Шихта для получения керамического материала Советский патент 1986 года по МПК C04B35/18 

Изобретет-ie относится к производ ству изделий с повышенными диэлектрическими и механическими свойствами, которые используют в условиях резких перепадов температур, например армированных изоляторов в электрова- уумных приборах .

Цель изобретения- снижение тангенса угла диэлектрических потерь и температурного коэффициента линейного расширения в интервале температур 20-100 С.

Приготовление материала осуществляют по обычной керамической технологии. Помол-и смешение компонентов проводят мокрым способом в шаровой мельнице, размер частиц после помола 1-3 мкм. Затем шликер подвергают фильтр-прессованию, массу проминают и вакуумируют..

Изделия можно оформлять всеми известными способами, (протяжкой, прессованием, горячим ли тьем) . После оформления изделия сушат и обжигают при 1370-1450 С.

Датолитовый концентрат, получаемый обогащением датолитовых руд, представляет собой борокальциевый силикат Са В (SiO) J (ОН) . Использование датолитового концентрата способствует улучшению свойств керамического материала за счет снижения потерь в обжиге, а также за счет иного протекания процессов растворения - осаждения и перекристаллизации при его обжиге и спекании по сравнению с известными материалами, поскольку при обжиге предлагаемого материала значительное количество жидкой фазы появляется при плавлении датолита (или продуктов его частичного разложения, например, бората и тетрабора- та кальция), в которой растворяются другие компоненты.

Составы шихт приведены в табл. 1, свойства материала - в табл. 2.

12473706

Т а бли ц а 2

ПоказательСостав

.LlIIZIZIIIEr-IirZ.

Тангенс, угла : диэлектрических потерь tgSxIO при МГц и t 20°C53454444

ТКЛР oL-IO

1/Гс

20-100°С4,3 4,3 4,4 4,4 4,4 4,5 4,7 4,6

Продолжение табл.2

Показатель

9 | 10 Г 11 Г 12 13 Г 14 I 15

Тангенс угла диэлектричес- -;ких потерь tgS xIO npH МГц

- ° 4334-654

ТКЛР -10

,6 4,6 4,5 4,5 4,6 4,6 4,6

:20-100 С

Составитель Р.Малькова Редактор. Н.Киштулинец Техред И.Попович: Корректор М.Самборская

Заказ 4075/24 . Тираж 640 , Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г.Ужгород, ул,Проектная, 4