1
: Изобретение относится к радиоэлектрони- Ке. Резистивный материал может применен в качестве проводящего слоя,для реаистйвных элементов схем и тонкослойньис металлодиэл ектрических резястров. -Известен резистивный материал, преиму-, ,щественно для ,металлодиэлбктричес1шх рб1зисторов, на основе хрома, содержагшгй железо, никель и смесь окислов SiOg,A. Саб , Р , Ti0, . .
; Из ЭТОГО материала дутем термического кспарения в вакууме получают резистивные пленки с удельнымсопротивлением от 5 OM/Q Яб 1О KOM/tJ при теглпературном коэффициiенте,сопротивления (ТКС) в пределах (-:200ч+ 100): 1/°С.
Однако при удельных сопротивлекиях ре- зистивных слоев менее 1О ом/О возраста-. ет абсолютная величина ТКС, Кроме того, ТКС зависит от удельного сопротивления. ; I . Цель изобретения - сншквкае ТКС и умень-шенне;его зависимости от удельного сопротивления резистивного слоя,- . I Предлагаемый материал отличается тем, что в него введен алюминий при следующем:
количественном соотно 11ении «сходных комjnoHGHTOB (вес,%):
90
40 О,1
Хром
2О 20 Железо Никель О,1
- 5,О 0,1 Алюминий
Смесь окислов
остальмоеНикепь резко : смещает- ТКС в область положительных значений, но при испарении Данного cocTaBaiOH взаиь/ одейстБует с-материалом испарителя.
1 Желэзо и никель в соотношении (0,): 1... |исшпоча1ру указанный дедQCTflTOK. Для |более плавного смещении ТКС в область положительных ;аначений и i уменьшения абсо- ...лютных значений ТКС до| (i 10 - 100) too - 1/ с введен алюминий.
Для по.т5учения резистквнрго материала быг/и лодготоваены Три состава с соотношвг : НИ6М иагрй.аиентов1указанным в табяггцо.. : Термическим испарением в вакуукш из составов получены резистивные пленки, .ха« рактернспгки которых также указапь в tafe Лйце,. .
Формула изобретения
Резистивный материал, преимущественно для металлодиэлектрвчвскй }резистороё; ka основе хрома, содержащий железо, никель и смесь окислов SiOpjACj Oj, ВаО,
СаО, ., TiO.
+ ,
отличающийся тем, что, с целью снижения ТКС и уменьшения его завиcHiMocTH от удельного сопротивления реайс« |гивного слоя, в него дополнительно введен алюминий при следующем количёствённом Со отяошенииисходных компонентов (вес.%):
Хром
90 20 20 5,0
40 0,1
Железо
Никель 0,1 Алюминий , 0,1 Смесь окислов
остальное.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Резистивный материал | 1979 |
|
SU834778A1 |
Резистивный материал для высокоомных тонкопленочных резисторов | 1980 |
|
SU924765A1 |
РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ | 2007 |
|
RU2330342C1 |
Способ изготовления тонкопленочного прецизионного резистора | 2022 |
|
RU2818204C1 |
Способ изготовления пленочных цилиндрических резисторов | 1980 |
|
SU1109814A1 |
Материал для высокоомных резисторов | 1972 |
|
SU438050A1 |
Комбинированная тонкоплёночная резистивная структура с температурной самокомпенсацией | 2022 |
|
RU2808452C1 |
Способ изготовления тонкопленочного резистора | 2018 |
|
RU2700592C1 |
РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ | 1983 |
|
SU1119515A1 |
РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ | 2008 |
|
RU2369934C1 |
Авторы
Даты
1976-07-05—Публикация
1975-01-17—Подача