РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ Российский патент 1999 года по МПК H01C7/00 H01C7/108 H05B3/10 

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано при формировании пленочных резисторов с высоким удельным сопротивлением и высокой температурной стабильностью в диапазоне рабочих температур до 400^oC.

Известен материал на основе полутороокиси висмута с добавками окислов цинка и кобальта при различном содержании компонентов - от 0,065 до 90% (патент Японии N 51-2638, кл. 62 A 221.1, 30.11.76).

Такой материал имеет низкую температурную стабильность.

Наиболее близким техническим решением является резистивный материал на основе полутороокиси висмута с добавкой полутороокиси лантана при следующем количественном соотношении компонентов, мас.%:
Bi₂O₃ - 90,0 - 99,9
La₂O₃ - 0,1 - 10,0
(авторское свидетельство N 945909, кл. H 01 C 7/00, 1981).

Такой материал также характеризуется низкой температурной стабильностью и не может быть использован для формирования высокоомных стабильных пленочных резисторов.

Задачей, на решение которой направлено изобретение, является повышение температурной стабильности пленочных резисторов из этого материала.

Поставленная задача решается тем, что резистивный материал, включающий полутороокись висмута, содержит полутороокись неодима при следующем количественном соотношении компонентов, мас.%:
Bi₂O₃ - 5,0 - 95,0
Nd₂O₃ - 5,0 - 95,0
Резистивный материал может дополнительно содержать двуокись рутения (RuO₂) в количестве 1,0 - 10,0%.

Были приготовлены образцы заявляемого резистивного материала с различной концентрацией входящих в его состав компонентов, из которых методом традиционной толстопленочной технологии, включающей шелкотрафаретную печать с последующим вжиганием, были получены пленочные резисторы. Результаты сведены в таблицу.

Как следует из таблицы, пленочные резисторы из предлагаемого материала характеризуются высокой температурной стабильностью, а сам материал имеет простой химический состав.

Изобретение относится к электротехнике может быть использовано при формировании пленочных резисторов с высоким удельным сопротивлением и высокой температурной стабильностью в диапазоне рабочих температур до 400^oC. Резистивный материал включает полутороокись висмута (Вi₂O₃) в количестве 5,0 - 95,0 мас. % и полутороокись неодима (Nd₂O₃) в количестве 5,0 - 95,0 мас.%. Кроме того, дополнительно резистивный материал может содержать двуокись рутения (RuO₂) в количестве 1,0 - 10,0 мас.%. Изобретение позволяет получить пленочные резисторы, характеризующиеся высокой температурной стабильностью. 1 з.п. ф-лы, 1 табл.

1. Резистивный материал, включающий полутороокись висмута, отличающийся тем, что он содержит полутороокись неодима при следующем количественном соотношении компонентов, мас.%:
BiO₃ - 5,0 - 95,0
Nd₂O₃ - 5,0 - 95,0
2. Резистивный материал по п.1, отличающийся тем, что дополнительно содержит двуокись рутения (RuO₂) в количестве 1,0 - 10,0 мас.%.