Способ обращения к накопителю Советский патент 1987 года по МПК G11C29/00 

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к запоминающим устройствам.

Цель изобретения - увеличение числа годных накопителей запоминаю- щих устройств за счет снижения требований к годности элементов памяти резервных разрядов, увеличения степени использования годных элементов памяти накопителя и сокращения оборудования для резервных разрядов накопителя,

Способ осуществляют следующим образом.

Сначала проверяют работоспособность всех элементов памяти во всех разрядах ячеек памяти накопителя запоминающего устройства. Запоминают адрес ячеек с дефектными элементами памяти и номера их дефектных разрядов. Определяют m - максимальное число дефектных элементов памяти в ячейке памяти для коррекции дефектШ

В случае обращения к накопителю при записи информационные сигналы подают в годные и соответствующие резервные разряды ячеек накопителя, а при считывании информации из этих же ячеек памяти накопителя информации считывается из годных и соответствующих резервных разрядов ячеек накопителя, при этом сигналы из дефектных элементов памяти выбранной ячейки памяти блокируются. При обращении к ячейке, все разряды которой годные (а элементы памяти резервных 15 разрядов этой ячейки могут быть дефектными) , информационные сигналы подаются и снимаются с годных разрядов, а резервные разряды при этом блокируются. Формула изобретения

Способ обращения к накопителю, заключающийся при записи в подаче информационных сигналов в годные и резервные разряды ячеек памяти нако20

ных элементов разрядов K(K9in). Пер- 25 пителя, а при считывании информации

вым в качестве резервного выбирают разряд, содержащий наибольшее количество дефектных элементов памяти. Следующие К-1 резервные разряды выбираются так, чтобы в резервных разрядах в каждой ячейке памяти бьшо не более К-т дефектных элементов памяти и сумма всех дефектных элементов всех К резервных разрядов получилась наибольшей. Таким образом, наибольшая часть дефектных элементов памяти исключается из обращения, а остальные дефектные элементы памяти заменяются годными в резервных разрядах этих же ячеек.

Редактор В.Петраш Заказ 6297/52

Составитель В.Рудаков Техред. М.Дидык

Корректор

Тираж 588Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г.Ужгород, ул.Проектная,4

В случае обращения к накопителю при записи информационные сигналы подают в годные и соответствующие резервные разряды ячеек накопителя, а при считывании информации из этих же ячеек памяти накопителя информации считывается из годных и соответствующих резервных разрядов ячеек накопителя, при этом сигналы из дефектных элементов памяти выбранной ячейки памяти блокируются. При обращении к ячейке, все разряды которой годные (а элементы памяти резервных 5 разрядов этой ячейки могут быть дефектными) , информационные сигналы подаются и снимаются с годных разрядов, а резервные разряды при этом блокируются. Формула изобретения

Способ обращения к накопителю, заключающийся при записи в подаче информационных сигналов в годные и резервные разряды ячеек памяти нако0

30

35

40

из тех же ячеек памяти накопителя - в блокировке сигналов, считанных из дефектных информационных элементов памяти, отличающийся тем, что, с целью увеличения числа годных накопителей, число резервных разрядов накопителя выбирают равным К (где К mi m - максимальное число дефектных элементов памяти в ячейке памяти) при условии, что в каждой ячейке памяти резервные разряды содержат не более К-т дефектных элементов памяти, а сумма всех дефектных элементов памяти в К резервных разрядах наибольшая.

Корректор Г.Решетник

Изобретение относится к вычислительной .технике, в частности к запоминающим устройствам. Целью изобретения является увеличение числа годных накопителей запоминающих устройств за счет снижения требований к годности элементов памяти резервных разрядов., увеличения степени использования годных элементов памяти накопителя и сокращения оборудования для резервных разрядов накопителя. Способ обращения к накопителю заключается в том, что при записи подают информационные сигналы в годные и резервные разряды ячеек накопителя, а при считывании информации из тех же ячеек памяти накопителя блокируют сигналы, считанные из дефектных информационных элементов памяти, при этом число резервных разрядов накопителя выбирают равным К, где га - максимальное число дефектных элементов памяти в ячейке памяти,при условии, что в каждой ячейке памяти резервные разряды содержат не более К-т дефектных элементов памяти, а сумма всех дефектных элементов в К резервных разрядах наибольшая. i (Л