АРСЕНИД-ГАЛЛИЕВЫЙ БУФЕРНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ Российский патент 2022 года по МПК H03F3/45 

Описание патента на изобретение RU2771316C1

Изобретение относится к области аналоговой микроэлектроники и может быть использовано в качестве арсенид-галлиевого выходного каскада различных аналоговых устройств, допускающих работу в условиях воздействия проникающей радиации, низких или высоких температур.

Известно значительное количество схем выходных каскадов и буферных усилителей (БУ) аналоговых микроэлектронных изделий, которые реализуются на биполярных (BJT) и полевых (JFet, КМОП, КНИ, КНС и др.) транзисторах, а также при их совместном включении [1-26]. Сегодня популярны схемы БУ с составными BJT и CMOS (JFET) выходными транзисторами с разными типами каналов [31-33], однотактные БУ с входным CMOS и выходными п-p-n транзисторами [34], двухтактные БУ с выходными однотипными JFET транзисторами и входными биполярными р-n-p (n-р-n) [35], двухтактные БУ на комплементарных JFET транзисторах [36-39], однотактные БУ только на JFET [40]. Известны также нетрадиционные БУ, у которых нагрузка подключается к истоковой [41] или эмиттерной [42, 43] цепям входного дифференциального каскада.

Во многих применениях схема БУ адаптируется под конкретные технологические процессы и внешние воздействующие факторы, например, влияние низких температур и радиации, т.к. только в этом случае обеспечивается реализация предельных параметров БУ.

В настоящее время в российской и зарубежной микроэлектронике уделяется повышенное внимание арсенид-галлиевым микросхемам. Данное направление создания электронной компонентной базы относится к числу наиболее перспективных в задачах космического приборостроения. Однако, особенности арсенид-галлиевых технологических процессов накладывают существенные ограничения на типы реализуемых транзисторов и их характеристики. Так, например, арсенид-галлиевый технологический процесс, освоенный фирмами США [27-30], а также Минским научно-исследовательским институтом радиоматериалов (https://mniirm.by/). ориентирован на изготовление аналоговых схем, содержащих только полевые GaAs транзисторы с управляющим р-n переходом и биполярные GaAs р-n-р транзисторы. Применение других полупроводниковых приборов не допускается. Это накладывает существенные ограничения на схемотехнику аналоговых устройств, ориентированных на данный технологический процесс.

Ближайшим прототипом (фиг. 1) заявляемого устройства является буферный усилитель в структуре входного каскада операционного усилителя по патенту RU 2732583, fig. 1, 2020 г. Он содержит (фиг. 1) первый 1 и второй 2 входы устройства, первый 3 и второй 4 полевые транзисторы с управляющим р-n переходом, истоки которых объединены и подключены к выходу 5 устройства, первый 1 вход устройства соединен с затвором первого 3 полевого транзистора с управляющим р-n переходом, второй 2 вход устройства подключен к затвору второго 4 полевого транзистора с управляющим р-n переходом, сток второго 4 полевого транзистора с управляющим р-n переходом связан с первой 6 шиной источника питания, сток первого 3 полевого транзистора с управляющим р-n переходом подключен ко входу токового зеркала 7, согласованного с первой 6 шиной источника питания, выход токового зеркала 7 связан со второй 8 шиной источника питания через источник опорного тока 9.

Существенный недостаток буферного усилителя - прототипа (фиг. 1) состоит в том, что при его реализации на JFET GaAs полевых транзисторах с управляющим р-n переходом он не может обеспечить двуполярные напряжения в нагрузке RH.

Основная задача предполагаемого изобретения состоит в создании буферного усилителя, реализуемого на JFET арсенид-галлиевых полевых транзисторах с управляющим р-n переходом и биполярных GaAs p-n-р транзисторах, который обеспечивает в нагрузке RH (фиг. 1) выходные токи положительного iH(+) и отрицательного iH(-) направлений.

Поставленная задача достигается тем, что в буферном усилителе фиг.1, содержащем первый 1 и второй 2 входы устройства, первый 3 и второй 4 полевые транзисторы с управляющим р-n переходом, истоки которых объединены и подключены к выходу 5 устройства, первый 1 вход устройства соединен с затвором первого 3 полевого транзистора с управляющим р-n переходом, второй 2 вход устройства подключен к затвору второго 4 полевого транзистора с управляющим р-n переходом, сток второго 4 полевого транзистора с управляющим р-n переходом связан с первой 6 шиной источника питания, сток первого 3 полевого транзистора с управляющим р-n переходом подключен ко входу токового зеркала 7, согласованного с первой 6 шиной источника питания, выход токового зеркала 7 связан со второй 8 шиной источника питания через источник опорного тока 9, предусмотрены новые элементы и связи - между выходом токового зеркала 7 и источником опорного тока 9 включен согласующий двухполюсник 10, выход 5 устройства подключен к эмиттеру дополнительного биполярного транзистора 11, коллектор которого соединен со второй 8 шиной источника питания, причем база дополнительного биполярного транзистора 11 и второй 2 вход устройства связаны с выводами согласующего двухполюсником 10.

На чертеже фиг. 1 показана схема буферного усилителя - прототипа.

На чертеже фиг. 2 представлена схема заявляемого устройства в соответствии с п. 1, п. 2 и п. 3 формулы изобретения.

На чертеже фиг. 3 приведена схема заявляемого устройства по п. 4 формулы изобретения.

На чертеже фиг. 4 показана схема заявляемого устройства в соответствии с п. 5 формулы изобретения, а на чертеже фиг. 5 - в соответствии с п. 6 формулы изобретения.

На чертеже фиг. 6 представлена схема заявляемого устройства в соответствии с п. 7 формулы изобретения.

На чертеже фиг. 7 приведена схема для моделирования GaAs БУ фиг. 5 в среде LTspice без начального смещения на входе при t=27°С, +Vcc=-Vee=10 В, Rload=∞, I1=200 мкА, R1=6.61 кОм с несколькими параллельно включенными транзисторами VT2 (5 шт. ) и VT5 (5 шт. ). При этом в качестве дополнительного биполярного транзистора 11 в схеме фиг. 7 используется составной транзистор Дарлингтона (VT3, VT4).

На чертеже фиг. 8 показана амплитудная характеристика GaAs БУ фиг. 7 в среде LTspice при t=27°С, +Vcc=-Vee=10 В, Rload=∞, I1=200 мкА, R1=6.61 кОм.

Арсенид-галлиевый буферный усилитель фиг.2 содержит первый 1 и второй 2 входы устройства, первый 3 и второй 4 полевые транзисторы с управляющим р-n переходом, истоки которых объединены и подключены к выходу 5 устройства, первый 1 вход устройства соединен с затвором первого 3 полевого транзистора с управляющим р-n переходом, второй 2 вход устройства подключен к затвору второго 4 полевого транзистора с управляющим р-n переходом, сток второго 4 полевого транзистора с управляющим р-n переходом связан с первой 6 шиной источника питания, сток первого 3 полевого транзистора с управляющим р-n переходом подключен ко входу токового зеркала 7, согласованного с первой 6 шиной источника питания, выход токового зеркала 7 связан со второй 8 шиной источника питания через источник опорного тока 9. Между выходом токового зеркала 7 и источником опорного тока 9 включен согласующий двухполюсник 10, выход 5 устройства подключен к эмиттеру дополнительного биполярного транзистора 11, коллектор которого соединен со второй 8 шиной источника питания, причем база дополнительного биполярного транзистора 11 и второй 2 вход устройства связаны с выводами согласующего двухполюсником 10.

На чертеже фиг. 2, в соответствии с п. 2 формулы изобретения, источник опорного тока 9 выполнен на дополнительном полевом транзисторе 12, затвор которого соединен со второй 8 шиной источника питания, а исток через дополнительный резистор 13 подключен ко второй 8 шине источника питания.

Кроме этого, на чертеже фиг. 2, в соответствии с п. 3 формулы изобретения, второй 2 вход устройства связан с согласующим двухполюсником 10 и подключен к выходу токового зеркала 7, а база дополнительного биполярного транзистора 11, связанная с согласующим двухполюсником 10, подключена к источнику опорного тока 9.

В частном случае в качестве согласующего двухполюсника 10 на чертеже фиг. 2 может применяться резистор или р-n переход. Это зависит от выбранных статических токов первого 3 и второго 4 полевых транзисторов с управляющим р-n переходом, а также от характеристик дополнительного биполярного транзистора 11.

На чертеже фиг. 3, в соответствии с п. 4 формулы изобретения, второй 2 вход устройства связан с согласующим двухполюсником 10 и подключен к источнику опорного тока 9, а база дополнительного биполярного транзистора 11, связанная с согласующим двухполюсником 10, подключена к выходу токового зеркала 7. Требования к согласующему двухполюснику 10 в этом случае определяются заданными значениями статических токов первого 3 и второго 4 полевых транзисторов с управляющим р-n переходом (в т.ч. составных), тока дополнительного биполярного транзистора 11, а также их структурой (выполнение данных транзисторов по известным схемам Дарлингтона или Линна, параллельного включения нескольких элементарных транзисторов или целенаправленного выбора ширины их канала).

На чертеже фиг. 4, в соответствии с п. 5 формулы изобретения, в качестве второго 4 полевого транзистора с управляющим р-n переходом используется составной полевой транзистор, содержащий несколько параллельно включенных элементарных полевых транзисторов с управляющим р-n переходом, а в качестве дополнительного биполярного транзистора 11 используется составной транзистор, содержащий несколько параллельно включенных элементарных биполярных транзисторов.

На чертеже фиг. 5, в соответствии с п. 6 формулы изобретения, в качестве дополнительного биполярного транзистора 11 используется составной транзистор по схеме Дарлингтона, содержащий первый 16 и второй 17 согласующие биполярные транзисторы, причем эмиттер первого 16 согласующего транзистора является эмиттером составного транзистора Дарлингтона 11, его база подключена к эмиттеру второго 17 согласующего биполярного транзистора, коллекторы первого 16 и второго 17 согласующих биполярных транзисторов связаны со второй 8 шиной источника питания, а база второго 17 согласующего биполярного транзистора является базой составного транзистора Дарлингтона 11.

На чертеже фиг. 6, в соответствии с п. 7 формулы изобретения, токовое зеркало 7 выполнено на биполярных p-n-р транзисторах и содержит первый 14 и второй 15 биполярные p-n-р транзисторы, эмиттеры которых связаны с первой 6 шиной источника питания, базы объединены и соединены с коллектором первого 14 биполярного p-n-р транзистора, который является входом токового зеркала 7, причем коллектор второго 15 биполярного р-n-р транзистора является выходом токового зеркала 7.

Рассмотрим работу предлагаемого буферного усилителя фиг. 2.

Статический ток первого 3 полевого транзистора с управляющим р-n переходом определяется источником опорного тока 9 и за счет отрицательной обратной связи через токовое зеркало 7 достаточно слабо изменяется в широком диапазоне входных сигналов (uвх(+)). Если на вход 1 подается положительное напряжение относительно общей шины, то это напряжение практически с единичным коэффициентом передачи передается на затвор второго 4 полевого транзистора с управляющим р-n переходом, что вызывает увеличение его тока истока и формирование положительного тока iH(+) в нагрузке RH. При этом ток эмиттера дополнительного биполярного транзистора 11 практически не изменяется.

Когда на вход 1 подается отрицательное напряжение uвх(-) то это напряжение передается на базу дополнительного биполярного транзистора 11, который по цепи эмиттера формирует отрицательное приращение iH(-) в нагрузке RH. При этом максимальные значения Iн.max(-) определяются током I9 источника опорного тока 9 и коэффициентом усиления по току базы β11 дополнительного биполярного транзистора 11:

Iн.max(-)11I9.

Для получения повышенных значений Iн.max(-) в качестве дополнительного биполярного транзистора 11 может применяться несколько параллельно включенных элементарных биполярных транзисторов (фиг. 4) или составной биполярный транзистор 11 (фиг. 5) по так называемой схеме Дарлингтона на согласующих биполярных транзисторах 16, 17.

Максимальное значение тока Iн.max(+) зависит от параметров второго 4 полевого транзистора с управляющим р-n переходом - ширины его канала или числа параллельно включенных элементарных JFET в его структуре.

Амплитудная характеристика предлагаемого БУ фиг. 7, представленная на графиках фиг. 8, показывает, что рассматриваемая схема при двуполярном питании ±10 В обеспечивает выходные напряжения с максимальной амплитудой от -8,71 В до +9,94 В. Для низкоомных сопротивлений нагрузки RH необходимо увеличивать ширину канала применяемых полевых транзисторов или использовать параллельное включение нескольких активных элементов JFET или BJT.

Компьютерное моделирование (фиг. 8) показывает, что предлагаемый буферный усилитель, схемотехника которого адаптирована на применение в диапазоне низких температур и воздействия проникающей радиации [26], имеет существенные достоинства в сравнении с известным вариантом построения БУ при его реализации в рамках рассматриваемого арсенид-галлиевого технологического процесса, обеспечивающего создание только полевых транзисторов с управляющим р-n переходом и биполярных р-n-р транзисторов.

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1. Патент RU №2523947 fig. 4, 2014 г.

2. Патент WO 2007135139, 2007 г.

3. Патент US 4743862, 1988 г.

4. Патент US 6433638, fig. 1a-2, 2002 г.

5. Патентная заявка US 20050253653,2005 г.

6. Патент US 4825174, fig. 3, fig. 6, 1989 г.

7. Патент RU 2099856, fig. 3, 1997 г.

8. Патент US 4904953, fig. 2, 1990 г.

9. Патент US 7896339, fig. 4, 2011 г.

10. Патент US 6342814, 2002 г.

11. Патентная заявка US 2010/0182086, 2010 г.

12. Патент US 5387880, fig. 1, 1995 г.

13. Патент US 4598253, 1986 г.

14. Патент US 4667165, fig. 2, 1987 г.

15. Патент US 4596958, 1986 г.

16. Патент US 7116172, fig. 4, fig. 5, 2006 г.

17. Патент US 5648743, 1997 г.

18. Патент US 5367271, fig. 2, 1994 г.

19. Патентная заявка US 2000/0112075, fig. 3, 2000 г.

20. Патент US 5065043, fig. 1f, 1991 г.

21. Патентная заявка US 2007/0115056, fig. 2, 2007 г.

22. Патент US 7548117, fig. 5, 2009 г.

23. Патент ЕР 0 293486 В1, fig. 5, 1991 г.

24. Патент US 4420726, fig. 1-fig. 3, 1983 г.

25. Хоровиц П., Хилл У. Искусство схемотехники: Пер. с англ.- Изд. 2-е. - М.: Издательство БИНОМ. 2014. - 704 с. Рис. 3.26, рис. 3.28, рис. 3.29

26. Проектирование низкотемпературных и радиационно-стойких аналоговых микросхем для обработки сигналов датчиков: монография / Н.Н. Прокопенко, О.В. Дворников, А.В. Бугакова. - М.: СОЛОН-Пресс, 2021.-200 с.

27. М. Fresina, "Trends in GaAs HBTs for wireless and RF," 2011 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, Atlanta, GA, USA, 2011, pp. 150-153. doi: 10.1109/BCTM.2011.6082769

28. P.J. Zampardi, M. Sun, C. Cismaru and J. Li, "Prospects for a BiCFET III-V HBT Process," 2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS), La Jolla, CA, USA, 2012, pp. 1-3. doi: 10.1109/CSICS.2012.6340116

29. W. Liu, D. Hill, D. Costa and J. S. Harris, "High-performance microwave AlGaAs-InGaAs Pnp HBT with high-DC current gain," in IEEE Microwave and Guided Wave Letters, vol. 2, no. 8, pp. 331-333, Aug. 1992. doi: 10.1109/75.153604

30. Peatman W. et al. InGaP-Plus™: advanced GaAs BiFET technology and applications // CS MANTECH Conference, May 14-17, 2007, Austin, Texas, USA. pp. 243-246.

31. Патентная заявка US 2007/0115056, fig.2, 2007 г.

32. Патент DE 2548906, fig. 1, 1975 г.

33. Патент WO 2014/168518 (PCT RU 2014/000255), fig. 8, 2014 г.

34. Патент US 4.420.726, fig. 1, fig. 3, 1983 г.

35. Патент DE 2354552, fig. 2, 1973 г.

36. Патент RU 2723673, 2020 г.

37. Патент RU 2721940, 2020 г.

38. D. Danyuk. Linear Integrated Systems Headphone Amplifier Evaluation Board. URL: https://www?.linearsvstems.com/lsdata/others/Headphone_Amplifier Evaluatio n Board.pdf

39. Патент US 5.083.046, fig. 3, 1992 г.

40. Патент US 5.367.271, fig. 2, 1994 г.

41. Патент RU 2732583, fig. 1, 2020 г.

42. Патент RU 2676014, fig. 1, fig. 2, 2018 г.

43. Патент RU 2669075, fig.2, fig. 3, 2018 г.

Похожие патенты RU2771316C1

название год авторы номер документа
Арсенид-галлиевый операционный усилитель на p-n-p биполярных и полевых транзисторах с управляющим p-n переходом 2023
  • Кузнецов Дмитрий Владимирович
  • Чумаков Владислав Евгеньевич
  • Прокопенко Николай Николаевич
  • Фролов Илья Владимирович
RU2813281C1
БИПОЛЯРНО-ПОЛЕВОЙ АРСЕНИД-ГАЛЛИЕВЫЙ БУФЕРНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ 2023
  • Прокопенко Николай Николаевич
  • Жук Алексей Андреевич
  • Сергеенко Марсель Алексеевич
RU2796638C1
АРСЕНИД-ГАЛЛИЕВЫЙ ВЫХОДНОЙ КАСКАД БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩЕГО ОПЕРАЦИОННОГО УСИЛИТЕЛЯ 2022
  • Прокопенко Николай Николаевич
  • Чумаков Владислав Евгеньевич
  • Кунц Алексей Вадимович
  • Жук Алексей Андреевич
RU2773912C1
АРСЕНИД-ГАЛЛИЕВЫЙ БУФЕРНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ НА ОСНОВЕ n-КАНАЛЬНЫХ ПОЛЕВЫХ И p-n-p БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ 2022
  • Прокопенко Николай Николаевич
  • Жук Алексей Андреевич
  • Кунц Алексей Вадимович
  • Гавлицкий Александр Иванович
RU2784376C1
Арсенид-галлиевый операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля 2023
  • Чумаков Владислав Евгеньевич
  • Фролов Илья Владимирович
  • Прокопенко Николай Николаевич
  • Сергеенко Марсель Алексеевич
RU2812914C1
ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ НА АРСЕНИД-ГАЛЛИЕВЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ 2021
  • Чумаков Владислав Евгеньевич
  • Прокопенко Николай Николаевич
  • Кунц Алексей Вадимович
  • Бугакова Анна Витальевна
RU2770912C1
ДВУХТАКТНЫЙ АРСЕНИД-ГАЛЛИЕВЫЙ БУФЕРНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ С МАЛОЙ ЗОНОЙ НЕЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ АМПЛИТУДНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ 2022
  • Савченко Евгений Матвеевич
  • Прокопенко Николай Николаевич
  • Жук Алексей Андреевич
  • Пронин Андрей Анатольевич
  • Дроздов Дмитрий Геннадьевич
RU2789482C1
Арсенид-галлиевый операционный усилитель для работы в широком диапазоне температур 2023
  • Клейменкин Дмитрий Владимирович
  • Чумаков Владислав Евгеньевич
  • Сергеенко Марсель Алексеевич
  • Прокопенко Николай Николаевич
RU2814685C1
Арсенид-галлиевый операционный усилитель 2023
  • Клейменкин Дмитрий Владимирович
  • Фролов Илья Владимирович
  • Чумаков Владислав Евгеньевич
  • Прокопенко Николай Николаевич
RU2813140C1
АРСЕНИД-ГАЛЛИЕВЫЙ БУФЕРНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ 2022
  • Прокопенко Николай Николаевич
  • Жук Алексей Андреевич
  • Бугакова Анна Витальевна
RU2784046C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 771 316 C1

Реферат патента 2022 года АРСЕНИД-ГАЛЛИЕВЫЙ БУФЕРНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ

Изобретение относится к области аналоговой микроэлектроники, обеспечивающей работу в условиях воздействия проникающей радиации, низких и высоких температур. Технический результат заключается в создании буферного усилителя, реализуемого на JFET арсенид-галлиевых полевых транзисторах с управляющим р-n переходом и биполярных GaAs р-n-р транзисторах, который обеспечивает в нагрузке RH выходные токи положительного iH(+) и отрицательного iH(-) направлений. Арсенид-галлиевый буферный усилитель содержит первый (1) и второй (2) входы устройства, первый (3) и второй (4) полевые транзисторы с управляющим р-n переходом, истоки которых объединены и подключены к выходу (5) устройства, первую (6) шину источника питания, токовое зеркало (7), согласованное с первой (6) шиной источника питания, выход токового зеркала (7) связан со второй (8) шиной источника питания через источник опорного тока (9). Между выходом токового зеркала (7) и источником опорного тока (9) включен согласующий двухполюсник (10), выход (5) устройства подключен к эмиттеру дополнительного биполярного транзистора (11), коллектор которого соединен со второй (8) шиной источника питания, причем база дополнительного биполярного транзистора (11) и второй (2) вход устройства связаны с выводами согласующего двухполюсника (10). 6 з.п. ф-ы, 8 ил.

Формула изобретения RU 2 771 316 C1

1. Арсенид-галлиевый буферный усилитель, содержащий первый (1) и второй (2) входы устройства, первый (3) и второй (4) полевые транзисторы с управляющим р-n переходом, истоки которых объединены и подключены к выходу (5) устройства, первый (1) вход устройства соединен с затвором первого (3) полевого транзистора с управляющим р-n переходом, второй (2) вход устройства подключен к затвору второго (4) полевого транзистора с управляющим р-n переходом, сток второго (4) полевого транзистора с управляющим р-n переходом связан с первой (6) шиной источника питания, сток первого (3) полевого транзистора с управляющим р-n переходом подключен к входу токового зеркала (7), согласованного с первой (6) шиной источника питания, выход токового зеркала (7) связан со второй (8) шиной источника питания через источник опорного тока (9), отличающийся тем, что между выходом токового зеркала (7) и источником опорного тока (9) включен согласующий двухполюсник (10), выход (5) устройства подключен к эмиттеру дополнительного биполярного транзистора (11), коллектор которого соединен со второй (8) шиной источника питания, причем база дополнительного биполярного транзистора (11) и второй (2) вход устройства связаны с выводами согласующего двухполюсника (10).

2. Арсенид-галлиевый буферный усилитель по п. 1, отличающийся тем, что источник опорного тока (9) выполнен на дополнительном полевом транзисторе (12), затвор которого соединен со второй (8) шиной источника питания, а исток через дополнительный резистор (13) подключен ко второй (8) шине источника питания.

3. Арсенид-галлиевый буферный усилитель по п. 1, отличающийся тем, что второй (2) вход устройства связан с согласующим двухполюсником (10) и подключен к выходу токового зеркала (7), а база дополнительного биполярного транзистора (11), связанная с согласующим двухполюсником (10), подключена к источнику опорного тока (9).

4. Арсенид-галлиевый буферный усилитель по п. 1, отличающийся тем, что второй (2) вход устройства связан с согласующим двухполюсником (10) и подключен к источнику опорного тока (9), а база дополнительного биполярного транзистора (11), связанная с согласующим двухполюсником (10), подключена к выходу токового зеркала (7).

5. Арсенид-галлиевый буферный усилитель по п. 1, отличающийся тем, что в качестве второго (4) полевого транзистора с управляющим р-n переходом используется составной полевой транзистор, содержащий несколько параллельно включенных элементарных полевых транзисторов с управляющим р-n переходом, а в качестве дополнительного биполярного транзистора (11) используется составной транзистор, содержащий несколько параллельно включенных элементарных биполярных транзисторов.

6. Арсенид-галлиевый буферный усилитель по п. 1, отличающийся тем, что в качестве дополнительного биполярного транзистора (11) используется составной транзистор по схеме Дарлингтона, содержащий первый (16) и второй (17) согласующие биполярные транзисторы, причем эмиттер первого (16) согласующего транзистора является эмиттером составного транзистора Дарлингтона (11), его база подключена к эмиттеру второго (17) согласующего биполярного транзистора, коллекторы первого (16) и второго (17) согласующих биполярных транзисторов связаны со второй (8) шиной источника питания, а база второго (17) согласующего биполярного транзистора является базой составного транзистора Дарлингтона (11).

7. Арсенид-галлиевый буферный усилитель по п. 1, отличающийся тем, что токовое зеркало (7) выполнено на биполярных p-n-р транзисторах и содержит первый (14) и второй (15) биполярные p-n-р транзисторы, эмиттеры которых связаны с первой (6) шиной источника питания, базы объединены и соединены с коллектором первого (14) биполярного p-n-р транзистора, который является входом токового зеркала (7), причем коллектор второго (15) биполярного p-n-р транзистора является выходом токового зеркала (7).

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2022 года RU2771316C1

НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ С ПОВЫШЕННЫМ ОСЛАБЛЕНИЕМ ВХОДНОГО СИНФАЗНОГО СИГНАЛА НА КОМПЛЕМЕНТАРНЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ С УПРАВЛЯЮЩИМ P-N ПЕРЕХОДОМ 2020
  • Прокопенко Николай Николаевич
  • Жук Алексей Андреевич
  • Пахомов Илья Викторович
  • Будяков Петр Сергеевич
RU2732583C1
Буферный усилитель для работы при низких температурах 2018
  • Жук Алексей Андреевич
  • Овсепян Елена Владимировна
  • Прокопенко Николай Николаевич
RU2687161C1
БУФЕРНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ КЛАССА АВ НА КОМПЛЕМЕНТАРНЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ С УПРАВЛЯЮЩИМ P-N ПЕРЕХОДОМ ДЛЯ РАБОТЫ ПРИ НИЗКИХ ТЕМПЕРАТУРАХ 2020
  • Прокопенко Николай Николаевич
  • Бугакова Анна Витальевна
  • Никитина Екатерина Петровна
  • Овсепян Елена Владимировна
RU2721940C1
БИПОЛЯРНО-ПОЛЕВОЙ БУФЕРНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ ДЛЯ РАБОТЫ ПРИ НИЗКИХ ТЕМПЕРАТУРАХ 2018
  • Овсепян Елена Владимировна
  • Жук Алексей Андреевич
  • Прокопенко Николай Николаевич
RU2670777C9
БУФЕРНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ С МАЛЫМ НАПРЯЖЕНИЕМ СМЕЩЕНИЯ НУЛЯ НА КОМПЛЕМЕНТАРНЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ С УПРАВЛЯЮЩИМ P-N ПЕРЕХОДОМ 2019
  • Прокопенко Николай Николаевич
  • Будяков Петр Сергеевич
  • Бугакова Анна Витальевна
RU2712410C1
БИПОЛЯРНО-ПОЛЕВОЙ БУФЕРНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ 2018
  • Овсепян Елена Владимировна
  • Жук Алексей Андреевич
  • Прокопенко Николай Николаевич
RU2677401C1
РАДИАЦИОННО-СТОЙКИЙ И НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ НА КОМПЛЕМЕНТАРНЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ 2020
  • Бугакова Анна Витальевна
  • Жук Алексей Андреевич
  • Прокопенко Николай Николаевич
  • Чумаков Владислав Евгеньевич
RU2741056C1
БИПОЛЯРНО-ПОЛЕВОЙ ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ 2015
  • Прокопенко Николай Николаевич
  • Дворников Олег Владимирович
  • Бутырлагин Николай Владимирович
RU2595927C1
ПРЕЦИЗИОННЫЙ ДВУХКАСКАДНЫЙ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ 2015
  • Прокопенко Николай Николаевич
  • Дворников Олег Владимирович
  • Бутырлагин Николай Владимирович
  • Бугакова Анна Витальевна
  • Серебряков Александр Игоревич
RU2615070C1
НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ ДВУХКАСКАДНЫЙ ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ С ПАРАФАЗНЫМ ВЫХОДОМ НА КОМПЛЕМЕНТАРНЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ С УПРАВЛЯЮЩИМ P-N ПЕРЕХОДОМ 2020
  • Прокопенко Николай Николаевич
  • Дроздов Дмитрий Геннадьевич
  • Пахомов Илья Викторович
  • Жук Алексей Андреевич
RU2721942C1
US 7030696 B2, 18.04.2006
US 7548117 B2, 16.06.2009.

RU 2 771 316 C1

Авторы

Савченко Евгений Матвеевич

Пахомов Илья Викторович

Жук Алексей Андреевич

Пронин Андрей Анатольевич

Дроздов Дмитрий Геннадьевич

Даты

2022-04-29Публикация

2021-12-09Подача