Способ изготовления резистивных элементов из микропровода в стеклянной изоляции Советский патент 1982 года по МПК H01C17/00 H01F41/04 

Изобретение относится к приборобтроенкю, а именно к производству ре зисторов из микропровода в стеклян-. ной изоляции. Наиболее близким к предлагаемому по технической сушности и достигае:мому результату является способ изготовления резистивных элементов путем намотки спирали из литого микропровода в стеклянной изоляции при температуре размягчения Стекла и пос тоянстве произведения межвиткового давления на температуру 1. Недостатком известного способа является то, что он не обеспечЙ вает необходимого выхода годных изделий при изготовлении резисторов из микропровода с диаметром менее 50 мкм. Цель изобретения - повышение выхода годных при диаметре микропровод менее 50 мкм. , Указанная цель достигается тем, НТО в способе изготовления fie- зистивных элементов из микропровода В стеклянной изоляции,заключающем ся в намотке микропровода при температуре размягчения стекла и постоянстве величины произведения межвиткового давления на температуру,намот ку микропровода ведут совместно с на моткой стекловолокна,а величину произведения межвиткового давления на температуру для стекловолокна выбирают большей величины произведения давления на температуру для микропровода. Совместная намотка микропровода и стекловолокна обеспечивает сохранение целостности микропроврда с диаметров менее 30 мкм и, KiaK следствие - повышение выхода годных резисторов за сче того, что основное усилие натяжения восприншлает более толстое стекловолокно. Использование предлагаемого способа повьшает сопротивление резистивных элементов за счет выполнения их из более тонкого микропровода. Формула изобретения Способ изготовления резистивных элементов из микропровода в стеклянной изоляции, заключающийся в ;намотке микропровода при температуре размягчения стекла и Постоянстве вели-, чины произведения межвиткового давления на температуруj от л и ч а ющ и и с я тем, что, с целью повушения выхода годных при диаметре микропровода менее 50 мкм, намотку микропровода ведут совместно с намоткой

39116324

стекловолокна, а величину произведе-Источники информации,

ния межвиткового давления на те.мпе-принятые во внимгмжо при 3icr;iiet.iTH3o

ратуру для стекловолокна выбирают

большей величины произведения межвит- 1. Авторское свидете льство СССР

кового давления на температуру для 384148, кл. Н 01 F 41/04, 1971

микропроводд. .(прототип) .