Резистивный материал Советский патент 1976 года по МПК H01C7/00 

Описание патента на изобретение SU520628A1

1

: Изобретение относится к радиоэлектрони- Ке. Резистивный материал может применен в качестве проводящего слоя,для реаистйвных элементов схем и тонкослойньис металлодиэл ектрических резястров. -Известен резистивный материал, преиму-, ,щественно для ,металлодиэлбктричес1шх рб1зисторов, на основе хрома, содержагшгй железо, никель и смесь окислов SiOg,A. Саб , Р , Ti0, . .

; Из ЭТОГО материала дутем термического кспарения в вакууме получают резистивные пленки с удельнымсопротивлением от 5 OM/Q Яб 1О KOM/tJ при теглпературном коэффициiенте,сопротивления (ТКС) в пределах (-:200ч+ 100): 1/°С.

Однако при удельных сопротивлекиях ре- зистивных слоев менее 1О ом/О возраста-. ет абсолютная величина ТКС, Кроме того, ТКС зависит от удельного сопротивления. ; I . Цель изобретения - сншквкае ТКС и умень-шенне;его зависимости от удельного сопротивления резистивного слоя,- . I Предлагаемый материал отличается тем, что в него введен алюминий при следующем:

количественном соотно 11ении «сходных комjnoHGHTOB (вес,%):

90

40 О,1

Хром

2О 20 Железо Никель О,1

- 5,О 0,1 Алюминий

Смесь окислов

остальмоеНикепь резко : смещает- ТКС в область положительных значений, но при испарении Данного cocTaBaiOH взаиь/ одейстБует с-материалом испарителя.

1 Желэзо и никель в соотношении (0,): 1... |исшпоча1ру указанный дедQCTflTOK. Для |более плавного смещении ТКС в область положительных ;аначений и i уменьшения абсо- ...лютных значений ТКС до| (i 10 - 100) too - 1/ с введен алюминий.

Для по.т5учения резистквнрго материала быг/и лодготоваены Три состава с соотношвг : НИ6М иагрй.аиентов1указанным в табяггцо.. : Термическим испарением в вакуукш из составов получены резистивные пленки, .ха« рактернспгки которых также указапь в tafe Лйце,. .

Формула изобретения

Резистивный материал, преимущественно для металлодиэлектрвчвскй }резистороё; ka основе хрома, содержащий железо, никель и смесь окислов SiOpjACj Oj, ВаО,

СаО, ., TiO.

+ ,

отличающийся тем, что, с целью снижения ТКС и уменьшения его завиcHiMocTH от удельного сопротивления реайс« |гивного слоя, в него дополнительно введен алюминий при следующем количёствённом Со отяошенииисходных компонентов (вес.%):

Хром

90 20 20 5,0

40 0,1

Железо

Никель 0,1 Алюминий , 0,1 Смесь окислов

остальное.

Похожие патенты SU520628A1

название год авторы номер документа
Резистивный материал 1979
  • Волкова Вилена Львовна
  • Гудков Алексей Сергеевич
  • Максимцова Галина Абрамовна
  • Ряхин Владимир Федорович
  • Богаткова Валентина Васильевна
  • Котов Юрий Иванович
SU834778A1
Резистивный материал для высокоомных тонкопленочных резисторов 1980
  • Волкова Вилена Львовна
  • Гудков Алексей Сергеевич
  • Ряхин Владимир Федорович
  • Максимцова Галина Абрамовна
  • Богаткова Валентина Васильевна
  • Загинайло Владимир Иванович
  • Закс Илья Владимирович
SU924765A1
РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ 2007
  • Уткин Валерий Николаевич
  • Кортунова Людмила Яковлевна
  • Семенова Алевтина Юрьевна
RU2330342C1
Способ изготовления тонкопленочного прецизионного резистора 2022
  • Гурин Сергей Александрович
  • Печерская Екатерина Анатольевна
  • Новичков Максим Дмитриевич
  • Кузнецова Елена Александровна
RU2818204C1
Способ изготовления пленочных цилиндрических резисторов 1980
  • Волкова Вилена Львовна
  • Гудков Алексей Сергеевич
  • Ряхин Владимир Федорович
  • Максимцова Галина Абрамовна
  • Богаткова Валентина Васильевна
  • Загинайло Владимир Иванович
  • Закс Илья Владимирович
SU1109814A1
Материал для высокоомных резисторов 1972
  • Блудов Михаил Сергеевич
  • Богаткова Валентина Васильевна
  • Слягин Альберт Анатольевич
SU438050A1
Комбинированная тонкоплёночная резистивная структура с температурной самокомпенсацией 2022
  • Новичков Максим Дмитриевич
  • Гурин Сергей Александрович
  • Печерская Екатерина Анатольевна
  • Шепелева Анастасия Эдуардовна
RU2808452C1
Способ изготовления тонкопленочного резистора 2018
  • Новожилов Валерий Николаевич
RU2700592C1
РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ 1983
  • Ряхин В.Ф.
  • Волкова В.Л.
SU1119515A1
РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ 2008
  • Уваров Дмитрий Иванович
  • Уткин Валерий Николаевич
RU2369934C1

Реферат патента 1976 года Резистивный материал

Формула изобретения SU 520 628 A1

SU 520 628 A1

Авторы

Волкова Вилена Львовна

Гудков Алексей Сергеевич

Котов Юрий Иванович

Максимцова Галина Абрамовна

Ряхин Владимир Федорович

Смирнова Людмила Николаевна

Иванова Вера Константиновна

Даты

1976-07-05Публикация

1975-01-17Подача