • Настрадин Владимир Петрович
  • Архаров Виктор Владимирович
  • Гулевский Юрий Витальевич
  • Рышков Валерий Иванович
SU1599898A1

Реферат патента 1986 года Интегральный формирователь импульсов

Изобретение относится к одно- вибраторам, формирующим импульс заданной длительности по перепаду входного сигнала, и предназначено для работы в интегральных цифровых схемах на МОП-транзисторах. Устройство содержит два инвертора, выполненных, например, на транзисторах 1,2 и 3, 4 соответственно, входную шину 5, конденсатор 6, транзисторы 7 и 8 с индуцированным каналом, транзистор 9 с встроенным каналом, выходную шину 10 и общую шину 1 1 . Введение транзистора 8 с индуцированным каналом и транзистора 9 с встроенным каналом позволяет повысить стабильность длительности выходного импульса и быстродействие устройства за счет уменьшения влияния разброса параметров элементов устройства на длительность формируемого импульса и уменьшить длительность среза импульса. 1 ил. (Л «

Формула изобретения SU 1 211 854 A1

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1986 года SU1211854A1

Волков С
Генераторы прямоугольных импульсов на МОП-элементах.- М.: Энергоиздат, 1981, с
Транспортер для перевозки товарных вагонов по трамвайным путям 1919
  • Калашников Н.А.
SU102A1
Переносная печь для варки пищи и отопления в окопах, походных помещениях и т.п. 1921
  • Богач Б.И.
SU3A1
Сенситометр 1922
  • Зимин П.Н.
SU1809A1

SU 1 211 854 A1

Авторы

Свердлов Альфред Самуилович

Попова Ревекка Яковлевна

Даты

1986-02-15Публикация

1984-07-05Подача