Изобретение относится к выращиванию кристаллов, применяемых в электронной и химической промышленности, в цветной металлургии, и касается устройства для выращивания монокристаллов методом вытягивания из тигля с расплавом.
Цель изобретения - снижение высоты устройства, повышение жесткости конструкции и удобства обслуживания.
На фиг. 1 представлено устройство, продольный разрез; на фиг.2 - вид А на фиг.1; на фиг.З - разрез Б-Б на фиг 1; на фиг.4 - разрез В-В на фиг.З.
Устройство содержит герметичную камеру 1 с рубашками охлаждения 2, Камера 1 содержит две горизонтальные плиты 3 и 4, размещенные одна над другой и скрепленные вертикальными рамой 5 и дополнительной рамой б, установленными параллельно. Рамы 5 и 6 снабжены дверями 7 и 8 соответственно. В верхней плите 4 выполнен люк 9 с крышкой 10, на которой установлен механизм 11 вращения и вертикального перемещения затравкодержателя 12. Внутри камеры 1 установлен съемный тигель 13, окруженный нагревателем 14. Тигель 13 размещен нэ штоке 15, который связан с датчиком массы 16, жестко закрепленным на нижней плите 3. Устройство включает пульт управления 17, в который входят блоки управления двигателями механизма вращения и вытягивания монокристаллов, уравновешивания весов, формирования задания веса, формирования закона регулирования, автоматического регулирования температуры, регистратор температуры и регистратор веса автокомпенсационный (не показаны).
Устройство работает следующим образом
После загрузки шихты в тигель 13 его устанавливают через люк 9 на штоке 15, опуская тигель вертикально вниз. Устанавливают крышку 10 с механизмом 11 и герметизируют камеру. Включают электропитание нагревателя 14, плавят шихту в тигле 13, производят затравливание и далее процесс выращивания проводится в автоматическом режиме по заданной программе.
После окончания процесса выращенный кристалл извлекают из камеры через
О
ю
4Ь О
о о
шок 9. Также через люк 9 извлекает тигель 13 с остатками шихты.
Использование предлагаемого устройства Р отличие от известного позволяет на 30 - 50% сократить высоту камеры, и на 10 - 20% ширину, тем самым повысив еэ компактность, жесткость, устойчивость и удобство в обслуживании,
Выполнение операции загрузки тигля облегчается наличием люка в верхней пли- те, через который тигель извлекается из печи и из камеры простым подъемом. При установке тигля внутри печи сверху и с боков обеспечен достаточный обзор и доступ к тиглю. Операция извлечения и установки тигля с шихтой легко механизируется с помощью обычных грузоподъемных устройств.
Формула изобретения
Устройство для выращивания кристаллов, включающее герметичную охлаждав-
мую камеру, снабженную вертикальной рамой с дверью, съемный тигель, размещенный внутри камеры и связанный с датчиком массы, нагреватель, расположенный коак- сиально тиглю, и затравкодержатель установленный над тиглем и снабженный механизмом вращения и вертикального перемещения, отличающееся тем, что, с целью снижения высоты устройства, повышения жесткости конструкции и удобства обслуживания, камера снабжена горизонтальными плитами, установлении ми по ее торцам, и дополнительной вертикальной рамой с дверью для крепления плит, в верхней плите выполнен люк диаметром, большим диаметра тигля, снабженный крышкой, на которой установлен механизм вращения и перемещения за- траикодержателя, а датчик массы жестко креплен на нижней плите.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ САПФИРА | 2003 |
|
RU2232832C1 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ САПФИРА | 2005 |
|
RU2304641C2 |
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА | 2014 |
|
RU2560402C1 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ САПФИРА | 2005 |
|
RU2316621C2 |
Устройство для получения нитевидных монокристаллов | 1990 |
|
SU1736209A1 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ | 1996 |
|
RU2102541C1 |
Способ получения монокристаллов сложных окислов и устройство для его осуществления | 1983 |
|
SU1165095A1 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ | 1996 |
|
RU2102540C1 |
СПОСОБ РЕГУЛИРОВАНИЯ ПЛОЩАДИ ПОПЕРЕЧНОГО СЕЧЕНИЯ КРИСТАЛЛА В ПРОЦЕССЕ ЕГО ВЫРАЩИВАНИЯ ВЫТЯГИВАНИЕМ ИЗ РАСПЛАВА | 2013 |
|
RU2549411C2 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА | 2003 |
|
RU2222645C1 |
Изобретение относится к технике получения искусственных кристаллов и обеспечивает снижение высоты устройства, повышение жесткости конструкции и удобства обслуживания. Камера устройства выполнена в форме двух горизонтальных плит, скрепленных вертикальными рамами, имеющими двери. В верхней плите выполнен люк, на крышке которого установлен механизм вращения и перемещения затравко держателя. Высота камеры снижена на 50%. 4 ил.
А
17
16
Фиг.;
Фиг. 2
П
В
Фиг.З
Фиг. 4
в
ШПАЛОРЕЗНЫЙ СТАНОК | 1922 |
|
SU607A1 |
Выставка научного приборостроения | |||
Анотированный каталог | |||
Колосниковая решетка с чередующимися неподвижными и движущимися возвратно-поступательно колосниками | 1917 |
|
SU1984A1 |
Способ получения бензидиновых оснований | 1921 |
|
SU116A1 |
Авторы
Даты
1991-01-30—Публикация
1988-09-28—Подача