Устройство для доводки кристаллических элементов Советский патент 1986 года по МПК B24B37/04 

I

Изобретение относится к абразивной обработке и может быть использо- Езно в электронной технике и других отраслях промышленности при производстве тонких кристаллических элементов из различных кристаллов, например из пьезокварца, к- которым предъявляются высокие требования к качеству главных граней.

Цель изобретения - обеспечение обработки кристаллических элементов толщиной до .20 мкм с высокой ско- ростью сошлифовки материала.

На чертеже изображена схема предложенного устройства.

Устройство имеет неподвижный шпиндель 1, на котором с помощью подшипников 2 установлен с возможностью вращения Н1Ш1Шй притир 3. Нижний притир 3 соединен ременчой передачей с электроприводом 4, На шпинделе 1 свободно установлен с возможностью вращения эксцентрик 5. На притире 3 с возможностью вращения вокруг эксцентрика 5 установлена кассета 6, В гнездах кассеты размещены кристаллические элементы 7. На верхнем торце шпинделя 1 установлен тормоз 8, кот орый одновременно вьтолняет роль оси верхнего неподвижного притира 9 свободно лежащего на кристал,пичес- ких элементах. Тормоз 8 имеет корпус 10, пружину 11 и шайбу 12. Для увеличения усилия торможения корпус 8 закручивается по резьбе шпинделя 1 и стопорится кона ргайкой 13.

Устройство работает следующим образом. .

При вращении нижнего притира 3 кристагшияескне элементы 7 за счет сил трения вращаются с нижним притиром 3 и одновременно тормозятся за счет сил трения о верхний неподвиж- притир 9. В результате скорость вращения кристаллических элементов 7 вокруг шпинделя 1 равна примерно

Редактор И.Сегляник

Составитель А.Козлова Техред И.Попови

3752/15

Тираж 710Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раущская наб,. д.4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г.Ужгород, ул.Проектная, 4

43932 . , ° 2

1/2 скорости вращения нижнего притира (из уоювия равенства моментов сил), При возрастании трения о верх- Н1-ш притир скорость вращения крис5 тaлJшчecкнx элементов пропорционально уменьшается. При этом вращающиеся кристаллические элементы увлекают за собой кассету 6, которая вследствие эксцентричного расположе- 10 ния увлекает за собой эксцентрик 5, Эксцентрик 5, подторможенный тормозом 8 через сжатую пружину 11 и шайбу 52, оказывает сопротивление силам трения:, действующим со сторо15 ны кассеты на цилиндрическую поверхность эксцентрика. Поэтому кассета вращается вокруг шпинделя 1 быстрее, чем эксцентрик 5. Это обеспечивает плавное перемещение кристаллических

20 элементов от внутренней кромки поверхности притира к ее внешней кромке и обратно. В устройстве основной несбалансированной массой является эксцентрик 5. При его вращении воз25 никают значительные вибрации, которые приводат к появлению ударных нагрузок на кристаллические элементы. Для уменьшения этих вибраций эксцентрик 5 выполнеИ из полиуретана и пус30 тотелым. Применение в качестве материала эксцентрикового вала полиуретана позволяет исключить подшипник скольжения между эксцентриком и шпинделем 1, так как пара полиуреJJ тан-сталь является подшипниковой.парой с малым коэффициентом трения.

Вращение эксцентрика за счет крутящего момента, обусловлейного силами трения между кристаллическими элемента1 и и притирами, вместо при- нудит(У1ьного.его вращения, позволяет обрабатывать кристаллические элементы толщиной до 20 мкм с высокой скоростью сошлифовки (до 5 мкм/мин

при шлифовании микропорошком М5).

Корректор Е. Сирохман