Усилитель считывания на полевых транзисторах Советский патент 1989 года по МПК G11C7/06 

Описание патента на изобретение SU1464210A1

Uon

4i 0д

rs:)

Похожие патенты SU1464210A1

название год авторы номер документа
Усилитель считывания для полупроводникового запоминающего устройства на полевых транзисторах с барьерным переходом 1983
  • Артеменков Александр Викторович
  • Братов Владимир Алиевич
  • Старосельский Виктор Игоревич
  • Суэтинов Вячеслав Игоревич
SU1109797A1
Выходной усилитель 1981
  • Хохлов Лев Михайлович
  • Бухштаб Адольф Игоревич
  • Беленький Юрий Вениаминович
  • Кугаро Виктор Станиславович
SU1015436A1
Адресный формирователь 1981
  • Хохлов Лев Михайлович
  • Бухштаб Адольф Игоревич
  • Беленький Юрий Вениаминович
  • Кугаро Виктор Станиславович
SU1014027A1
Динамический усилитель считывания на МДП-транзисторах 1986
  • Однолько Александр Борисович
  • Бочков Александр Николаевич
SU1336101A1
Логический элемент на полевых транзисторах 1986
  • Братов Владимир Алиевич
  • Кравченко Лев Николаевич
  • Сапельников Александр Николаевич
  • Старосельский Виктор Игоревич
  • Суэтинов Вячеслав Игоревич
  • Хлыбов Александр Иванович
SU1406778A1
Усилитель считывания 1980
  • Баранов Валерий Викторович
  • Герасимов Юрий Михайлович
  • Григорьев Николай Геннадьевич
  • Кармазинский Андрей Николаевич
  • Поплевин Павел Борисович
  • Савостьянов Эдгар Павлович
SU928406A1
Усилитель считывания для интегрального запоминающего устройства 1976
  • Минков Юрий Васильевич
  • Соломоненко Владимир Иванович
SU928405A1
Усилитель-формирователь 1982
  • Сидоренко Владимир Павлович
  • Хцынский Николай Иванович
  • Хоружий Анатолий Анатольевич
  • Куриленко Светлана Викторовна
SU1065883A1
Усилитель считывания для интегрального запоминающего устройства 1980
  • Агапкин Виктор Петрович
  • Феденко Леонид Григорьевич
SU888206A1
ФОТОПРИЕМНЫЙ ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ 1993
  • Панков Б.Н.
RU2043665C1

Иллюстрации к изобретению SU 1 464 210 A1

Реферат патента 1989 года Усилитель считывания на полевых транзисторах

Изобретение относится к микроэлектронике более конкретно к. интегральным схемам памяти, и может быть использовано в интегральных схемах оперативных, буферных и постоянных запоминающих усфоиств статического типа для считывания информации записанной в выбранном элементе памяти. Целью изобретения является повышение быстродействия усилителя считывания. Усилитель считывания содержит шину 1 считывания являюшуюся входом усили1еля считывания, подключенную к первому выводу нагрузочного элемента 2 и к входу инвертора 3 второй вывод нагрузочного элемента и вы хот инвертора объединены и подключены к входу усилительного элемента 4, выход 5 усичительного элемента является выходом СИ1ителя считывания. Максимальный эффект достигается выполнением нагрузочного элемента в виде полевого транзистора. 2 ил. § (Л с:

Формула изобретения SU 1 464 210 A1

ц

сг

6 -ОИзобретение относится к микроэлектронике, более конкретно к интегральным схемам памяти, и мож ет быть иснользовано в интегральных схемах оперативных, буферных и постоянных запоминаюдшх устройств (ЗУ) статического типа для считывания информации, записанной в выбранном элементе памяти.

Целью изобретения является повышение быстродействия усилителя считывания.

На фиг. 1 представлена структурная схема усилителя считывания ЗУ; на фиг. 2 - электрическая схема усилителя считывания выполненного на основе нормально закрытых и нормально открытых полевых транзисторов с затвором Шотки (ПТШ).

Усилитель считывания (фиг. 1) содержит шину 1 считывания, являющуюся входом усилителя считывания, подключенную к первому выводу нагрузочного элемента 2 и к входу инвертора 3, второй вывод нагрузочного элемента и выход инвертора объединены и подключены к входу усилительного элемента 4, выход 5 усилительного элемента является выходом усилителя считывания.

Максимальный эффект достигается выполнением нагрузочного элемента в виде полевого, транзистора (фиг. 2) на примере усилителя считывания на осн ове нормально закрытых п-канальных ПТШ (напряжение отсечки положительно) и нормально открытых п-кзнальных ПТШ (напряжение отсечки отрицательно). Нагрузочный элемент 2 выполнен в виде нормально открытого ПТШ,

исток которого является вводом, затвор -

выводом, а сток подключен к напряжению питания. Инвертор 3 содержит нормально закрытый инвертирующий ПТШ, затвор которого является входом, исток подключен к общей 1яине, а сток яв.ляется выходом и подключен к объединенным электродам затвора и истока нагрузочного нормально открытого ПТШ, сток которого подключен к напряжению питания.

Величина опорного напряжения Uon на выходе инвертора 3 автоматически устанавливается такой, чтобы обеспечить протекание тока считывания « в цепи истока ПТШ нагрузочного элемента 2, напряжение затвор- исток которого составляет U, Ucn-

Uo4.

Если транзисторы инвертора 3 (инвертирующий и нагрузочный), работающие в но- логой области вольтамперной характеристики, являются идеальными источниками тока, не зависящего от напряжения сток-исток, то потенциал Ue тины 1 считывания не зависит от тока считывания « и определяется напряжением затвор-исток инвертирующего транзистора инвертора 3, соответствую0

5

0

.5

0

5

0

5

0

5

щим протеканию через него тока нагрузочного транзистора инвертора 3. В этом случае при изменении тока считывания 1сч на величи ну Д1сч потенциал Ucs шины 1 считывания остается постоянным (), а величина опорного напряжения Uon изменя- , ется, обеспечивая переключение усилительного элемента 4. Изменение опорного напряжения Liw при изменении тока считывания 1еч определяется вольтамнерной характеристикой транзистора нагрузочного элемента 2

I IOM- (Ui.-Uo«) (Uon-Ut, иц

AU(VC.-.4iI)/, где i«.c напряжение отсечки ПТШ 2; 11 -и1сц - значения тока считывания, соответствующие состояниям логического нуля и единицы;

J5 - коэффициент, пропорциональный щирине канала транзистора нагрузочного элемента 2.

Таким образом, необходи.мая величина перепада напряжения и Uon на входе уси- . лительного элемента 4 может быть получена надлежащим выбором щирины канала инвертирующего транзистора инвертора 3. Реальные полевые транзисторы (инверторный и нагрузочный) инвертора 3 не являются идеальными источниками тока, поэтому перепад напряжения U« на шине 1 считывания остается конечным, однако его величина может быть сделана достаточно малой по сравнению с перепадом опорного напряжения (например, 4 UM 0,1 AllU ). При заданной величине перепада напряжения на входе усилительного элемента 4 это обеспечивает существенное (например, десятикратное) уменьшение времени задержки между моментом изменения тока считьгания 1сч и моментом переключения усилительного элемента, так как это время задержки прямо пропорционально перепаду напряжения дЦч. Следовательно, наблюдается существенное повышение быстродействия предлагаемого усилителя считывания по сравнению с известным.

Формула изобретения

Усилитель считывания на нолевых транзисторах, содержащий нагрузочный элемент, один выход которого является входом усилителя считывания, и усилительный элемент, отличающийся тем, что, с целью повыщения быстродействия усилителя считывания, в него введен инвертор, вход которого соединен с шиной считывания, а выход - с вторым выводом нагрузочного элемента и с входом усилительного элемента, выход которого является выходом усилителя считывания.

Фаъ.1

SU 1 464 210 A1

Авторы

Старосельский Виктор Игоревич

Суэтинов Вячеслав Игоревич

Братов Владимир Алиевич

Кравченко Лев Николаевич

Адамов Юрий Федорович

Сапельников Александр Николаевич

Даты

1989-03-07Публикация

1987-07-17Подача