Инжекционный запоминающий элемент Советский патент 1978 года по МПК G11C11/40 

Иаобрегвнне относигса к обпасги вычиспигепьной техники и предназначено дпя использования в качестве запоминающего, элемента инжекционных интегральных за-ч поминающих устройств.

Известно частогно-нмпульсное Бычитa. ющее устройство, содержащее триггер, рвверсйвный счегчнк, схему сборки и импуйьсно-потенциапьные схекоа совпадения J . Нед сю татком такого устройства явпявтся спожносгь его построения.

Бпнжайшим по технической сущности звпяетса инжекционный запомннакнций элемент, содержащий тргатер, выпопненный на а.вут(. транзистсрах, эмиттфы которых соединены с шиной нулевого потенциапа, базы соединены генераторы тока с шиной нулевого потенциала в первыми ког1пектг ами соотввтствукддих транзисторов записи-ючитывания, эмитт ы которых noflh кпючены к шине нулевого потенциала, ба- подключены через генераторы тока к шине нулевого потенциала, разрядные шины и шины Ызгборки ,2 .

Недостагломизвестного элемента я&пяется высокая потребляемая мседность.

Цепь изобретений состоит в снижении JvSMUHOcTH, потребляемой элементом.

Эта цепь достигается тем, что вторые коллекторы транзисторов записн-считываявя соединены с шнной выб(ки, а баз1 с соОтветсгвугопшми ра ядными шинами.

На фип 1 показана принципиальная схема элемента; на фиг. 2 - входные харак;Теристики одного из транзисторов считыв Ьия - записи.

Триггер шлпопнен на транзисторах 1 ц 2, причем базаЦ-р- г транзисг(эра 1 подключена к коппектору транзистора 2 и к первому коллектору двухкоппекторного ||-рч|1: транзистора 3. База транзистора 2 объединена с коллекторе транзистора 1 и первым коллект1 ом двухкол лек торного ft-P- l транзистора 4.Вторые коллекторы Гранзибтс ов 3 н 4 подключены к шине выборки( слова) 5, а базы их ,к радэядным шинам (счнтывания-запнси) 6 и 7. К базам 1ранзнсторов 1 н 2 подроединены положительные полюсы генераторов тока 8 и 9 соответсгвенно, а к &зам транзисторов 3 и 4 - попожитепьные ПОП1ЮСЫ.генератс ов тока 1О и 11 соогэегсгввнно, Огрицагепьные попюсы всех генераторов тока, а также эмиттеры всех гранзисторов, подключены к шине нупевого потенциала 12. Запоминающий эпемент работает в трех реокимах: -режим считывания; -режим записи; - режим хранения при обращении к любым другим ячейкам памяти. В режиме считывания на шиву Б пода егся сигнал выбора спова - низкий уровень потенцйапа, а на шинах 6 и 7 создаегся режим холостого хода. Есгш процессу считывания предшест вовапо состояние триггера на транзисторах 1,2 с высоким уровнем потенциапа / на коппектс в транзистора 1 и низким уровнем потенциаиа на коллекторе транзистора 2, при которых входной хе акте- ристике транзистора 3 будет соответстви вать кривая 1 на фиг. 2, а входной характеристике транзистора 4 - кривая 2 то, после того, как токи генераторов Ю и 11 потекут в базы трайзисторов 4 и $ соответственно, на шине 6 установится потенциал g. ® ® шине 7 - потенциал дх- При обратном распределении п тенциалов на коллекторах транзисторов 1,2 на шине в установится потенциал , а на шине 7 {- пргенпиап URU-: Разность потенциалов -Ц у мойсет бмгь зарегистрирована аифференциаль ным усилителем или пороговым устройсг вом. Поэтому, например, при создании на шине 6 режима холостого хода н подаче на шину 7 низкого уровня потенциапа, транзистор 4 вкпючи са н замкнет на св бя ток генератора 9 Транзистор 2 выключается. Транзистор 3 также выключит ся, поскольку на его базе, связанной с шиной 7, установлен низкий уровень потенциала. После этого гок генератора 8 потечет в базу транэвстора 1 и пройесс записи закончится. К концу записи на базе 1раизистора 4 установится потенциал UB при входном токе Звх (см. фиг.2). Аналогично осущесгвпяетсй запись пр создании режима холостого хода на шине 7 и подаче на шину 6 низкого уровня потенциала. В режим хранения элемент переходит после подачи на шину 5 высокого уровнч потенциала. В этом случае входные характеристики транзисторов 3,4 будут соответствовать кривым 3 н 4 на фиг. 2. Для того, чтобы кривые 2 в 3 не совнадалн, йёоЬходимо инверсный коэффициент усиления по току транзисторов 3,4 по коллекторам, связанным с шиной выSqpa спова,: сделать меньше, чем по кол-лектс эам, связанным С тригтерными травзнсторами 1 и 2. Так как по условию работы потенциалы на шинах в и 7 не могу г превысить равновесных зн19чений U или U, то входные токи транзисторов 3 и 4 в этом режиме работы не будут превышать J«j и Э у (см. фиг.2). Эти токи лежат ниже порога включения транзисторов 3, 4 и поэтому доступ к триггеру на транзисторах 1, 2 невозможен. Инжекционный запоминакиций эпемент Использует эффект ишкекцин из подложки /р- TBJCa, не требует изоляции слов или разрядов друг от друга и обладает высевкой степенью интеграции и малой потребляемой мсмцностью. Формула изо-бретеввя Инжекционный I запоминающий элемег, содержащий триггер, выполненный на двух транзистфах, эмиттеры которых соедине ны с шиной нулевого потенциапа, базы соединены через генераторы тока с швной купёвсяо потенциала и первыми коллекторами соответствукицих транзисторов запи си-считывания, эмиттеры которых подключены к шине нулевого потенциала, базы подключены генераторы тока к шине нулевого потенциала, разрядные шины в ошну выборки, отличающийс а тем, что, с целью снижения Гмощноотя, потребляемой элементом, кол лекторы транзисторов записи-считывания соединены с шиной выборки, а базы с соответствующими разрядными шинами. Источники информации, принятые во ениманне при экспертизе: 1. АвторскЬе свидетельство СССР № 284442, кл. Grll С 11/4О, 197О. 2. Патент Франции № 2О88388, кл. till С 11/4О, 1972.

AM

/2 iput. i

a

8

r

#

h

1

gK